玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究

用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光的来源除了 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫外 。

GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质

采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析 .实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀 ,且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的 .

半导体量子点光吸收谱线亚结构的PLE谱分析

用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行了测量.光吸收谱线有明显的量子尺寸效应.PL谱中出现2个发光峰.用PLE谱在光吸收谱的低能侧峰附近探测,发现光吸收谱的低能侧峰附近存在2个峰,其能量间距随着量子点半径的增大而减小,说明了光吸收谱的低能侧峰存在亚结构.证明了PL谱中低能侧峰为缺陷态发光,该峰的PLE谱线说明了该峰的发光来源于1S3/2-1se和2S3/2-1se2能态的电子,甚至更高能态电子的弛豫.