VXG掺杂PPy材料的电化学性能研究

将吡咯衍生物单体(碘化N,N,N-三甲基-(2-吡咯-1-乙基))进行氧化聚合,合成水溶性聚吡咯衍生物,将该产物与V2O5溶胶混合,进行聚合物溶液插层反应,合成聚(N,N,N-三甲基-(2-吡咯-1-乙基))(PTPAI)/VXG复合薄膜。采用电化学阻抗谱(EIS)和循环伏安(CV)对其电学性能进行了测试。结果表明:该复合薄膜的等效电路为R1(Q1[R2W1]),Rs=160.215Ω,Rct=6278.86Ω,双电层电容CPE=1.73216×10-4F,离子迁移系数4.37×10-12cm2/s(-0.5V)。PTPAI提高了VXG的氧化还原电位,且出现另一个较小的氧化还原峰电位。