PMOS剂量计的长期室温退火

为掌握ＰＭＯＳ剂量计的应用方式并提高其应用精度，研究了ＰＭＯＳ剂量计的辐照剂量记录－阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明：氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因，ＰＭＯＳ剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因素。负偏置条件能较好地保持其辐照记录，在正偏置贮存下的退火较大。

PMOS总剂量监测技术的卫星应用

利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨结果进行对比 ,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。