在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱

在有效质量近似框架内 ,采用绝热近似 ,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质 .计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高 ,随量子点尺寸的增大而降低 ,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低 .说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移 ,与已知的实验结果一致 .

PbSe量子点光谱特性的时间与温度依赖性研究

由于量子点材料特殊的能级结构以及尺寸依赖特性,使其既可以用作宽光谱吸收材料和可调谐发光材料,又可以用于荧光探针。本文以有机法制成Pb Se量子点,并对其生长时间、生长温度依赖的光学特性进行了研究。试验数据表明,随着生长时间、生长温度和量子点尺寸的变化,Pb Se量子点的禁带宽度、发光峰值波长和全波半宽度均会发生改变;随着生长时间和生长温度的增加,发光峰值波长、全波半宽度和尺寸均会增加;随着生长温度的增加,禁带宽度减小并产生红移。