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题名一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路
被引量:2
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作者
师翔
崔玉旺
赵永瑞
谭小燕
张浩
贾东东
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机构
河北新华北集成电路有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
河北省移动通信用射频集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第3期198-202,222,共6页
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文摘
通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。
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关键词
pmosfet驱动器
栅源电压
电压跟随电路
多环路负反馈
低温度漂移
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Keywords
pmosfet driver
gate-source voltage
voltage following circuit
multi-loop negative feedback
low temperature drift
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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