PN结伏安特性的实验研究

介绍了验证PN结伏安关系特性实验的实验原理,并利用绘图软件Origin7.5对实验数据进行处理。结果表明,PN结的扩散电流和两端的正向电压之间满足指数关系。通过与理论公式的比较,准确地测出了玻尔兹曼常数。

PN结正向压降与温度关系实验的讨论

本文研究了PN结正向电压与温度关系实验中升温和降温、不同的升温速度对PN结正向电压的影响,实验发现:降温测量的不确定度小于升温测量结果。

O_2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响

利用磁控溅射方法在n型Si衬底上制备了NiO:Na薄膜构成异质pn结,并研究了其光电特性。实验结果表明,当O2/Ar+O2比例从0%升高到30%时,Si/NiO:Na的pn结表现出最佳整流特性,正向开启电压达到4.9V,-7V时才出现漏电流。这可能是由于NiO:Na薄膜结晶度得到改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加O2/Ar+O2比例,薄膜结晶质量转差,相应也削弱了其整流特性,这一结果得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外(UV)透射结果的充分支持。