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(1-x)PST-xPZT弛豫铁电陶瓷的介电与压电性能研究
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作者 蓝德均 肖定全 +3 位作者 陈异 乐夕 余小燕 朱建国 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期50-53,共4页
利用高纯原料,先合成钨锰矿型ScTaO4先驱体,再与其它氧化物混合成形后,在1200~1300℃下烧结制备了(1-x)PST-xPZT(简写为PSTZT)弛豫铁电陶瓷.X射线衍射测试表明PSTZT陶瓷为钙钛矿相结构.随烧结温度和PZT掺入量的不同,PSTZT陶瓷中钙钛矿... 利用高纯原料,先合成钨锰矿型ScTaO4先驱体,再与其它氧化物混合成形后,在1200~1300℃下烧结制备了(1-x)PST-xPZT(简写为PSTZT)弛豫铁电陶瓷.X射线衍射测试表明PSTZT陶瓷为钙钛矿相结构.随烧结温度和PZT掺入量的不同,PSTZT陶瓷中钙钛矿相的含量有所变化.PSTZT铁电陶瓷具有明显的弥散型介电响应特征,其介电系数εr,压电常数d33等随PZT掺入量增大而呈现上升趋势,随烧结温度的升高而有所增加.阻抗分析表明PSTZT陶瓷没有明显的晶界相存在.讨论了PZT掺杂对PSTZT陶瓷性能影响的机理. 展开更多
关键词 pstzt陶瓷 先驱体法 弛豫铁电体
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(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)弛豫铁电陶瓷的制备工艺及其性能
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作者 张雪峰 蓝德均 +2 位作者 欧俊 邹敏 朱建国 《桂林工学院学报》 CAS 北大核心 2008年第1期74-77,共4页
利用短时研磨(粗磨,2 h)和长时研磨(细磨,48 h)两种不同的研磨工艺并结合B位复合陶瓷制备的一步法工艺流程,制备并研究了铅基钙钛矿弛豫铁电陶瓷(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)(PSTZT)。由细磨工艺制备的陶瓷... 利用短时研磨(粗磨,2 h)和长时研磨(细磨,48 h)两种不同的研磨工艺并结合B位复合陶瓷制备的一步法工艺流程,制备并研究了铅基钙钛矿弛豫铁电陶瓷(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)(PSTZT)。由细磨工艺制备的陶瓷在1 200℃下烧结2 h获得了纯钙钛矿相;细磨工艺PSTZT陶瓷表面平整、晶粒细小、致密性高,其介电与压电性能、热释电性能等全面优于粗磨工艺陶瓷。 展开更多
关键词 细磨工艺 pstzt陶瓷 纯钙钛矿陶瓷
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