基于多边形孔隙结构模型的砂岩储层总孔隙度预测方法

结合规则多边形孔隙结构(PSP)模型、自适应(SCA)模型和Gassmann方程,提出基于多边形孔隙结构模型的岩石总孔隙度预测方法。该方法将砂岩中的孔隙等效为由三角形、四边形孔隙和裂缝状孔隙的组合,通过岩心薄片镜下分析统计获得3种孔隙的体积比,由纵波速度和孔隙结构计算岩石的总孔隙度。实验室测量和测井数据试算结果显示该方法预测的砂岩孔隙度精度高于常规方法。在此基础上将该方法应用于地震资料,计算结果与测井资料较为吻合。这些实例证实该方法能有效应用于砂岩储层总孔隙度预测。

一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型

描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线。

基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进

针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSPI-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义。

尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化

通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能。

MOSFET集约模型的发展

MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Qi和表面势Φs这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征。

适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取

通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较表明该衬底电阻网络和相应的参数提取方法能精确预测器件的输出性能,模型精度确保使用频率可以达到20GHz以上.

区域旅游发展的生态安全系统分析--以内蒙古自治区四子王旗为例

旅游发展有时会给目的地带来负面影响,为了诊断其整体发展水平,采用"压力―状态―响应"框架模型,以内蒙古自治区四子王旗为例,来分析区域旅游生态系统的安全状态。从旅游生态环境压力、旅游生态环境质量和旅游生态环境保护整治及建设能力3个方面来考虑,根据层次分析法原理及各评价指标间的相互关系,构建层次结构模型,和23个指标。经过对评价指标不安全指数值的计算和标准值的确定以及指标权重值的确定,再利用各指标的不安全度公式和总体生态系统不安全度公式计算出旅游生态系统处于较不安全状态,并讨论了甄别各因子对生态系统的限制程度的方法,对区域旅游发展的生态系统安全分析具有现实意义。