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PSN,PSLN压电陶瓷结构与介电性能研究 被引量:1
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作者 崔万秋 张丛春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期372-374,共3页
通过固相反应烧结法制备了PSN、PSLN陶瓷,对样品进行XRD分析,发现有超晶格衍射峰,说明B位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况,发现介电常数表现出明显的频率色散性,相变为弥散相变,但Tm... 通过固相反应烧结法制备了PSN、PSLN陶瓷,对样品进行XRD分析,发现有超晶格衍射峰,说明B位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况,发现介电常数表现出明显的频率色散性,相变为弥散相变,但Tm随频率变化不大。PSLN四元系的Tm较三元系PSN低。 展开更多
关键词 PSN psln 介电性能 DPT相变 压电陶瓷
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