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高度(100)取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究 被引量:1
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作者 吴家刚 朱基亮 +3 位作者 肖定全 朱建国 谭浚哲 张青磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期779-781,共3页
利用射频磁控溅射技术,以PbOx为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr0.20Ti0.80)O3]n(n=1,2){筒记为[PLT/PZT]。)多层铁电薄膜,研究了层... 利用射频磁控溅射技术,以PbOx为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr0.20Ti0.80)O3]n(n=1,2){筒记为[PLT/PZT]。)多层铁电薄膜,研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出,(100)取向的PbOx,过渡层导致了[PLT/PZT]。多层铁电薄膜的(100)择优取向;高度(100)择优取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极(2Pr=31.45μC/cm)和更好的“蝴蝶”状C-V曲线。这些研究结果表明,所制备的(100)取向的[PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。 展开更多
关键词 plt/pzt 多层铁电薄膜 磁控溅射 (100)取向 电学性质
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