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PSG膜中含磷量对晶体管放大倍数的影响
1
作者 陈杰 竺树声 戴文战 《半导体杂志》 1998年第4期26-29,共4页
本文研究了以低压化学气相淀积方法生长ＰＳＧ表面钝化膜中磷的含量对横向ＰＮＰ管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向ＰＮＰ管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到ＰＳＧ膜中含磷量为４... 本文研究了以低压化学气相淀积方法生长ＰＳＧ表面钝化膜中磷的含量对横向ＰＮＰ管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向ＰＮＰ管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到ＰＳＧ膜中含磷量为４Ｗｔ．％。 展开更多
关键词 psg膜 LPCVD 磷含量 放大倍数 集成电路
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PSG膜的潜力
2
作者 张佐兰 《电子工艺技术》 1990年第4期13-17,31,共6页
PSG膜是最早应用于半导体器件的表面钝化技术,随着电子工业的发展,逐渐应用于掺杂技术和表面平坦化技术,本文对这三方面的应用作简要分析。
关键词 半导体器件 表面纯化 psg膜
全文增补中
PSG膜钝化技术的最佳设计
3
作者 张佐兰 《电子器件》 CAS 1991年第1期51-54,50,共5页
半导体表面钝化方法很多,但使用最广泛的是PSG膜.本文将着重讨论PSG膜钝化机理、膜的厚度及其磷含量的设计和控制.
关键词 半导体 表面纯化 psg膜 磷含量
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FTIR光谱测定PSG膜中磷含量标定曲线及定量分析研究
4
作者 何秀坤 刘忠 《半导体杂志》 1989年第2期11-13,10,共4页
关键词 FTIR 测定 psg膜 定量分析 磷
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用于新型亚微米存储器间隙充填和平面化的低温亚压CVD(SACVD)USG/PSG工艺
5
《微电子技术》 1994年第5期44-45,共2页
关键词 亚微米存储器 USG膜 psg膜 化学汽相沉积
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