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Analytic fitting and simulation methods for characteristic X-ray peaks from Si-PIN detector 被引量:2
1
作者 LI Zhe TUO Xianguo +1 位作者 SHI Rui ZHOU Jianbin 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2013年第6期43-49,共7页
A semi-empirical detector response function(DRF)model is established to fit characteristic X-ray peaks recorded in Si-PIN spectra,which is mainly composed of four components:a truncated step function,a Gaussian-shaped... A semi-empirical detector response function(DRF)model is established to fit characteristic X-ray peaks recorded in Si-PIN spectra,which is mainly composed of four components:a truncated step function,a Gaussian-shaped full-energy peak,a Gaussian-shaped Si escape peak and an exponential tail.A simple but useful statistical distribution-based analytic method(SDA)is proposed to achieve accurate values of standard deviation for characteristic X-ray peaks.And the values of the model parameters except for the standard deviation are obtained by weighted least-squares fitting of the pulse-height spectra from a number of pure-element samples.A Monte Carlo model is also established to simulate the X-ray measurement setup.The simulated flux spectrum can be transformed by Si-PIN detector response function to real pulse height spectrum as studied in this work.Finally,the fitting result for a copper alloy sample was compared with experimental spectra,and the validity of the present method was demonstrated. 展开更多
关键词 pin探测器 最小二乘拟合 特征X射线 模拟方法 SI-pin探测器 蒙特卡罗模型 响应函数 标准偏差
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Thermal experiment of silicon PIN detector
2
作者 陈鸿飞 邹积清 +3 位作者 施伟红 邹鸿 胡然生 田大宇 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第10期820-824,共5页
The experiment of this paper is the thermal test of the leakage current of silicon PIN detector. Raising temperature may cause the detector to increase leakage current, decrease depletion and increase noise. Three sam... The experiment of this paper is the thermal test of the leakage current of silicon PIN detector. Raising temperature may cause the detector to increase leakage current, decrease depletion and increase noise. Three samples are used in the experiment. One (called △E) is the sample of 100 μm in thickness. The other two (called E1 and E2) are stacks of five detectors of 1000 μm in thickness. All of them are 12 mm in diameter. The experiment has been done for 21 hours and with power on continuously. The samples have undergone more than 60 ℃ for about one hour. They are not degenerated when back to the room temperature. The depletion rate is temperature and bias voltage related. With the circuit of the experiment and temperature at 35 ℃, △E is still depleted while E1 and E2 are 94.9% and 99.7% depleted respectively. The noises of the samples can be derived from the values at room temperature and the thermal dependence of the leakage currents. With the addition of the noise of the pre-amplifier, the noises of E1, E2 and △E at 24 ℃ are 16.4, 16.3, and 10.5 keV (FWHM) respectively while at 35 ℃ are about 33.6, 33.1, and 20.6 keV (FWHM) respectively. 展开更多
关键词 thermal effects pin detector radiation detection energetic particle space environment
原文传递
紧凑型Si-PIN探测器的低温制冷控制电路设计
3
作者 邓皓文 曾国强 +2 位作者 杨剑 田成帅 胡传皓 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第5期901-906,共6页
针对便携式X荧光光谱仪,设计了紧凑型Si-PIN探头低温控制电路。低温制冷器采用微型半导体电制冷片,其恒流控制电路利用低噪声的线性稳压器来避免引入电子学噪声,并利用闭环控制保证温度的稳定性。前级供电采用高效率的DC-DC电路稳压,以... 针对便携式X荧光光谱仪,设计了紧凑型Si-PIN探头低温控制电路。低温制冷器采用微型半导体电制冷片,其恒流控制电路利用低噪声的线性稳压器来避免引入电子学噪声,并利用闭环控制保证温度的稳定性。前级供电采用高效率的DC-DC电路稳压,以降低探测器的整体热耗散。Si-PIN探测器安装在制冷片的陶瓷电路板上,并真空封装在TO-8管座内来维持低温制冷效果。实验测试结果表明,探测器可稳定保持在-35℃的低温工作环境,对59.5 keV能量获得的能量分辨率从常温下的2.70%提高到1.47%。 展开更多
关键词 便携式X荧光光谱仪 SI-pin探测器 温度控制 能量分辨率
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一种具有高能量分辨率Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器
4
作者 孙熙晨 林旭梅 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第6期857-862,共6页
提出了一种Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器,与传统PIN探测器不同的是,在器件正面的pn结和背面的高低结处沉积了10 nm厚的Al_(2)O_(3)薄膜。经TCAD仿真结果表明,该探测器具有更低的漏电流和保护环处的电子电流密度,能对高能粒子射线入... 提出了一种Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器,与传统PIN探测器不同的是,在器件正面的pn结和背面的高低结处沉积了10 nm厚的Al_(2)O_(3)薄膜。经TCAD仿真结果表明,该探测器具有更低的漏电流和保护环处的电子电流密度,能对高能粒子射线入射产生良好的响应。设计了两种探测器的制备步骤并制备了器件,通过薄膜少子寿命的表征、器件的暗态I-V测试和^(241)Am元素能谱测试对其进行了评估。测试结果表明,与传统的PIN探测器相比,Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器的少子寿命提升至1 061μs,漏电流降低至5 nA,能量分辨率提升至521 eV,表现出更好的探测性能。 展开更多
关键词 Al_(2)O_(3)钝化层 pin探测器 TCAD仿真 暗态漏电流 能量分辨率
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高灵敏大面积硅PIN探测器阵列 被引量:19
5
作者 欧阳晓平 王义 +1 位作者 曹锦云 李真富 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期329-331,共3页
提出了一种效率增强型硅 PIN探测器和新型高灵敏大面积硅 PIN探测器阵列的设计思想 ,并且对它们的探测灵敏度和相对误差进行了详细的理论模拟计算。从理论研究结果可以得到 :效率增强型硅 PIN探测器可以显著提高对γ射线的探测灵敏度 ;... 提出了一种效率增强型硅 PIN探测器和新型高灵敏大面积硅 PIN探测器阵列的设计思想 ,并且对它们的探测灵敏度和相对误差进行了详细的理论模拟计算。从理论研究结果可以得到 :效率增强型硅 PIN探测器可以显著提高对γ射线的探测灵敏度 ;高灵敏大面积硅 PIN探测器阵列相对于单个效率增强型硅 PIN探测器具有更高的探测灵敏度。结合脉冲放大器 。 展开更多
关键词 统计涨落 效率增强 pin探测器 灵敏度 结构
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φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量 被引量:10
6
作者 胡孟春 叶文英 周殿忠 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期338-340,共3页
φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计... φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计算表明 :该类探测器的 60 Coγ灵敏度约为 5 f C·cm2 / Me V。脉冲响应上升时间约为 10 ns,脉冲响应半高宽约为 35 ns。 展开更多
关键词 硅PNI探测器 Γ灵敏度 时间响应 测量 半导体探测器 钴60
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偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响 被引量:7
7
作者 曹学蕾 王焕玉 +7 位作者 张承模 陈勇 杨家伟 梁晓华 汪锦州 高旻 张家宇 马国峰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期796-800,共5页
偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏... 偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。 展开更多
关键词 SI-pin探测器 偏置电压 能量分辨率
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硅PIN光敏二极管探测X、γ射线的性能及应用 被引量:7
8
作者 任雪光 宁传刚 +3 位作者 邓景康 卢杰 王延峰 郑晓超 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-32,29,共4页
介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PI... 介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PIN光敏二极管配合10mm×10mm×10mm的CsI(Tl)晶体测量γ射线时,在20℃下对137Cs0.662MeVγ射线的能量分辨率为9.9%,60Co的1.332MeVγ射线的能量分辨率为6.4%,-10℃下的能量分辨率分别为8.7%和6.3%。 展开更多
关键词 pin光敏二极管探测器 CSI(TL)晶体 温度特性
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平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制 被引量:6
9
作者 张万昌 何高魁 +2 位作者 黄小健 乌如恭桑 孙亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期227-229,共3页
叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温... 叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9keV X射线的能谱响应测量结果。 展开更多
关键词 平面工艺技术 SI-pin探测器 能量分辨率
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InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究 被引量:3
10
作者 杨集 冯士维 +3 位作者 李瑛 吕长志 谢雪松 张小玲 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期141-144,共4页
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背... InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。 展开更多
关键词 INGAAS/INP pin探测器 响应度 InP盖层
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卫星光通信系统中PIN探测器的空间辐射特性 被引量:3
11
作者 侯睿 赵尚弘 +3 位作者 幺周石 胥杰 姜晓峰 付灵丽 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期161-167,共7页
对空间辐射环境下PIN光电探测器γ射线辐射特性以及粒子辐射特性进行了深入的研究。结果表明两种辐射机制均会对PIN光电探测器造成一定的影响,表现为暗电流噪声增加、响应率下降以及响应带宽下降。在卫星光通信系统结构设计过程中应该... 对空间辐射环境下PIN光电探测器γ射线辐射特性以及粒子辐射特性进行了深入的研究。结果表明两种辐射机制均会对PIN光电探测器造成一定的影响,表现为暗电流噪声增加、响应率下降以及响应带宽下降。在卫星光通信系统结构设计过程中应该更多地考虑空间辐射对暗电流噪声造成的影响。 展开更多
关键词 空间辐射 pin探测器 暗电流 响应率 响应带宽
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用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声电荷灵敏前置放大器的设计 被引量:4
12
作者 刘洋 田华阳 +3 位作者 何高魁 黄小健 郝晓勇 继世梁 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期317-321,共5页
介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PI... 介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PIN探测器配用,采用小型温差电制器制冷至-20℃,对5.9 keV X射线的能量分辨率(FWHM)最好可以达到195 eV。 展开更多
关键词 电荷灵敏 晶体管反馈 低噪声 高分辨率 SI-pin探测器
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PIN半导体探测器在个人剂量仪中的应用研究 被引量:7
13
作者 刘正山 邓长明 +1 位作者 张志勇 程昶 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期661-663,共3页
以SDM2000个人剂量仪为例,针对个人剂量仪的特点,对PIN半导体探测器在个人剂量仪中的应用进行了研究,并进行了详尽的性能测试,取得了较好的结果。
关键词 pin 半导体探测器 个人剂量仪
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用于电致冷Si-PIN探测器的掌上型电源系统的研制 被引量:3
14
作者 林延畅 姜海静 +3 位作者 葛良全 赖万昌 曾兵 程锋 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-24,35,共4页
介绍一套用于电致冷S i-P IN半导体探测器的掌上型电源系统的设计。系统采用集成电路方案与表面贴装元件(SM D)制作,具有体积小、重量轻、效率高、稳定性高、纹波噪声小和成本低等特点。内置可充电电池能维持一台XR-100CR型探测器工作7... 介绍一套用于电致冷S i-P IN半导体探测器的掌上型电源系统的设计。系统采用集成电路方案与表面贴装元件(SM D)制作,具有体积小、重量轻、效率高、稳定性高、纹波噪声小和成本低等特点。内置可充电电池能维持一台XR-100CR型探测器工作7h以上,适合在各种基于S i-P IN探测器的现场X荧光分析系统中推广应用。提出了一种温控致冷电源的理论设计与实现方法,并对无变压器式、高稳定度、低纹波高压偏置电源的制作技术进行了讨论。 展开更多
关键词 现场X荧光分析 SI-pin探测器 温控PWM电源 便携式 稳定性
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PIN探测器贯穿辐射与非贯穿辐射线性特性 被引量:3
15
作者 张忠兵 张显鹏 +1 位作者 陈亮 欧阳晓平 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期595-599,共5页
采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了比较。PIN探测器输出的最大线性电流随外加反向偏置电压线性变化,对贯穿辐射响应的最大线性电流输出比对... 采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了比较。PIN探测器输出的最大线性电流随外加反向偏置电压线性变化,对贯穿辐射响应的最大线性电流输出比对非贯穿辐射响应的最大线性电流输出约大20%,理论计算的最大线性电流值比实验值小。在脉冲辐射探测中,采用可见脉冲光源获得的PIN探测器最大线性电流不会超出探测器对贯穿辐射的线性响应。 展开更多
关键词 pin探测器 线性电流 贯穿辐射 脉冲辐射测量
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离子注入PIN辐射探测器的测试分析 被引量:4
16
作者 陈鸿飞 邹积清 +3 位作者 田大宇 张太平 宁宝俊 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期457-460,共4页
利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300~1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN... 利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300~1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地. 展开更多
关键词 pin辐射探测器 噪声 分辨率
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PIN型辐射探测器的并联使用 被引量:3
17
作者 施伟红 陈鸿飞 +4 位作者 邹鸿 邹积清 田大宇 宁宝俊 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期908-910,共3页
由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是,PIN... 由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是,PIN探测器厚度有限,因而采用并联方法。本文就PIN探测器的并联应用进行实验和分析,证明其可行性。 展开更多
关键词 空间高能电子探测 半导体探测器锂漂移探测器 pin探测器
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Si-PIN硅条带探测器的电子学测试 被引量:3
18
作者 邹鸿 陈鸿飞 +4 位作者 邹积清 宁宝俊 施伟红 田大宇 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期170-173,共4页
采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的... 采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的串扰问题。 展开更多
关键词 硅条带探测器 空间粒子探测 耗尽电容 条间串扰
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大面积PIN探测器性能参数实验测量 被引量:3
19
作者 郭洪生 何锡钧 彭太平 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期272-275,共4页
利用CГC-67型三通道γ源加速器测量了50mm,60mmPIN探测器的时间响应、线性电流及相对灵敏度,并与理论计算结果进行了比较,验证了实验结果的可靠性。
关键词 pin半导体探测器 时间响应 线性电流 相对灵敏度
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用PIN探测器进行激光雷达参考光检测 被引量:2
20
作者 徐正平 金灿强 +5 位作者 俞乾 徐宝腾 白启帆 张翼 董艳芳 孙大林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期260-266,共7页
可靠准确的参考光检测是提高直接测距型激光主动成像系统测距精度的关键因素之一,对基于PIN探测器的参考光检测电路设计进行了深入研究。首先,对比分析了雪崩光电二极管(APD)和PIN光电二极管性能及其供电电路的难度。综合考虑参考光功... 可靠准确的参考光检测是提高直接测距型激光主动成像系统测距精度的关键因素之一,对基于PIN探测器的参考光检测电路设计进行了深入研究。首先,对比分析了雪崩光电二极管(APD)和PIN光电二极管性能及其供电电路的难度。综合考虑参考光功率稳定特性及参考光光路设计难度,选择PIN探测器进行激光雷达参考光检测。详细分析了高压集成芯片LT3482作为常规电源和利用电流监测模式驱动PIN探测器时的差别。选择高增益带宽积跨阻放大器OPA657N实现PIN探测器电流电压转换,对其关键外围元件参数的选取进行了详细分析。同时介绍了超高速比较器MAX9601的应用注意事项。最后,设计了电路板并进行实验验证。结果表明:对脉冲为10 ns的激光光源,当PIN探测器施加89.449 V的偏置电压时,其输出电流信号经跨阻放大器后电压幅值达到-3.7 V,可保证起始信号可靠检出,但脉冲展宽为15 ns。整个模块可有效给出参考光对应的计时起始信号。基于集成高压芯片驱动的PIN探测器配合恒定阈值时刻鉴别方法在直接测距型激光主动成像系统参考光检测中是切实可行的。 展开更多
关键词 激光成像系统 参考光束 pin探测器
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