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pnp型SiGe HBT的制备研究 被引量:2
1
作者 王喜媛 张鹤鸣 +3 位作者 刘道广 郑娥 张静 徐婉静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期34-36,62,共4页
从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数... 从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数为:Vcb0=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5V,β=10。 展开更多
关键词 pnp型SiGeHBT 禁带宽度 Ge组分 能带 异质结双极晶体管
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PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究 被引量:1
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作者 王喜媛 张鹤鸣 +1 位作者 戴显英 胡辉勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第6期8-11,20,共5页
在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,... 在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。 展开更多
关键词 pnp型SiGeHBT 电流增益 异质结晶体管 计算机模拟 锗组分
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在射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的确定 被引量:1
3
作者 谢国秋 程和平 《安徽师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第5期548-550,共3页
根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据.
关键词 射极偏置放大器 pnp型晶体三极管 静态工作点
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PNP型三极管内部载流子的传输过程及电流放大原理 被引量:2
4
作者 魏秀芳 张国恒 《甘肃高师学报》 1999年第2期13-15,共3页
半导体三极管按其结构可分为NPN型和PNP型两种,但现有各类书籍都只讨论了NPN型三极管的工作原理。本文针对PNP型三极管的结构讨论它的内部载流子的伟输过程及电流放大原理。
关键词 pnp型三极管 载流子 电流放大
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pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性
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作者 王喜媛 张鹤鸣 +1 位作者 戴显英 胡辉勇 《微纳电子技术》 CAS 2003年第5期6-12,共7页
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT... 在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。 展开更多
关键词 pnp型SiGe HBT GE组分分布 矩形分布 三角形分布 梯形分布 直流放大系数 特征频率
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PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算
6
作者 张鹤鸣 严北平 戴显英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期197-203,共7页
给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 。
关键词 pnp型 异质结晶体管 比接触电阻 基极接触阻抗 集总元件模
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浅谈基于51系列单片机对PNP型传感器输出的电路设计 被引量:1
7
作者 孙长明 《科技创新导报》 2013年第30期59-59,共1页
51单片机是对所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称,是一种带闪烁可编程可擦除只读存储器(FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压,高性能CMOS8位微处理器。其代表型号是ATMEL公司的AT89系列,它广泛... 51单片机是对所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称,是一种带闪烁可编程可擦除只读存储器(FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压,高性能CMOS8位微处理器。其代表型号是ATMEL公司的AT89系列,它广泛应用于工业测控系统之中。很多公司都有51系列的兼容机型推出,今后很长的一段时间内将占有大量市场。传统电气设备采用的各种控制信号,必须转换到与单片机输入接口相匹配的数字信号。用户设备须输入到单片机的各种控制信号,该文阐述的是PNP型传感器输出的开关量,通过输入电路转换成单片机能够接收和处理的信号。 展开更多
关键词 51单片机 工业 pnp型传感器
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PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑
8
作者 严北平 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期212-217,共6页
PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计... PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 pnp型 HBT NPN
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用PNP型三极管代换液晶彩电中的P沟道场效应管
9
作者 李洪臣 《家电维修(大众版)》 2013年第6期15-15,共1页
故障现象:接修一台熊猫L32A7031液晶彩电.雷击后出现三无故障,指示灯也不亮。
关键词 液晶彩电 场效应管 pnp型 P沟道 三极管 代换 三无故障 故障现象
原文传递
锗PNP型电源调整管巧代换
10
作者 庞绍华 《家电检修技术》 2002年第4期43-44,共2页
接修数台日立牌T—93U型黑白电视机,均发生同一故障现象,无光栅、无伴音的故障。该机型线路采用日本日立公司的3片HA型集成芯片和2片KC型集成芯片配合外围电路共同组成一部黑白电视机。
关键词 黑白电视机 电源调整管 pnp型 日立牌
原文传递
浅谈增强型线性稳压电路 被引量:2
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作者 周鹏 陈伟 《中国仪器仪表》 2004年第4期39-41,共3页
目前使用的线性稳压电源最大的缺陷在于转换效率比较低,通常仅为35%~60%。本文针对线性稳压电路使用的NPN型电压调整管需要较高的正向偏置电压,提出改进型的线性稳压电路,它以PNP型三极管作为电压调整管,使因电压调整管偏置电压带来... 目前使用的线性稳压电源最大的缺陷在于转换效率比较低,通常仅为35%~60%。本文针对线性稳压电路使用的NPN型电压调整管需要较高的正向偏置电压,提出改进型的线性稳压电路,它以PNP型三极管作为电压调整管,使因电压调整管偏置电压带来的电路损耗降为0,从而提高线性稳压电源的效率。 展开更多
关键词 线性稳压电路 NPN 电压调整管 pnp型三极管 偏置电压 效率 损耗
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国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 被引量:1
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作者 魏昕宇 陆妩 +6 位作者 李小龙 王信 孙静 于新 姚帅 刘默寒 郭旗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期369-374,共6页
研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad(Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总... 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad(Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。 展开更多
关键词 国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤 剂量率
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海信LED32K300型液晶彩电三无故障检修
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作者 黄宏章 《家电维修》 2019年第6期24-24,共1页
—台海信LED32K3OO型液晶彩电,雷击后三无。拆机检查,发现芯片N801炸裂,贴片电阻K847开路,贴片三极管V936炸裂。V936 c极接地,判断是PNP型。为方便维修,实绘出电源电路,如图1所示。V801换用P10NK802FP型场效应管,其S极电阻R847换用0.33Q... —台海信LED32K3OO型液晶彩电,雷击后三无。拆机检查,发现芯片N801炸裂,贴片电阻K847开路,贴片三极管V936炸裂。V936 c极接地,判断是PNP型。为方便维修,实绘出电源电路,如图1所示。V801换用P10NK802FP型场效应管,其S极电阻R847换用0.33Q/3W电阻。N801为贴片6脚IC,决定换用5A2KZE型IC。V936换用2F型贴片三极管(PNP,0.8A/60V)。另外,R844(3.9kΩ)、R843(56Ω)已烧黑,一并换新。 展开更多
关键词 液晶彩电 故障检修 300 三无 海信 贴片电阻 pnp型 电源电路
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直流电源智能化监控系统的设计实现 被引量:2
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作者 王长乾 王荣刚 杨兴 《电源技术应用》 2007年第6期74-77,共4页
提出了一种基于ATmega48单片机的智能化电源监控系统的设计方案,实现多路直流电源电流实时监控的功能。当负载出现故障时自动切断电源与负载之间连接,以保护设备。整个系统硬件部分集成了逻辑自锁电路,多路A/D采集,上、下位机之间通信... 提出了一种基于ATmega48单片机的智能化电源监控系统的设计方案,实现多路直流电源电流实时监控的功能。当负载出现故障时自动切断电源与负载之间连接,以保护设备。整个系统硬件部分集成了逻辑自锁电路,多路A/D采集,上、下位机之间通信以及主从单片机双机通信等电路模块。并且在电流实时测量原理上详细分析了过载自动保护电路。上位机使用Lab Windows/CVI虚拟仪器实现人机交互,界面友好。 展开更多
关键词 过载自动保护电路 pnp型场效应管 ATmega48单片机 差动运算放大电路
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用TIP35C代换TIP36C修复功放电路
15
作者 陈伟 《家电维修》 2017年第6期52-52,共1页
从图1中可知,TIP41C与TIP35C组成NPN型复合管,担任推挽放大上臂;TIP42C、TIP36C组成PNP型复合管,担任推挽放大下臂,完成音频信号的放大。复合三极管的组合原则,只要保证TIP42C和后面的功率管复合后保持PNP导电特性,就可以用TIP35... 从图1中可知,TIP41C与TIP35C组成NPN型复合管,担任推挽放大上臂;TIP42C、TIP36C组成PNP型复合管,担任推挽放大下臂,完成音频信号的放大。复合三极管的组合原则,只要保证TIP42C和后面的功率管复合后保持PNP导电特性,就可以用TIP35C来代换TIP36C。改动后的电路如图2所示。 展开更多
关键词 功放电路 代换 修复 推挽放大 pnp型 复合管 NPN 音频信号
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欣锐(Hs)及全汉(FsP)系列液晶电源组件常用贴片元件主要参数速查表
16
作者 张晓勇 《家电维修》 2016年第4期64-65,共2页
欣锐(HS)及全汉(FSP)系列液晶电源组件有数十种型号,既有单独的电源板组件,又有电源背光二合一组件,主要用于长虹各型液晶彩电中,右图为带阻PNP型三极管UN2111~UN2116的结构图。
关键词 电源组件 液晶彩电 贴片元件 速查表 pnp型 电源板 二合一 结构图
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模拟电子蜡烛(续篇)
17
作者 王学文 《电子制作》 2014年第10期78-78,77,共2页
上期介绍了两款模拟电子蜡烛电路,考虑到部分同学手头可能没有运放或者集成电路,图1和图2再介绍两款使用分立元件设计的实现相同功能的电子模拟蜡烛电路。图1为使用三极管制作的一款电子模拟蜡烛电路,在图3电路中,由PNP型三极管VT3... 上期介绍了两款模拟电子蜡烛电路,考虑到部分同学手头可能没有运放或者集成电路,图1和图2再介绍两款使用分立元件设计的实现相同功能的电子模拟蜡烛电路。图1为使用三极管制作的一款电子模拟蜡烛电路,在图3电路中,由PNP型三极管VT3和NPN型三极管VT4构建一只模拟可控硅电路, 展开更多
关键词 模拟电子 蜡烛 NPN三极管 集成电路 电子模拟 可控硅电路 元件设计 pnp型
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小议场效应管的驱动电路
18
作者 孔德因 《家电维修》 2016年第5期53-54,共2页
场效应管的G极和S极是绝缘的,其阻抗达数十兆欧姆,理论上驱动场效应管只需要电压不需要电流,也就是零功率驱动。但许多电路尤其是要驱动功率较大的场效应管时,在G极前面却有一个用PNP型和NPN型三极管组成的推挽推动级,例如电磁炉I... 场效应管的G极和S极是绝缘的,其阻抗达数十兆欧姆,理论上驱动场效应管只需要电压不需要电流,也就是零功率驱动。但许多电路尤其是要驱动功率较大的场效应管时,在G极前面却有一个用PNP型和NPN型三极管组成的推挽推动级,例如电磁炉IGBT管的推动电路,如图1所示。 展开更多
关键词 场效应管 驱动电路 NPN三极管 IGBT管 功率驱动 驱动功率 pnp型 推动电路
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电话机开关管的互换
19
作者 宋道海 《家庭电子》 2003年第3期32-32,共1页
本文以市场拥有量较多的HA988P/T型电话机为例,介绍脉冲开关管代换技巧。根据该电话机电路图可知:V13(2N5401)与V14(2N5551)分别为PNP、NPN型管,它们构成了脉冲开关电路。外线信号经极性转换电路整流、滤波后变换为5V直流电压。该电压... 本文以市场拥有量较多的HA988P/T型电话机为例,介绍脉冲开关管代换技巧。根据该电话机电路图可知:V13(2N5401)与V14(2N5551)分别为PNP、NPN型管,它们构成了脉冲开关电路。外线信号经极性转换电路整流、滤波后变换为5V直流电压。该电压一路经开关管V13 e极供给送、受话电路;另一路经脉冲开关电路V14 b极送至拨号电路。维修过程中遇到的“无接收、无发送、不拨号”故障原因大多在该脉冲开关电路。经常使用且容易购得的开关管的型号及代换如下: 展开更多
关键词 电话机 HA988P/T 脉冲开关管 维修 pnp型电子管
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RESEARCH ON THE ESTIMATE OF SAFETY AND TOXICITY OF P-NITROPHENOL SODIUM WITHA PHYSIOLOGICALLY BASED PHARMACOKINETICS MODEL
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作者 高强 N.Kurihara +1 位作者 H.Yanagisawa O.Wada 《Chinese Medical Sciences Journal》 CAS CSCD 1997年第1期32-36,共5页
The safety and toxicity of chemicals given first to animals and finally to humans are generally estimated with a method of safe coefficient, which is scientifically a way lack of grounds. To make a change of the old m... The safety and toxicity of chemicals given first to animals and finally to humans are generally estimated with a method of safe coefficient, which is scientifically a way lack of grounds. To make a change of the old method, we designed a Physiologically Based Pharmacokinetics Medel for the estimate of safety and toxicity of chemicais. As an example,p-nitrophenol sodium (PNP-Na) is used in the research work. Studies of the PNP-Na pharmacokinetics in bodies of rat as well as humans are made, and possibilities of making use of the Model in the estimate of safety and toxicity of chemicals are discussed. 展开更多
关键词 physiologically based pharmacokinetics model (PBPK ) p-nitrophenol sodium (pnp-Na) estimation of safety of chemical
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