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平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
1
作者
徐建成
刘澎
陈定钦
《分析测试技术与仪器》
1996年第1期57-60,共4页
采用“夹层结构”的方法制作平面型Gunn畴雪崩器件的n型GaAs外延材料,以及低温(420℃~450℃)淀积SiO2的原理、工艺条件和可控硅电路.
关键词
低温
淀
积
畴雪崩器件
二氧化硅
psg淀积
下载PDF
职称材料
题名
平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
1
作者
徐建成
刘澎
陈定钦
机构
首都师范大学物理系
出处
《分析测试技术与仪器》
1996年第1期57-60,共4页
文摘
采用“夹层结构”的方法制作平面型Gunn畴雪崩器件的n型GaAs外延材料,以及低温(420℃~450℃)淀积SiO2的原理、工艺条件和可控硅电路.
关键词
低温
淀
积
畴雪崩器件
二氧化硅
psg淀积
Keywords
Deposit at low temperature
SiO_2
Domain avalanche device
Sandwich structure
分类号
TN304.052 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
徐建成
刘澎
陈定钦
《分析测试技术与仪器》
1996
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