基于PL-Ⅲ的电力线载波通信中继器

介绍一种基于PL Ⅲ的电力线载波通信中继器 ,该中继器以 89C2 0 51为主处理器 ,以PL Ⅲ为中介 ,以电力线为传输媒质。它可靠性高 ,误码率低 ,便于组网 ,所以很有使用价值。

PL-Ⅲ电力线载波模块及其在电能远抄系统中的应用

介绍了一种电力线载波模块 PL-Ⅲ及其在设计远程抄表系统中的应用。此模块以新型电力线载波器件 IC CEWay PL-Ⅲ加放大滤波等外围电路构成,用它作为收发器;由此模块构成的远抄系统可靠性高,误码率低,而且便于组网。

高功率980nm半导体激光器有源区制备中的Ⅴ/Ⅲ比优化

高质量的MOCVD外延材料是研制高性能半导体光电器件的基础。通过制作简单的量子阱结构,利用光荧光系统进行快速表征,得到Ⅴ/Ⅲ比不但会影响PL的强度,还会影响片内均匀性的结论。根据标准偏差统计法,确定了InGaAs量子阱外延的最佳Ⅴ/Ⅲ比为35。基于优化的外延参数,制备了波长为980nm的半导体激光器,在15A脉冲电流下,腔面未镀膜时器件的平均输出功率为9.6W,中心波长为977.2nm。研究结果为半导体激光器的研制提供了一种快速有效的方法。

射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。

GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。

偏最小二乘-分光光度法同时测定铋、铜、钴和镍

3,5-Br2-PADAP在pH为3.2的甲酸-甲酸钠缓冲溶液中能与Bi(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)和Ni(Ⅱ)形成稳定的络合物。研究了Bi(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)-3,5-Br2-PADAP体系的显色条件,用偏最小二乘法处理所得数据,从而建立了分光光度法同时测定Bi(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)和Ni(Ⅱ)的方法。方法简便可靠,灵敏度高,选择性好。

MBE制备GaN纳米柱阵列的光学特性

使用U-4100紫外可见光光度计和QM40稳态/瞬态荧光光谱仪分别对不同V/Ⅲ比分子束外延(MBE)制备的GaN纳米柱阵列进行了测试,分析了V/Ⅲ比对GaN纳米柱表面形貌及发光特性的影响。反射光谱、透射光谱和室温稳态光致发光光谱结果表明:MBE制备的GaN纳米柱阵列其V/Ⅲ比直接影响纳米柱的带边发光、黄带发光、蓝带发光和光吸收等光学特性。当波长为480 nm蓝光段时,纳米柱有最强的反射能力。纳米柱V/Ⅲ比为6∶1时反射率峰值最大,约为55%,且峰值随V/Ⅲ比的变化交替变化。纳米柱V/Ⅲ比为8∶1时透射率最大。纳米柱V/Ⅲ比为10∶1时黄带发光几乎消失,且365 nm附近的带边发光和440 nm附近的蓝带发光增强。拟合结果中370 nm为主要的带边发光峰。

Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响

在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的V和V缺陷态有关。