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PLZT(7/40/60)纳米多层膜介电特性研究
被引量:
1
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作者
余大书
焦永恒
宿杰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期658-661,共4页
经溶胶-凝胶法制备出PLZT(7,40,60)纳米多层膜,对不同温度、不同层数,不同Zr/Ti比的PLZT薄膜的介电性能用精密阻抗分析仪进行介电特性分析。结果表明:煅烧温度的提高、薄膜层数的增加、锆含量的增加等均对PLZT薄膜的相对介电常...
经溶胶-凝胶法制备出PLZT(7,40,60)纳米多层膜,对不同温度、不同层数,不同Zr/Ti比的PLZT薄膜的介电性能用精密阻抗分析仪进行介电特性分析。结果表明:煅烧温度的提高、薄膜层数的增加、锆含量的增加等均对PLZT薄膜的相对介电常数和介电损耗均有影响。频率为1kHz,750℃和锆含量为0.45时,薄膜的相对介电常数和介电损耗都最高。
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关键词
plzt
纳米薄膜
介电性能
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职称材料
题名
PLZT(7/40/60)纳米多层膜介电特性研究
被引量:
1
1
作者
余大书
焦永恒
宿杰
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期658-661,共4页
基金
天津市高等学校科学发展基金资助项目(20041022)
天津师范大学青年科研基金资助项目(52LJ39)
天津师范大学自然科学基金资助项目(5RL019).
文摘
经溶胶-凝胶法制备出PLZT(7,40,60)纳米多层膜,对不同温度、不同层数,不同Zr/Ti比的PLZT薄膜的介电性能用精密阻抗分析仪进行介电特性分析。结果表明:煅烧温度的提高、薄膜层数的增加、锆含量的增加等均对PLZT薄膜的相对介电常数和介电损耗均有影响。频率为1kHz,750℃和锆含量为0.45时,薄膜的相对介电常数和介电损耗都最高。
关键词
plzt
纳米薄膜
介电性能
Keywords
plzt(7/40/60)
nanosized nultilayer film
dielectric properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PLZT(7/40/60)纳米多层膜介电特性研究
余大书
焦永恒
宿杰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
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