微波大功率PIN开关及其在变极化天线中的应用

讨论了一种工作子Ｓ波段的大功率ＰＩＮ开关的设计方法，该开关采用了间隔为四分之一波长的双排并联结构，仅用１２只ＰＩＮ管实现了功率容量为８０ｋＷ，插入衰减和开关比分别为０．８５ｄＢ和３０ｄＢ的性能指标，它已经用于测量雷达的变极化天馈系统中，实现了雷达的脉间变极化。

PIN开关的控制模块设计

分析了对PIN开关实现开关控制、RFSTC控制、STC校正控制的原理和设计方法,并给出了电路模块的实施框图。

一种PIN开关调制器

介绍了一种用FET作为开关的高性能PIN开关调制器的工作原理和设计方法。给出了实际应用调制器的波形。

一种PIN开关高速驱动器的设计

介绍了一种用于驱动PIN开关的高速驱动器的设计。该电路的传输延时为5ns，工作电压范围±4-5～±12V。文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法，分析了影响高速驱动器传输速度和工作稳定性的一些因素，提出了克服这些影响的措施。

SPDT、SP3T大功率PIN开关

描述了2—4GHz、8-12GHz的SPDT和8—12GHz的SP3T大功率PIN开关的设计方法、实现过程和测试结果.其连续波功率最大可承受80W,插入损耗小于1.8dB、隔离度大于25dB、驻波比小于1.8、开关时间小于1us.具有功率容量大、工作频带宽、可靠性高、成本低、调试简单等特点.

用来驱动PIN开关二极管的高压混合集成电路的设计及应用

该文介绍了用于驱动PIN开关二极管的一种高压(+100V)驱动器的设计,论述了其设计原理,并结合工程实际,对其主要应用给予举例。

宽带单刀多掷PIN开关的设计

介绍了微波PIN开关的电磁结构模型的建立及计算机仿真，讨论了宽带单刀多掷开关的设计要点。采用该方法成功设计了1—18GHz吸收式单刀五掷开关，其插损≤3．5dB．驻波≤2．2，隔离度≥60dB。

一种集成、高速、高驱动能力PIN开关驱动电路

针对目前微波射频电路中广泛使用的PIN开关要求的高速、高驱动能力的需求,提出了一种以MOSFET驱动器LTC4444为核心器件的驱动电路思路。介绍了将其用于PIN开关驱动电路时加速电路设计方法,该方法基于LTspice仿真技术。然后,通过该仿真技术设计了一款PIN开关驱动,该驱动电路工作电压范围为±5 V,TTL电平控制,典型传输延时为25 ns,输出信号上升、下降时间优于8 ns,可提供2.5 A峰值上拉电流,以及3 A峰值下拉电流,验证了该驱动电路的高速和高驱动能力。

安捷伦科技推出新型隔离度极高的宽带同轴固态PIN开关

安捷伦科技（NYSE：A）日前推出新型同轴固态PIN二极管开关产品系列，包括单刀双掷（SPDT）、单刀四掷（SP4T）和转换开关等几个型号。这些开关可以工作在100MHZ到18GHZ频率范围内，可以为自动测试设备系统（ATE）提供快速和精确的开关解决方案。

超宽带微波PIN匹配开关电路设计

高速、超宽带微波PIN匹配多掷开关在通信、雷达及电子对抗系统中有着广泛应用的重要器件之一。介绍PIN管的工作机理，分析了应用PIN管设计开关电路时应考虑的因素，进而设计出工作频率为1-18GHz的单刀5掷PIN匹配开关电路，经测试在频率为1-18GHz范围内，插损小于3．5dB，隔离度大于60dB，开关时间小于30ns。

基于PIN管的大功率射频开关研制

随着通信系统发射功率的增加,以及工作频率的提高,高功率容量,高隔离,低插损,短响应时间的射频开关尤其重要。文章简要介绍了PIN管单刀双掷射频开关的原理,对高功率容量下PIN二极管的应用关键进行了详细分析,设计了一个工作于200MHz～500MHz,差损小于0.7dB,隔离度大于70dB,驻波比小一地1.5,功率容量100W,开关速度小于20μs的一分四射频开关。

毫米波宽带鳍线PIN管开关

本文介绍了3mm波宽带鳍线PIN管接收保护开关的设计和实验结果。

1～18GHz单刀多掷PIN匹配开关

描述工作频率为1-18GHz的单刀5掷(SP5T)PIN匹配开关的设计、实现和测试结果,给出了高速、超宽带的单刀多掷(SPMT)PIN匹配开关的一般设计方法.采用这种方法设计的单刀双掷(SPDT)、单刀3掷(SP3T)、单刀4掷(SP4T)和单刀5掷(SPST)PIN匹配开关都获得了优良的性能,达到国外90年代同类产品的先进水平.所有开关均为全密封结构,可拆卸接头,直接采用TTL电平控制,使用非常方便.

6～18GHz,120W,PIN大功率开关的设计

PIN开关是微波控制电路中的基本部件,它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。大功率PIN开关是开关型产品中技术最难实现的一种开关,在许多整机和系统中起到关键的作用。文中给出了实现大功率单刀掷开关和大功率单刀双掷开关的方法。

基于PIN管的多路大功率宽带高线性射频开关的研制

设计制作了一款工作于100-400MHz的大功率宽带高线性单刀多掷PIN管收发开关。该开关采用1分6再分6的串联型结构，通过对PIN管的选取和微带线布局来实现对开关插损、隔离度和驻波比的要求。由于采用串联结构而非串并结构，该开关驱动部分大为简化。测试结果表明，该开关插损小于0．3dB，隔离度大于50dB，驻波比小于1．2，功率容量为100W，二次谐波抑制大于70dBc。

pin组合开关在Ku波段多通道接收机中的应用

采用pin二极管技术,在输入端反射式pin组合开关的基础上,设计、制作了一种微波吸收式pin单刀双掷开关,并给出了详细设计原理图。用AWR软件分别对带有定向耦合器的反射式pin组合开关和吸收式单刀双掷pin组合开关进行了仿真优化设计,仿真结果表明吸收式单刀双掷pin组合开关性能指标更优越,尤其在衰减状态下各项指标明显优于反射式pin组合开关。将两种开关方案分别应用于Ku波段多通道接收机后,吸收式单刀双掷pin组合开关测得结果如下:插入损耗≤1 dB,导通和衰减输入驻波比均≤1.4∶1,幅度不一致性≤1 dB。

可重构通道选择型功率放大器设计

为满足现代无线通信系统小型化、集成化、低成本和高性能的需求,提出了一种新型的可重构功率放大器结构。该结构设计的输入匹配网络,能够实现1~3 GHz频段内的良好匹配;输出匹配网络将可重构技术和滤波匹配技术相结合,通过分布式PIN开关连接不同的滤波匹配电路,实现信号在多通道内高效的放大特性和工作频带的高选择性输出。采用CGH40010F GaN晶体管设计并加工了一款工作在1.5、1.8、2.4、2.6 GHz的功率放大器,其带宽约为200 MHz,通带外信号衰减可达-30 dB。通过测试,该功率放大器的饱和输出功率为40 dBm,增益维持在10 dB左右,最大功率附加效率(power added efficiency, PAE)可达到63%,实测结果与仿真结果具有较好的一致性。本文结构降低了电路复杂度和设计难度,具有高效率、高选择性等优势,为设计宽频带多功能可重构功率放大器提供了一种可行的方案。

基于接地式开关的三波段可重构功率放大器的设计

采用基于接地式开关的单频可重构阻抗变换网络,设计了一款可以工作在三个波段的可重构功率放大器。与其他可重构功率放大器相比,该功放输出匹配电路的设计复杂度相对较低,对各个工作频率的跨度要求很小,同时有效节约了频谱资源。为了验证方案的可行性,采用型号为CGH40010F的GaN晶体管设计了一款工作在1.75 GHz、2.1 GHz和2.6 GHz的可重构功率放大器,制作实物并进行测试。测试结果表明该结构使功放在工作的三个频段上具有良好的输出功率、效率及增益,各个频段之间的切换更加方便。

半导体开关与RFMEMS开关性能分析与比较

为找出影响微波开关性能的参数及其开关的发展方向,从物理机理上分析和比较了半导体开关和RFMEMS(射频微电机械)开关的性能。提出了微波串联开关的理想模型,定义了开关的品质因数,应用器件物理理论和电容公式推出了半导体开关和MEMS开关的品质因数表达式,分析出影响开关性能的参数,提出改善的方法。通过相关权威测试的品质因数得出:RFMEMS开关比半导体开关具有更优的性能,与理论分析相一致。通过开关的性能比较,明确RFMEMS开关可广泛地应用到射频微波电路中,有好发展前景。