低温胁迫对转高山离子芥CbPLDα、CbPLDβ基因烟草抗氧化酶系统的影响

为研究高山离子芥Cb PLDα、Cb PLDβ转基因烟草对低温胁迫的生理响应,采用4、0℃低温胁迫,揭示了Cb PLDα、Cb PLDβ基因在植物抵抗低温中的作用。结果表明:随着4℃胁迫时间的延长,野生型烟草和转基因烟草的丙二醛(MDA)含量和超氧化物歧化酶(SOD)活性以及抗坏血酸过氧化物酶(APX)活性均呈增加趋势,过氧化物酶(POD)和过氧化氢酶(CAT)活性则呈先上升后下降趋势。0℃胁迫条件下,野生型烟草和转基因烟草的丙二醛(MDA)含量和过氧化氢酶(CAT)活性以及抗坏血酸过氧化物酶(APX)均先上升后下降,过氧化物酶(POD)和超氧化物歧化酶(SOD)活性呈增加趋势。Cb PLDα、Cb PLDβ转基因活性烟草的MDA含量显著低于野生型烟草植株,而抗氧化酶活性显著高于野生型烟草对照,且转基因烟草对0℃低温胁迫的响应更积极敏感。Cb PLDα、Cb PLDβ基因的导入提高了烟草幼苗的抗低温能力。

甘蓝型油菜2个BnPLDα基因的克隆与表达

该实验采用同源克隆技术在甘蓝型油菜中克隆得到2个重复的编码磷脂酶D的PLDα基因,命名为BnPLDα1和BnPLDα2(GenBank登录号为KF113586和KF113587),两者核苷酸序列一致性为87.33%。对BnPLDα1和BnPLDα2编码蛋白进行序列比对分析发现,两者序列一致性为91.01%,大部分差异残基零散地分布于氨基酸全序列中,但在PLDα蛋白活性催化位点的第1个HKD基序紧邻的一段序列中,差异氨基酸残基数达到7个。此外,2个蛋白的三维结构预测结果也存在较大差异。对BnPLDα1和BnPLDα2基因进行表达分析发现,两者在生长旺盛的组织部位表达量较高;低温胁迫下BnPLDα1表达上调,而BnPLDα2表达不受影响;干旱和盐胁迫下,两者上调至最大作用时间点不同,BnPLDα1在盐胁迫信号转导中起主导作用,而BnPLDα2在干旱胁迫信号转导中起主导作用;高温胁迫下,两者表达均呈下调趋势。研究表明,BnPLDα1和BnPLDα2在甘蓝型油菜逆境防御系统中发挥作用,但表达模式的差异性可能会使两者呈现出异于原始基因的多样性功能。

拟南芥PLDα1突变体的繁殖及形态和生理特性分析

对拟南芥野生型Ws及其突变体PLDα1(phospholipase D)的种植方法和形态特征进行了比较,并研究了ABA处理对其抗氧化酶系活力和丙二醛含量的差异。结果表明,与野生型相比,突变体形态上发生了较大的变化,并表现出对ABA反应敏感性的降低。ABA处理24 h后,野生型的SOD酶和POD酶活迅速发生变化,丙二醛含量迅速升高,而突变体变化较平缓,叶绿素含量的变化相似。

计算机数字视频信号处理PLD技术应用

计算机数字视频信号处理过程,是为了解决数字视频信号处理中数据压缩、信号增强、特效添加等问题。分析发现,在计算机数字视频信号处理阶段,PLD技术根据具体需求设计和定制滤波、编码、解码、像素处理等方案,可以快速准确地进行信号处理,提高视频质量的效果。

PLDα1介导ABA调控的拟南芥主根伸长并参与根毛生长

探讨了磷脂酶Dα1(PLDα1)在ABA抑制拟南芥主根伸长过程中的作用。PLDα1基因突变体pldα1主根伸长受ABA抑制小于野生型(WT);;根系PLDα1活性在ABA处理下升高;;拟南芥根细胞原生质体中活性氧(ROS)含量在ABA处理下升高,但是pldα1升高小于WT;;根系NADPH氧化酶活性在ABA处理下升高,pldα1升高小于WT,外源加入10μmolL-1PA(磷脂酸,PLD水解产物)后,前者活性显著升高;;外源加入H2O2可诱导WT和pldα1主根伸长都受到抑制,且二者差异不明显。结果表明,PLDα1产生的PA通过激活NADPH氧化酶产生ROS介导ABA调控的拟南芥主根伸长过程。此外,初步探讨了PLDα1在拟南芥根毛尖端生长中的作用:pldα1突变体根毛长度小于WT,根毛尖端ROS和Ca2+浓度低于WT。

脉冲激光沉积(PLD)技术及其应用研究

综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理、特点,着重分析了脉冲激光沉积技术的研究现状和在功能薄膜制备中的应用前景。大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜方法之一。

衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响

在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。

枇杷幼果PLD和LOX对低温胁迫的响应

以3年生枇杷品种‘早钟6号’（Eriobotrya japonica‘Zaozhong No.6’）容器嫁接苗为试材,于0℃、-1℃、-3℃人工气候室内进行低温胁迫处理,探讨枇杷幼果细胞膜磷脂及相关酶对低温胁迫的响应机制。结果显示,在不同温度胁迫过程中,枇杷幼果磷脂酶D（PLD,EC 3.1.4.4）和脂氧合酶（LOX,EC 1.13.11.12）活性均呈上升趋势;质膜磷脂酰胆碱（PC）和磷脂酰肌醇（PI）含量因逐渐被降解而呈下降趋势,磷脂酸（PA）含量出现积累、增加,而膜结合Ca2＋含量有不同程度的降低。随处理时间的延长和处理温度的降低,枇杷幼果细胞PLD和LOX活性增幅加大,从而加速了膜PC和PI的降解和PA的积累。低温胁迫过程中幼果细胞膜PC含量的降幅大于PI,膜结合Ca2＋含量的变化与PLD和LOX活性变化呈负相关。低温胁迫下枇杷幼果细胞膜结合Ca2＋含量的减少诱导了膜脂降解酶PLD和LOX活性的提高,并导致膜结构稳定性下降,加剧了低温胁迫对膜脂的降解和脂质过氧化伤害,其中尤以-3℃胁迫处理4~6 h对幼果细胞质膜的伤害最严重。表明低温胁迫下Ca2＋·Ca M信使系统可能参与枇杷幼果细胞膜PLD和LOX活性的调控。

脉冲激光沉积(PLD)的研究动态与新发展

介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的原理、特点,详细探讨了脉冲激光沉积的研究动态和发展趋势。大量研究表明,PLD 技术是目前制备薄膜的最好方法之一。

热处理对黄瓜LOX和PLD活性的影响

为了研究冷害温度(2℃)下PLD和LOX活性的变化规律,以黄瓜为研究对象,对其进行采后38,45和52℃30 min热水处理,测定2℃贮藏期间(15 d)黄瓜的细胞膜透性、丙二醛含量、PLD活性和LOX活性。结果表明:热水处理可以抑制果实细胞膜渗透率的升高,减少低温贮藏期间丙二醛的积累,降低黄瓜低温贮藏过程中PLD及LOX的活性,且以45℃3、0 min热水处理效果最显著。

提取视震源时间函数的PLD方法及其对2005年克什米尔M_w 7.6地震的应用

通过重构用于确定视震源时间函数有效持续时间的判别函数,对提取视震源时间函数的 PLD 方法进行了改进;利用合成资料和实际资料,验证了改进后 PLD 方法的可行性和稳定性.将 PLD 方法应用于2005年克什米尔 M_w 7.6地震及具11个余震的1887条记录,在84个台站处获得了这次地震的视震源时间函数.分别平均从不同台站的 P 波、S 波、Rayleigh 波和 Love 波中得到的视震源时间函数,获取了主震的平均视震源时间函数.对视震源时间函数的分析表明,2005年克什米尔 M_w 7.6地震的持续时间大约为25 s,这是一次"急始型"地震,总体上表现为圆盘形破裂.但有迹象表明,破裂在初期有向西北方向发展的单侧传播趋势.

miR-138靶向PLD2基因对口腔癌细胞增殖、迁移的影响

目的:探讨miR-138靶向PLD2基因抑制口腔癌细胞增殖、迁移的机制。方法:口腔癌细胞转染miR-138后,采用RT-PCR检测细胞中miR-138的表达水平,MTT法检测细胞增殖能力,流式细胞术检测细胞转染miR-138后细胞周期的分布,Transwell迁移实验检测细胞的迁移能力;采用Western免疫印迹实验检测胃癌细胞MMP-9、PLD2及Cyclin D1的表达水平,采用荧光素酶报告实验分析miR-138与PLD2基因的靶向关系。采用SPSS 21.0软件包对数据进行统计学分析。结果:口腔癌细胞转染miR-138后,miR-138相对表达水平为4.28±0.16,显著高于空白对照及miR-NC组(P<0.05)。荧光素酶报告基因实验发现,口腔癌细胞转染miR-138后,PLD2野生质粒荧光素酶相对活性低于其他组(P<0.05),miR-138组的PLD2的mRNA表达水平低于空白对照及miR-NC组(P<0.05)。口腔癌细胞转染miR-138后,miR-373组的口腔癌细胞的增殖能力低于空白对照及miR-NC组(P<0.05)。流式细胞术实验发现,miR-138组的G0/G1期比例为(64.39±6.49)%,显著高于空白对照组及miR-NC组(P<0.05);miR-138组S期比例为(13.28±3.16)%,显著低于空白对照组及miR-NC组(P<0.05);各组G2/M期比例差异无统计学意义(P>0.05)。Transwell实验发现,口腔癌细胞转染miR-138后,迁移细胞数量为138.46±24.37,显著低于空白对照组及miR-NC组(P<0.05)。Western免疫印迹实验发现,miR-138组MMP-9的相对水平为0.14±0.04、Vimentin的相对水平为0.17±0.02、Cyclin D1的相对水平为0.15±0.03,均显著低于空白对照组及miR-NC组(P<0.05)。结论:miR-138可靶向调控PLD2基因表达,对口腔癌的增殖、迁移能力产生抑制作用。

PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm–1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度。ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构。

毛果杨PLD基因家族全基因组水平鉴定及其盐胁迫下的表达分析

[目的]对木本模式植物毛果杨PLD基因家族的进化中的选择压力、启动子中顺式作用元件、组织表达特性以及盐胁迫下表达模式进行分析,为挖掘PtrPLD在非生物胁迫中作用提供参考。[方法]利用拟南芥PLD基因家族蛋白序列比对得到毛果杨基因组同源基因,再经过保守结构域鉴定后确定PtrPLD基因;利用软件ClustalW和MEGA对PtrPLD和AtPLD基因的氨基酸序列进行比对和系统进化分析;利用MEME、PlantmPLoc、 ExPasy等软件工具分析PtrPLD基因及编码蛋白的特征;利用Tbtools软件分析同源基因的Ka/Ks值;利用Plantcare在线工具分析PtrPLD启动子中顺式作用元件;利用Phytozome转录组数据库以及qRT-PCR分析PtrPLD组织表达特性;利用qRT-PCR分析各组织中PtrPLD对盐胁迫响应情况。[结果]PtrPLD家族的16个基因可分为C2-PLD和PX/PH-PLD 2个亚家族,分别包含13个和3个基因;有7对旁系同源基因且它们之间的Ka/Ks均远小于1;PtrPLD家族基因启动子区含有大量非生物胁迫和激素响应元件,其中,PtrPLDδ4启动子共含有9种、20个元件;PtrPLD家族编码的蛋白均含有Motif 1~4,且同一进化分支上的基因编码蛋白序列高度保守。PtrPLD基因家族表达特性分析表明,PtrPLD家族基因在根、茎和叶中具有表达特异性,并且多数成员主要在根部表达;NaCl胁迫下,PtrPLD家族基因在根、茎和叶中表达量在0~72 h内均表现为先上升后下降再上升的变化趋势。[结论]PtrPLD家族基因在毛果杨响应盐胁迫过程中有着重要作用,本项研究对于今后PtrPLD家族基因生物学功能的鉴定与非生物逆境胁迫响应基因资源的挖掘具有推动作用。

PLD方法制备的纳米Fe/Al薄膜的结构及应力分析

采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明Fe/Al原子比为1∶1。X射线小角衍射(XRD)分析表明薄膜中的物相是Al0.5Fe0.5,Al0.5Fe0.5晶体具有简单立方结构(SC),晶格常数为0.297 nm,平均晶粒尺寸为81.74 nm,平均微畸变为0.007 6。

PLD系统中硅板加热器温度的影响因素

研究了PLD系统中用硅板做衬底加热器时影响衬底温度的几个因素。通过使用校准了的红外测温仪做温度检测元件 ,发现 :1 硅板上各部分的温度不是均匀分布的 ;2 衬底放在硅板上时 ,衬底温度和硅板温度有很大的不同 ;3 在相同的硅板加热电流下 ,硅板温度随硅板环境的真空度不同而变化。不细致考虑上述因素时 ,脉冲激光沉积 (PLD)

基于PLD器件的门控技术在微光像增强器中的应用

针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理电路和试验结果。

退火对用PLD法制备ZnO薄膜的发光影响

用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响用X射线衍射(XRD)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,ZnO薄膜的压应力减小,并向张应力转化.在不同的退火温度退火的薄膜的光致发光谱表明,随着退火温度的提高,薄膜的紫外发射逐渐增强,缺陷发射逐渐减小.在不同退火条件下的退火实验表明,在蓝宝石衬底上、氧气氛围中退火的薄膜,在700℃时呈现无应力,紫外发射强度对可见发射强度的比例最大.

高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列

采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等。通过在ZnO:Al薄膜上生长ZnO:Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO:Na纳米线具有良好的p型导电性能。

PLD法薄膜沉积条件对ZnO薄膜特性的影响

介绍了基于PLD方法制备的ZnO薄膜,在衬底温度(200-400℃)改变的情况下,分别对薄膜的表面结构和光致发光的情况做了研究,发现其相关特性并得出了制备薄膜的最佳条件。