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多孔结构ZnO及其电致发光性能
1
作者
高琳锋
安国斐
+1 位作者
罗春荣
赵晓鹏
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期41-44,共4页
利用Sol-gel法制备了含制孔剂P123的ZnO前驱体,通过无皂乳液聚合法和分步乳液聚合法制备了不同粒径的PS小球,采用共沉积法得到P123-PS-ZnO凝胶。高温煅烧去除有机模板剂P123和PS,从而制备出系列孔径可控的多孔ZnO电致发光材料。研究表明...
利用Sol-gel法制备了含制孔剂P123的ZnO前驱体,通过无皂乳液聚合法和分步乳液聚合法制备了不同粒径的PS小球,采用共沉积法得到P123-PS-ZnO凝胶。高温煅烧去除有机模板剂P123和PS,从而制备出系列孔径可控的多孔ZnO电致发光材料。研究表明,多孔结构可以显著改善ZnO的电致发光性能;ZnO发光强度随PS粒度的改变而改变,当使用100nm PS小球为模板时,多孔ZnO材料的相对发光强度较未使用PS模板提高了4.03倍。
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关键词
ZNO
ps多孔结构电致发光
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职称材料
多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响
被引量:
3
2
作者
杨亚军
李清山
+6 位作者
刘宪云
张宁
赵波
郑学刚
石明吉
陈达
王璟璟
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期210-213,共4页
应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较...
应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.
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关键词
多孔
硅(
ps
)
电
致发光
(EL)
光
致发光
(PL)
氧化铟锡(ITO)
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职称材料
多孔硅电致发光器件
3
作者
周亚训
《半导体杂志》
1996年第1期41-46,50,共7页
目前关于多孔硅(PS)发光特性研究已成为材料科学中的一个新热点,以电致发光器件为主攻方向的有关多孔硅的可能应用在不断报道。本文就此介绍了目前多孔硅电致发光器件的研究现状并对多孔硅发光器件在应用上存在的问题和研究方向作了一...
目前关于多孔硅(PS)发光特性研究已成为材料科学中的一个新热点,以电致发光器件为主攻方向的有关多孔硅的可能应用在不断报道。本文就此介绍了目前多孔硅电致发光器件的研究现状并对多孔硅发光器件在应用上存在的问题和研究方向作了一些讨论。
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关键词
多孔
硅
电
致发光
器件
发光
特性
ps
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职称材料
光电化学刻蚀n^+-Si的电致发光
4
作者
李国铮
张承乾
杨秀梅
《电化学》
CAS
CSCD
1997年第2期154-159,共6页
n+-Si在HF水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅(PS)具有较好的电致发光(EL)性能,其发光光谱的波长范围约在500~800nm之间,阴极EL的波长和强度均随调制电位可逆变化;在酸性溶液中,发光强度较大,光...
n+-Si在HF水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅(PS)具有较好的电致发光(EL)性能,其发光光谱的波长范围约在500~800nm之间,阴极EL的波长和强度均随调制电位可逆变化;在酸性溶液中,发光强度较大,光淬灭过程也较中性溶液为慢.与n--Si的结果类似,PS的制备电位也决定性地影响着EL的强度.光淬灭前的伏安行为表明,除S2O2-3和H+还原外,可能还涉及PS表面化合物的转化.对能带图进行了讨论.
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关键词
刻蚀
多孔
硅
电
致发光
光淬灭
ps
光
电
化学
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职称材料
题名
多孔结构ZnO及其电致发光性能
1
作者
高琳锋
安国斐
罗春荣
赵晓鹏
机构
西北工业大学理学院智能材料实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期41-44,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60778042)
863计划资助项目(2007DP020001)
文摘
利用Sol-gel法制备了含制孔剂P123的ZnO前驱体,通过无皂乳液聚合法和分步乳液聚合法制备了不同粒径的PS小球,采用共沉积法得到P123-PS-ZnO凝胶。高温煅烧去除有机模板剂P123和PS,从而制备出系列孔径可控的多孔ZnO电致发光材料。研究表明,多孔结构可以显著改善ZnO的电致发光性能;ZnO发光强度随PS粒度的改变而改变,当使用100nm PS小球为模板时,多孔ZnO材料的相对发光强度较未使用PS模板提高了4.03倍。
关键词
ZNO
ps多孔结构电致发光
Keywords
zinc oxide, polystyrene, porous structure, electroluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响
被引量:
3
2
作者
杨亚军
李清山
刘宪云
张宁
赵波
郑学刚
石明吉
陈达
王璟璟
机构
曲阜师范大学物理工程学院
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期210-213,共4页
基金
山东省自然科学基金(Y2002A09)资助
文摘
应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.
关键词
多孔
硅(
ps
)
电
致发光
(EL)
光
致发光
(PL)
氧化铟锡(ITO)
Keywords
Porous silicon, Electroluminescence, Photoluminescence, Indium tin oxide
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
多孔硅电致发光器件
3
作者
周亚训
机构
宁波大学物理系
出处
《半导体杂志》
1996年第1期41-46,50,共7页
文摘
目前关于多孔硅(PS)发光特性研究已成为材料科学中的一个新热点,以电致发光器件为主攻方向的有关多孔硅的可能应用在不断报道。本文就此介绍了目前多孔硅电致发光器件的研究现状并对多孔硅发光器件在应用上存在的问题和研究方向作了一些讨论。
关键词
多孔
硅
电
致发光
器件
发光
特性
ps
Keywords
Porous Silicon, Electroluminescent Device
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光电化学刻蚀n^+-Si的电致发光
4
作者
李国铮
张承乾
杨秀梅
机构
山东大学化学系
出处
《电化学》
CAS
CSCD
1997年第2期154-159,共6页
基金
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室资助
文摘
n+-Si在HF水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅(PS)具有较好的电致发光(EL)性能,其发光光谱的波长范围约在500~800nm之间,阴极EL的波长和强度均随调制电位可逆变化;在酸性溶液中,发光强度较大,光淬灭过程也较中性溶液为慢.与n--Si的结果类似,PS的制备电位也决定性地影响着EL的强度.光淬灭前的伏安行为表明,除S2O2-3和H+还原外,可能还涉及PS表面化合物的转化.对能带图进行了讨论.
关键词
刻蚀
多孔
硅
电
致发光
光淬灭
ps
光
电
化学
Keywords
n + Si, Etching, Porous Silicon, Electroluminescence, Quenching
分类号
O646 [理学—物理化学]
O613.72 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔结构ZnO及其电致发光性能
高琳锋
安国斐
罗春荣
赵晓鹏
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
2
多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响
杨亚军
李清山
刘宪云
张宁
赵波
郑学刚
石明吉
陈达
王璟璟
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
下载PDF
职称材料
3
多孔硅电致发光器件
周亚训
《半导体杂志》
1996
0
下载PDF
职称材料
4
光电化学刻蚀n^+-Si的电致发光
李国铮
张承乾
杨秀梅
《电化学》
CAS
CSCD
1997
0
下载PDF
职称材料
已选择
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