FPGA与PSRAM的CMOS图像采集系统设计

为了解决SRAM容量小、体积大、价格高的问题,在芯片的设计中通常会限制SRAM的面积大小,而作为替代方案的DRAM又存在速度慢和接口复杂等问题,无法满足复杂需求。本文提出一种采用FPGA的PSRAM进行图像采集与显示方案。通过拼接CMOS接收到的数据并将其缓存到PSRAM中,最后由USB2.0传输至上位机实现图像采集、实时显示功能。经过FPGA的板级调试,该设计可以实现对数据的缓存、显示功能,且具有体积小、接口简单和容量大的优点。

基于AHB总线的串行PSRAM高速访问设计

随着信息科技的发展,需要缓存大量的数据,IoT芯片内部的SRAM存储资源需求也逐渐变大。SRAM价格较高、容量相对较小,在芯片设计中会限制SRAM的面积,而PSRAM存储技术正好弥补这些不足,使其得到广泛应用。由此,本文设计了基于AHB的串行PSRAM高速访问方案,可实现对SQPI接口的PSRAM不同模式的控制,高效的完成读写操作。该设计经过了仿真验证以及FPGA验证测试,可实现对PSRAM的访问需求。

Flash和PSRAM结合构成的高密度低功耗新型随机存取存储器

新型MCP产品IS75V16F64GS16和IS75V16F64GS32是将64Mbit NOR-type Flash和16 Mbit/32 Mbit的PSRAM相结合所构成的高密度、低功耗随机存取存储器。这种先进的存储器解决方案是专门针对移动通信要求高性能、低功耗和小电路板的应用而开发的。

美光推出128Mb脉冲PSRAM样片

美光科技(Micron Technologies)公司宣布开始提供1．5版脉冲CellularRAM器件样品。该样片为美光首次提供的128Mb脉冲拟静态RAM(pseudo-static ram，PSRAM)，它采用美光的6F2阵列结构制造。

05年SRAM市场将达27亿美元,PSRAM开始取代异步SRAM

据市场调研公司Semico Research最近发表的研究报告，Pseudo SRAM（PSRAM）的市场不断扩大。PSRAM的DRAM单元含有一个晶体管，而典型的SRAM单元含有六个晶体管。DRAM架构使PSARM比低功耗6晶体管SRAM（6TSRAM）具有一些优势，即尺寸较小和价格具有竞争力。占总体SRAM市场90％的厂商目前正在生产PSRAM。

手机用PSRAM获得发展动力——日本供应商共同支持新型存储器技术,异步SRAM是否会过时?

在用于无线手机的下一代流行存储器技术的投标中,几家主要的日本芯片厂商联合起来共同支持用于伪随机存取存储器(PSRAM)的通用标准。富士通美国微电子公司、NEC 电子公司及东芝公司共同宣布,他们已达成一项通用 PSRAM

Spansion挤走Intel成老大，联手奇梦达力推PSRAM

手机NOR闪存供应商Spansion在2006年市场销量大增，在全球无线手机闪存市场份额上压倒Intel居于领先地位，并提升了其在全球闪存市场的排名。Intel由于产量的限制去年增长率仅为s．1％，折合16亿美元。Spansion是2005年12月从AMD剥离出来的，去年其全球手机闪存市场占有率已达29．9％

基于FPGA的PSRAM图像缓存结构的设计

近年来由于信息通信技术的高速发展,面对海量的数据,其存储对设备硬件和处理方式、方法都提出了更高的要求,各种新的技术不断地涌现,为数据的存储和处理提供了许多新的方法。分析传统图形缓存设计模式,设计了一种利用FPGA和新型存储器件PSRAM来实现数据缓存结构的新模式,为图像数据的处理和存储提供一种新的可行的方式。该方法具有结构简单、处理速度快等特点,具有一定的推广和应用价值。

一种面向数据密集型应用的并行程序执行模型

随着各领域需要处理的数据量越来越大,数据密集型应用也变得越来越被重视.该文提出一种包含数据访存层次和访存冲突等信息的新并行程序执行模型PSRAM(h).针对数据密集型应用以访存为主的特点,PSRAM(h)模型将程序执行时间简化为访存时间,通过分析各程序子段的访存层次和数量来预测串行程序的执行时间,进而通过使用各线程执行时间的最大值来预测并行程序的执行时间.使用PSRAM(h)模型下对最典型的数据密集型应用矩阵向量乘进行分析,在龙芯3A处理器和Intel Xeon E5520处理器两个平台上的测试结果表明,PSRAM(h)模型分析结果与实测结果大部分情况下误差小于20%.由此可见,针对数据密集型应用,PSRAM(h)不但可以给出程序执行时间的下限,还可以有效的预测程序的执行时间.

面向管理支撑系统的一种系统需求分析模式

需求分析的核心问题是如何正确地将业务需求转化为系统要求,分析模式是解决该问题的一种非常重要的手段。通过对管理类业务及其支撑系统的特征分析,以及对需求分析过程中涉及的相关实体概念及其关系的抽象,提出了面向管理支撑系统的一种系统需求分析模式PSRAM,为需求分析提供了一个通用的、可扩展的参考结构。最后,以PSRAM在ERP系统规划中的应用实例进行说明。

基于NiosⅡ软核的图像采集转发装置

随着遥测遥感采集技术的迅速发展,大批量采集数据的有效传输已经成为当前无线遥测领域研究的热点问题,本设计基于NiosⅡ软核技术,能够同时完成两路最高速度不大于240Mbps的LVDS图像数据的解码、接收,并将数据缓存到由两片16位PSRAM并联形成的缓存模块中,并且通过一路PCM信号进行转发,码率大小为1.26MHz,测试结果表明系统工作稳定,性能可靠,具有一定的实用性。

基于伪静态存储器的设计

伪静态（Pseudostatic）存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作。

Semico：sRAM市场全年将保持平稳

Semico调研公司的调查显示，SRAM市场第二季度的单位出货量较第一季度增长了将近6％，收入增长了1％。调研公司同时指出，市场的恢复源于PSRAM及蜂窝电话市场强劲的需求。

PISMO顾问委员会宣布推出PISMO 2．0规范

致力于简化系统级存储设备的验证和测试的业界组织PISMO顾问委员会宣布．PISMO2.0标准已通过审批。利用这个新规范版本．设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种样储设备。目前．该标准已经能够支持同步DRAM（SORAM），双倍数据速率（DDR）和DDR2，NAND，Spansion MirrorBit ORNAND闪存、DiskonChip、OneNAND以及串行外设接口（SPI）存储器。该规范以前为NOR闪存、SRAM和pSRAM定义了一个接口。

ST推出90nm工艺的512Mbit闪存子系统

意法半导体（ST）日前推出了新一代手机专用的NOR闪存子系统。新产品在一个装内整合了256Mbit和512Mbit单片NOR闪存及伪静态随机存取存储品（PSRAM）或小功率同步动态随机存取存储品（LPSDRAM）。它们专为第三代手机应用设计，采用90nm工艺开发制造，代码执行速度更快、价格更低廉。

基于伪静态存储器的设计

伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器及铁电随机存储器（FRAM）。本文所描述的技术与电路可用于设计伪静态存储器，可直接替代静态存储器。通过移动电话中PSRAM的快速采用，及从BBSRAM向FRAM的持续迂移。