基于PS/2鼠标接口单片机输入设备的实现

详细介绍了PS/2鼠标/键盘接口的工作原理。提出了基于PS/2接口的三键鼠标作为单片机输入设备的方法。该方案占用系统资源少,软硬件通用性强,简单可靠,保密性好。可满足很多实际应用的需要。

标准PS/2键盘与单片机的接口设计

针对标准的PS/2设备 ,实现了与单片机的接口 ,本文分析了PS/2键盘的接口和通讯协议 ,介绍了PS/2键盘与单片机的接口设计 ,并以 80 5 1为例 ,配合点阵LCD显示器 ,实现了PS/2键盘的输入 ,并进一步探讨了用PS 2鼠标实现嵌入式设备的图形化人机接口 (GUI)。

PS/2键盘在基于PIC单片机的远程多温度点巡检系统中的应用

提出了一种利用PS/2标准键盘代替普通矩阵键盘,实现与PIC16F876A单片机通信的人机接口方案,并成功运用于一个基于PIC单片机的远程多温度点巡检系统之中,详细讨论了该接口的硬件设计方法及其同步串行通信协议的软件实现.

PS/2接口协议解析及应用

文中详细介绍了PS/2接口协议的内容、电气特性和标准键盘的第二套键盘扫描码集。给出了基于嵌入式系统的PS/2接口的软、硬件实现方法 ,并介绍了工控PC外接双键盘的解决方案。通过使用模拟开关CD4052巧妙地解决了工控PC外接双键盘的冲突问题。

单片机实现PS/2键盘的接口设计及模块化编程

针对标准的PS/2接口,用单片机实现了键盘功能,本文分析了PS/2键盘的接口和通讯协议,介绍了单片机实现PS/2键盘的接口设计,并以AT89C52为例,配合PC机标准PS/2键盘接口,模块化编程实现了对键盘各个按键的扫描以及与PC机的通信.

FLEX10K的PS配置方式及EPC2的应用

FPGA是一种现场可编程逻辑器件。它采用CMOSSRAM制造工艺,可重复编程,可以灵活实现各种逻辑功能,因此在现代电子系统设计中有广泛应用。但同时FPGA也具有数据易失性,系统掉电以后其内部配置数据将丢失,因此需要外接ROM保存其配置数据。主要介绍了Altera系列EPF10K10器件的被动串行(PS)配置方案,并阐述了专用配置芯片EPC2应用。

串口实现PS/2键盘在单片机系统中应用

单片机专用键盘成本高、通用性差,而标准PS/2键盘技术成熟、价格低廉,可以在单片机系统中应用标准PS/2键盘,介绍了PS/2键盘接口与通信协议,提出了采用单片机串口实现键盘输入的方案,给出了硬件连接图和软件设计的C51关键代码段,实现了键盘在单片机系统中的应用。

TMS320C54x的McBSP串口与PS/2键盘接口通信设计

TI公司的 TMS3 2 0 C5 4x系列的 DSP不具有方便的人机接口。实现与 PS/2键盘的直接通信 ,无论是调试系统还是应用于实际的工程都具有一定的意义。在详细分析 Mc BSP串口的各种工作方式和 PS/2键盘协议的基础上 ,发现 PS/2键盘与主机的数据交换采用了类似于同步串口的通信协议 ,只是没有帧同步信号。研究 PS/2协议发现 ,Mc BSP串口接收数据时 ,PS/2接口的 DATA数据线的起始位可以作为 Mc BSP串口接收的帧同步信号 ;Mc BSP串口发送数据时 ,PS/2接口的CL OCK时钟线可以作为 Mc BSP串口发送的帧同步信号。从而利用了最少的硬件资源实现了同 PS/2键盘的连接。在软件上利用了 Mc BSP串口的灵活配置并采用了中断的方式节约了 CPU的软件开销。实践证明设计的通信方法是切实可行的。

PS/2模拟键盘接口在单片机中的应用

基于对PS/2接口协议和条码扫描器输出数据格式的解释,从触发方式和接收方式两个方面详细分析了PIC单片机读取条码数据的原理与实现方法,同时给出了扫描码与ASCII码的转换程序设计。在智能识别系统应用中,介绍了单片机对条码数据识别系统的一种典型应用方法。

FPGA/CPLD可编程逻辑器件的在系统配置方法

讨论了基于SRAM技术的CPLD/FPGA可编程逻辑器件的编程方法 ,并以ALTERA公司FLEX10系列器件为例 ,提出了一种利用微处理器对可编程逻辑器件进行在系统多方案配置的实用方法。该方法成本低廉、简单易行 ,能在系统复位或上电时自动对器件编程 ,不仅有效的解决了基于SRAM的CPLD/FPGA器件掉电易失性的问题 ,而且使单一芯片可以具有多种逻辑功能 ,实现了该类器件逻辑功能的在系统多方案的灵活配置。

多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究

报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。

水热腐蚀铁钝化多孔硅的湿敏特性研究

采用水热腐蚀铁钝化法在单晶硅片上生长铁钝化多孔硅(IPS)薄膜,以IPS为感湿介质制成湿敏元件。在不同湿度环境以及测试频率下,测出其电容值,得到了IPS的湿敏特性曲线。研究发现,当相对湿度从11%RH逐渐增加到95%RH的过程中,在测试频率为100Hz时,IPS湿敏元件的电容值增大幅度达1500%,电容响应时间在升湿过程和脱湿过程分别为15s和5s,并且IPS湿敏元件的温度系数在15℃到35℃的范围内较小。结果表明:IPS湿敏元件的特性包括灵敏度、响应时间以及温度系数等均优于多孔硅(PS)湿敏元件的特性。

基于LabVIEW和DSP串口的多通道电机参数采集系统

永磁同步电机广泛地应用在各种场合,为了实现对电机良好的控制,实时监测电机运行中的各参数是很有必要的。介绍一种以TI公司的TMS320F2812系列DSP作为控制器,LabVIEW串口通信为基础,将各路传感器采集的数据实时向上位机发送的方法,实现一种方便适用、成本低廉、以一个串口实现对电机各参数多通道数据进行采集的系统。实验结果表明,该方法可以满足实际使用的要求,实现了对永磁同步电机参数的实时监测,方便对电机进行更好的控制。

SESAM实现Nd:YAG激光器被动锁模研究及皮秒脉冲测量

分析了1.06μm半导体可饱和吸收镜(SESAM)结构及被动锁模基本原理,利用SESAM实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出,脉冲序列的能量为45mJ。实验上还研究了腔长对SESAM锁模效果的影响。提出一种基于迈克耳逊干涉仪的皮秒光脉冲测量方法——二次谐波自相关单次测量法,分析这种测量方法的原理并构建实验装置对SESAM被动锁模Nd:YAG激光器的皮秒激光脉冲进行测量,测得激光脉冲宽度为43.6ps。二次谐波单次测量法具有精度较高,操作简单等优点。

基于LabVIEW被动接收型串口通信数据采集系统

被动接收型串口通信的特点是下位机不断地向上位机发送数据,而上位机在不知道下位机何时发送的情况下被动接收。研究LabVIEW被动接收型串口通信的应用问题,并根据被动接收型串口通信的特点,设计2种应用于串口数据的采集系统。其中,轮询串口通信系统采用循环结构不断查询缓冲区来读取数据,为解决串口数据有时接收不全的问题,该系统先将所有的串口数据全部接收到临时文件,然后再读取临时文件,获得数据;触发串口通信系统则是通过共享变量与外界通信,改变共享变量的值来分别触发串口来获得数据,可避免因使用循环结构不断查询所有串口数据缓冲区而占用大量系统资源的问题。两系统只需设置相应串口参数即可显示、回放和实时存储由硬件采集的数据,方便以后对采集数据进行研究。实验结果表明,系统的稳定性和可靠性较高。

无源滤波器的一种实用改进方法

为了解决电力系统非线性负载的增多,导致谐波污染日益严重的问题,对目前国内外电力系统广泛采用的无源滤波器的原理及缺陷进行了研究。通过实验进行了效果比较,结果表明,在系统等效阻抗较小的情况下,工程实用的无源滤波器的效果较差。在不影响电网正常运行的前提下,用串联电抗器的方法来增大系统阻抗,可以有效地改善无源滤波器的滤波效果。

用CPLD和FLASH存储器配置FPGA

随着FPGA生产商推出更高密度FPGA器件,要求更多的配置芯片存储配置数据并配置FPGA。本文介绍了采用计算机并口下载配置数据并用CPLD、FLASH存储器组成的被动串行(PS)配置系统配置高密度FPGA的方法,其方法是用CPLD作为控制器控制FLASH存储器对高密度的FPGA进行配置,通过使用一个FLASH存储器和一个CPLD器件可代替容量有限的专用配置芯片,具有配置速度快、实现容易的特点。

基于MCU的CPLD/FPGA配置

以 Pow er PC860为例 ,结合 CPL D/FPGA的一般配置方法 ,从基本原理、硬件设计、软件操作等几个方面较详细地论述了如何利用 MCU配置 CPL D/FPGA芯片。给出了 PS配置时序、配置电路的硬件连接、配置操作过程和 CPU源程序。文末总结了该方法的优点。

基于单片机的现场可编程门阵列的配置

本文介绍了基于SRAM查找表的现场可重配置FPGA的结构和原理,及其配置方法,通过对多种配置方法的比较,提出了由单片机和EPROM存储器组成的串行配置方式。这种方式结构简单,设计保密性好,易于升级,降低设计成本。

一种新的湿法钝化多孔硅的方法

采用硫代乙酰胺的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行钝化处理,改善了多孔硅表面结构并提高了发光强度.同时研究了钝化电流,钝化温度和钝化时间等一系列因素对钝化多孔硅光致发光强度的影响.实验发现,在60℃恒温下,对样品通电流1mA/cm2,进行10min的钝化处理可以获得最强的光致发光,发光强度比初始样品发光强度增强了一个数量级.另外,通过傅立叶红外吸收谱(FTIR)以及X射线光电子能谱(XPS)测试分析,探讨了钝化处理使得多孔硅发光强度提高的原因.