基于PIN型硅光电二极管的激光偏振态探头

综合考虑了PIN型硅光电二极管的高灵敏性、高稳定性、高响应速度、小体积及低成本的优点,主要研究了基于PIN型硅光电二极管的光强探测电路在激光偏振态测量系统中的应用。采用Stockes参量测量的LCVR调制法,将光强探测电路和光学检偏系统封装在一起构成激光偏振态测量探头,探头以STM32F103为控制器通过USB协议实现数据在上位机与控制器之间的传输。利用该探头完成808nm激光的偏振态测量,实验结果显示该偏振态测量探头具有较高的测量精度,且该偏振态测量探头具有结构简单、测量精度高、体积小、人机交互便捷、操作简单的特点。

PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究

在X、γ射线的剂量或剂量率测量场合,常用到PIN硅光电二极管。比起传统的电离室等,它有体积小、灵敏度高、成本低、不需要高压等优点;与计数管、闪烁探测器相比,其电流输出的特性可以避免脉冲场下的死时间问题。但大剂量照射造成的辐射损伤是影响其性能的最大因素。以XRB100s-CB380为例,通过试验研究了PIN硅光电二极管的特性,包括灵敏度、偏压影响、温度补偿、辐射损伤及退火等,并简单介绍了实际应用中对输出电流信号的处理方法。

飞秒激光诱发硅PIN光电二极管饱和特性的实验研究(英文)

实验研究了不同脉冲能量的飞秒激光诱发硅PIN光电二极管瞬态响应信号的特性。发现探测器响应瞬态响应信号相继出现了三个明显的相位,深入讨论了飞秒激光诱发的高注入载流子在瞬态响应信号演化过程中所起的作用。结果表明,高注入载流子产生的空间电荷屏蔽效应是导致瞬态响应信号呈现三个相位的主要因素,它导致瞬态响应信号的持续时间主要取决于载流子双极扩散的速度。增加飞秒激光的脉冲能量会进一步延长探测器瞬态响应信号的持续时间。因此,飞秒激光会削弱探测器的工作性能,尤其是在高速信号探测中的工作性能。

基于PERL技术的硅基PIN光电二极管的设计与仿真

缺乏高质量的硅光电接受器件一直制约着全硅光电子回路的发展。分析讨论了PERL太阳能电池的高效光电特性技术,并将其应用于硅光电二极管,设计了一种高响应度,高截止频率的硅基PIN光电二极管的器件结构,说明了该结构的技术特点与制备工艺。使用SUPREM-IV仿真器对该器件进行了模拟仿真,讨论了I层的长度与厚度对器件性能的影响。

一款低成本硅PIN光电二极管偏置电路的设计及应用

硅PIN光电二极管在微弱光信号检测领域的应用越来越广泛,但其效果会受到偏置电压等因素的影响,稳定性高、纹波系数小的偏置电压对准确获得被测信号来说是必不可少的。设计一款基于TPS61040电压转换芯片的硅PIN光电二极管偏置电路,并将其用于NaI(Tl)晶体的微弱光信号检测,取得了良好的效果。

一款基于硅光电二极管的数字γ辐射仪设计

CsI(Tl)闪烁晶体的发光光谱能与光电二极管的吸收光谱较好的匹配。采用CsI(Tl)晶体+光电二极管探测器的数字辐射仪,与传统辐射仪相比,在体积、功耗和稳定性方面都有一定优势。通过数字电位器的使用实现了甄别阈值调节的数字化,使得仪器甄别阈调节更加精确。

Vishay推出新款高速PIN光电二极管

Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时闻的高速硅PIN光电二极管——TEFD4300和TEFD4300F，

Vishay推出新款高速PIN光电二极管

Vishay Intertechnology，lrlc．公司近日推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时间的高速硅PIN光电二极管——TEFD4300和TEFD4300F，二极管采用透明和黑色树脂T1塑料封装，扩大了Vishay的光电子产品组合。

具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P^-/P^+/P/P^+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。

硅光电探测器的发展与应用

半导体光电探测器由于体积小、灵敏度高、响应速度快、易于集成,是最理想的光电探测器,典型的包括PIN光电二极管、雪崩二极管以及硅光电倍增管。论述了它们的工作原理,以及在光纤通信、传感系统、高能物理、核医学等领域的广泛应用。

用于光纤通信的硅光电探测器的研制

根据光纤入户(FTTH)的应用特点,选用外延层厚度和电阻率各不相同的三种硅外延片,研制了用于FTTH的P IN硅光电探测器,并与硅单晶材料的PN结光电二极管进行了全程比对。测量结果表明,P IN探测器的暗电流可达1-0 11A量级,响应时间为2 ns。分析了Ⅰ层厚度和电阻率对探测器件暗电流、结电容和响应时间的影响及引起特性差别的原因,为设计能满足光纤通信要求的光电探测器提供了依据。

LM－5光电型激光功率计的研制

ＬＭ－５光电型激光功率计使用优质的大面积硅光电二极管作探头，响应快、线性范围宽、灵敏度高，量程跨六个量级，最低分辨力为０．００１ｕＷ（不确度小于２％）。该仪器的零点极稳定，任意变换六个量程不必重调，另外可通过波长选择开关选取不同的激光波长进行功率测量。

VSMBl0940X01等：高速红外发射器／光电二极管

Vishay推出两款通过AEC—Q101认证的配对高速940nm红外发射器和硅PIN光电二极管VSMBl0940×01/VEMD10940F×01和VSMB11940×01/VEMD11940F×01，采用小尺寸3mm×2mm侧视表面贴装封装。VSMB10940×01，VEMD10940F×01高度为1mm，VSMB11940×01，VEMD11940F×01的高度为0．6mm。

光通信中的主流光电探测器研究

对光通信系统解复用接收部分中的关键器件——主流光电探测器进行综合比较、优缺点分析与展望.分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点做了简要概括,并做系统比较,最后对光电探测器发展前景进行展望.

移动终端微型核辐射探测仪研制

介绍了一种基于Android或IOS移动终端的微型核辐射探测仪。该仪器以硅PIN光电二极管作为光电转换传感器,核辐射信号被传感器转换为电信号后,经内部电路放大和电压比较整形后,通过3.5 mm耳机接口或TYPE-C接口传输至移动终端进行数据处理。探测仪主要功能为测量待测物体或环境中是否存在高于天然本底的X或γ射线辐射,并发出警报。相比传统辐射探测仪,本探测仪具有响应快、抗干扰强、体积小、灵敏度高、无需高压偏置等优点。

P型掺杂区工艺对Si基Pinned型光电二极管量子效率的影响

为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管（PPD,pinned photodiode）量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面（SRH,shockley-read-hall）复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P＋型表面层和P型外延（EPI,epitaxial）层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明,P＋型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势垒区底部上移,导致500~750nm波段量子效率的衰减;P型EPI厚度增加引起衬底强SRH复合区光电荷比重降低,导致高于700nm波段量子效率得到提升并趋向饱和。通过分析发现,Si基材料中光子吸收深度对波长的强依赖关系是导致两种P型掺杂区工艺条件对量子效率存在波段差异性影响的根本原因。

乳腺摄影自动曝光系统的探测器性能研究

目的:PIN型硅光敏二极管探测器的结构特点,为我们利用其辐射输出特性来测量软X线提供了可能。本文的目的是,在已有的商用PIN型硅光敏二极管探测器中,研究选取一种适用于乳腺摄影自动曝光控制系统的探测器,并对其各种输出特性进行试验研究,从而可降低乳腺摄影自动曝光控制系统的生产成本。方法:首先,对7种不同类型的PIN型硅光敏二极管探测器进行编号,然后依次分别进行以下三方面的实验研究:输出线性,能量响应和数据稳定性;并进行相关统计学分析;然后,在这7种不同类型的PIN型硅光敏二极管探测器中,选取一种各种特性都相对理想的探测器,在FLATSE乳腺高频钼靶X光机上进行验证,并观察其是否满足乳腺摄影自动曝光控制系统的要求。结果:探测器输出对X射线强度(10mR～2R)完全线性(线性相关系数r>0.99);探测器输出对X射线能量响应变化小于±3%(光子能量40keV～150keV);探测器输出电流大于10-9A(40kV,50mA);在不同时间及湿度下所测得的各项数据均无统计学差异。结论:PIN硅光敏二极管探测器(沪5号)具有灵敏度高、探测效率高、能量分辨率好、可以在室温下使用,以及对湿度不敏感和体积小等优点,能满足乳腺摄影自动曝光控制系统的要求。所以,我们最后选择沪5号作为乳腺摄影自动曝光控制系统的探测器。

基于STM8的激光功率计的设计

设计了一种基于STM8的激光功率计的硬件结构和固件程序,并对系统的误差进行了分析。该功率计采用STM8S208MBT作为微控制器,通过PIN硅光电二极管实现光信号到电信号的转换,并利用运算放大器对信号进行转换、放大和滤波;同时,采用16位模数转换芯片AD7606-4,以保证系统的测量精度。通过LCD显示屏,用户可实时获得测量结果。实际测试结果表明:该功率计成本低,测量精度高,满足工程中对激光测量的要求。