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GaAs掺杂超晶格的PR谱研究
1
作者
赵明山
王若桢
林振金
《曲阜师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1990年第1期52-55,共4页
本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV~1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV~3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+...
本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV~1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV~3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect).
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关键词
砷化镓
掺杂超晶格
pr谱
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职称材料
新的电调制反射谱技术及其应用
被引量:
1
2
作者
蔡加法
陈主荣
吴正云
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期969-972,共4页
提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏...
提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。
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关键词
微接触电调制反射
谱
(LCER)
光调制反射
谱
(
pr
)
量子阱
原文传递
题名
GaAs掺杂超晶格的PR谱研究
1
作者
赵明山
王若桢
林振金
机构
曲阜师大激光所
北京师范大学物理系
出处
《曲阜师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1990年第1期52-55,共4页
文摘
本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV~1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV~3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect).
关键词
砷化镓
掺杂超晶格
pr谱
Keywords
GaAs
doping superlattices
photoreflectance
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
新的电调制反射谱技术及其应用
被引量:
1
2
作者
蔡加法
陈主荣
吴正云
机构
厦门大学物理系
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期969-972,共4页
文摘
提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。
关键词
微接触电调制反射
谱
(LCER)
光调制反射
谱
(
pr
)
量子阱
Keywords
light-contact electroreflectance(LCER)
photoreflectance(
pr
)
quantum wells
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs掺杂超晶格的PR谱研究
赵明山
王若桢
林振金
《曲阜师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1990
0
下载PDF
职称材料
2
新的电调制反射谱技术及其应用
蔡加法
陈主荣
吴正云
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
原文传递
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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