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一种新型的无电阻实现的带隙电压基准源 被引量:2
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作者 赵玉姣 岳素格 边强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第8期180-183,187,共5页
设计了一种新的采用0.35μm全数字工艺实现的无电阻的带隙基准电压源。该电路结构引入了差分放大器,以此来产生正比于温度的电压量,同时放大器减小了电路中由电源电压及温度变化所产生的镜像电流的误差,进一步提高了电路电源抑制比... 设计了一种新的采用0.35μm全数字工艺实现的无电阻的带隙基准电压源。该电路结构引入了差分放大器,以此来产生正比于温度的电压量,同时放大器减小了电路中由电源电压及温度变化所产生的镜像电流的误差,进一步提高了电路电源抑制比,降低了无电阻基准电压源的温度系数。Spice仿真结果表明,该电路结构具有较高的电源抑制比和低的温度系数:在电源电压从2.4V变化到5.0V时,输出电压波动小于9mV;在-25℃~125℃温度变化范围内,电压输出的最大变化量为±5.5mV。 展开更多
关键词 无电阻带隙基准源 差分放大器 全数字工艺 自偏置电路 ptat电压
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一种电流模基准源的高阶补偿方法
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作者 谭春玲 《电气电子教学学报》 2008年第2期49-51,共3页
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。与传统的补偿方法不同,本文提出的方法利用电流对温度的不同依赖性,先进行高... 本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。与传统的补偿方法不同,本文提出的方法利用电流对温度的不同依赖性,先进行高阶补偿,然后再进行一阶补偿。使用这种高阶补偿方法设计了一个CMOS电流模高阶补偿基准,它不使用双极器件,从而明显改善基准电路的性能;同时也不使用运放,因此也不存在失调电压的影响。理论和模拟结果均表明,本文提出的补偿方法是可行的。 展开更多
关键词 ptat电压 亚阈值区 电流模 高阶补偿
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A CMOS Voltage Reference Based on V_(GS) and ΔV_(GS) in the Weak Inversion Region
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作者 夏晓娟 谢亮 孙伟锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1523-1528,共6页
A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJT... A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJTs) are used. The proposed voltage reference uses a current-mode topology by summing a PTAT current and a CTAT current into a re- sistor to generate the required reference voltage. It can also provide more than one reference voltage output, which is quite suitable for systems requiring many different reference voltages simultaneously. The occupied chip area is 0. 023mm^-2 . The operation supply voltage is from 2.5 to 6V, and the maximum supply current is 8.25μA. The designed three different out- puts are respectively about 203mV, 1.0V, and 2.05V at room temperature when the supply voltage is 4V. The circuit achieves a temperature coefficient of 31ppm/℃ in the temperature range of 0 to 100℃ and an average line regulation of ± 0. 203%/V. The voltage reference has been successfully applied in a white LED backlight driver chip. 展开更多
关键词 CMOS voltage reference CTAT current ptat current temperature coefficient weak inversion region
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