4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了不同的温度和掺杂条件下 ,器件的击穿机理 .

PN结温度传感器及其应用

本文介绍了PN结温度传感器的生产工艺、外型结构、主要技术参数和典型应用,对使用和生产人员有一定参考作用。