SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜

用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.

Si基微绝热结构PLZT厚膜红外探测器阵列

介绍了一种制备非致冷红外探测器阵列的新方法,此方法避免了使用传统的微电子机械系统(MEMS)工艺来加工微桥.研究了如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.ZnO纳米粉末和PLZT厚膜采用改进的溶胶-凝胶法制备.表征了ZnO纳米粉末的表面形貌和PLZT厚膜的相组成,测量了PLZT-8/53/47厚膜的铁电性和热释电性.结果表明,ZnO纳米粉末的粒径为40-70 nm,PLZT-8/53/47厚膜为纯钙钛矿相,其主结晶方向与底电极一致.PLZT-8/53/47厚膜具有优良的热释电性能,其热释电系数p为8.21×10-8C/(cm2·℃),而矫顽场较小,25℃时+Ec为32.0 kV/cm,40℃时+Ec仅为27.8 kV/cm.

PLZT厚膜研究

研究了用 Sol- Gel法制备 PL ZT- 7.5 /70 /30微粉的工艺 ,进行了相应厚膜的制备。探讨了微粉团聚问题及防止团聚的有关措施。由 X射线衍射分析可知 ,在 70 0°C下制备的 PL ZT- 7.5 /70 /30厚膜为纯钙钛矿相。从铁电与热释电性测量结果可知 ,纯钙钛矿相 PL ZT- 7.5 /70 /30厚膜的矫顽场 Ec在 2 8°C和 43°C下分别为 2 4.2 5k V/cm和 18.13 k V/cm ,热释电系数 p =0 .46 n C/cm2 ·°C。以上数据表明 ,PL ZT- 7.5 /70

PLZT反铁电厚膜温度场致相变行为研究

在空间通信领域,激光通信的应用愈加广泛,而其应用较多的机械式驱动构件存在偏转系统不稳定、响应时间长、精度偏低等缺点。针对此现状,研究了PLZT反铁电厚膜在外场激励作用下的相变行为特性,以期得到在满足基本要求的前提下获得更快响应速度的驱动构件。本文是对PLZT反铁电厚膜在温度场致相变行为的研究。

温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。