基于PIN型硅光电二极管的激光偏振态探头

综合考虑了PIN型硅光电二极管的高灵敏性、高稳定性、高响应速度、小体积及低成本的优点,主要研究了基于PIN型硅光电二极管的光强探测电路在激光偏振态测量系统中的应用。采用Stockes参量测量的LCVR调制法,将光强探测电路和光学检偏系统封装在一起构成激光偏振态测量探头,探头以STM32F103为控制器通过USB协议实现数据在上位机与控制器之间的传输。利用该探头完成808nm激光的偏振态测量,实验结果显示该偏振态测量探头具有较高的测量精度,且该偏振态测量探头具有结构简单、测量精度高、体积小、人机交互便捷、操作简单的特点。

基于PIN型光敏元件的粉尘传感器设计

设计了一种用于粉尘浓度和分散度快速测定的光电检测传感器,介绍了光散射式粉尘颗粒传感器的工作原理以及相关的光学系统,并对PIN型光敏元件与前置放大电路的工作原理进行了分析。这种新型传感器具有体积小,信噪比高,准确度高,功耗低等优点。粉尘重量浓度检测范围:0～10mg/m3至0～500mg/m3,粒径分散度:<2～5,5～10,>10μm。

甜荞pin型花与thrum型花雌雄蕊发育的比较研究

为从形态上研究甜荞(Fagopyrum esculentum)二型花发育的差异性,该文运用石蜡切片技术对甜荞pin型花和thrum型花大、小孢子发生和雌、雄配子体的发育过程进行观察比较。结果表明:(1)甜荞2种花的雌蕊、雄蕊发育的细胞学特征有很高的相似性,具直生胚珠、双珠被、厚珠心;大孢子四分体直线型排列,合点端为功能大孢子,蓼型胚囊。花药4室,花粉囊壁由表皮、药室内壁、一层中层和一层绒毡层组成,其中绒毡层发育为腺质型,小孢子母细胞减数分裂过程中的胞质分裂为同时型,小孢子四分体常为四面体型,但thrum型花花粉囊中偶见十字交叉型小孢子四分体;成熟花粉粒多数为2细胞型,少数为3细胞型。(2)从2种花雌蕊、雄蕊的发育进度来看,与pin型花相比,thrum型花小孢子发育相对较慢,雄配子体发育较快,但开花时,两者雌蕊、雄蕊均发育成熟。(3)综合甜荞两种花生殖发育的过程来看,其有许多相对原始的胚胎学特征,但也出现一些如直生胚珠、3细胞型花粉等相对进化的性状。该研究完善了甜荞二型花生殖发育的形态细胞学资料的同时,也为理解石竹目物种间的亲缘关系提供了胚胎学证据。

PIN型有机太阳能电池的研究

利用PEDOT:PSS作阳极修饰材料,并提高沉积温度,在ITO玻璃基板上制备PIN结型有机太阳能电池,利用太阳能电池外量子效率测试系统测试上述获得的有机太阳能电池光谱响应特性,分析薄膜结晶性对器件性能的影响。实验结果表明插入修饰材料和提高基底温度均可提高PIN结型有机太阳能电池的性能,这是因为薄膜结晶性在这些方法下得到提高,促进了空穴的传输。此外结晶性的提高有利于光谱吸收的红移,为高光电转化效率的太阳能器件制备提供了指导。

引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。

基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器

为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电压。测试结果表明,在工作频带为30~1000 MHz时,电调衰减器的最小插入损耗的绝对值小于2.9 dB,其最大衰减量的绝对值大于35.0 dB,其回波损耗小于-10 dB。器件封装尺寸为3.8 mm×3.8 mm×1.0 mm,单只器件质量为38 mg。该电调衰减器满足宽频带、低插损的要求,具有小型化、高集成、轻量化的特点。

陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响

利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。

乳腺摄影自动曝光系统的探测器性能研究

目的:PIN型硅光敏二极管探测器的结构特点,为我们利用其辐射输出特性来测量软X线提供了可能。本文的目的是,在已有的商用PIN型硅光敏二极管探测器中,研究选取一种适用于乳腺摄影自动曝光控制系统的探测器,并对其各种输出特性进行试验研究,从而可降低乳腺摄影自动曝光控制系统的生产成本。方法:首先,对7种不同类型的PIN型硅光敏二极管探测器进行编号,然后依次分别进行以下三方面的实验研究:输出线性,能量响应和数据稳定性;并进行相关统计学分析;然后,在这7种不同类型的PIN型硅光敏二极管探测器中,选取一种各种特性都相对理想的探测器,在FLATSE乳腺高频钼靶X光机上进行验证,并观察其是否满足乳腺摄影自动曝光控制系统的要求。结果:探测器输出对X射线强度(10mR～2R)完全线性(线性相关系数r>0.99);探测器输出对X射线能量响应变化小于±3%(光子能量40keV～150keV);探测器输出电流大于10-9A(40kV,50mA);在不同时间及湿度下所测得的各项数据均无统计学差异。结论:PIN硅光敏二极管探测器(沪5号)具有灵敏度高、探测效率高、能量分辨率好、可以在室温下使用,以及对湿度不敏感和体积小等优点,能满足乳腺摄影自动曝光控制系统的要求。所以,我们最后选择沪5号作为乳腺摄影自动曝光控制系统的探测器。

电流型大面积PIN探测器

研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测器相比 ,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式 ,但也可用于计数模式 ,而目前的商用产品仅适用于计数测量 .

P型掺杂区工艺对Si基Pinned型光电二极管量子效率的影响

为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管（PPD,pinned photodiode）量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面（SRH,shockley-read-hall）复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P＋型表面层和P型外延（EPI,epitaxial）层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明,P＋型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势垒区底部上移,导致500~750nm波段量子效率的衰减;P型EPI厚度增加引起衬底强SRH复合区光电荷比重降低,导致高于700nm波段量子效率得到提升并趋向饱和。通过分析发现,Si基材料中光子吸收深度对波长的强依赖关系是导致两种P型掺杂区工艺条件对量子效率存在波段差异性影响的根本原因。

没有想不到，只有做不到——五花八门的USB接口

随着USB2.0全面普及，MP3，数码相机等各种数码设备推陈出新，我们使用到USB设备的机会越来越频繁。然而这些设备虽然都采用了USB接口，但是不少设备的USB数据线接口并不完全相同，有些USB数据线的接口相信不少读者甚至从没见到过。