1
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200V高压SOI PLDMOS研究 |
宋慧滨
李维聪
钱钦松
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《电子器件》
CAS
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2009 |
1
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2
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基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究 |
张恩阳
黄勇
孟令锋
代高强
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《电子与封装》
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2018 |
1
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3
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高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构 |
王靖琳
钱钦松
孙伟锋
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《电子器件》
CAS
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2009 |
2
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4
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高压PLDMOS器件的优化设计 |
肖金玉
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《电子与封装》
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2007 |
0 |
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5
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一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件 |
梁涛
杨文
何逸涛
陈钢
乔明
张波
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
1
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6
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高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究 |
黄柯月
吴中华
周淼
陈伟中
王钊
周锌
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2022 |
0 |
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7
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薄层SOI场pLDMOS击穿机理研究 |
邓晓燕
李庆
李娟
刘磊
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《重庆邮电大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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