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BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展
被引量:
9
1
作者
祝炳和
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期21-27,30,共8页
综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后...
综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后还需进一步研究的方面。
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关键词
钛酸钡
ptc现象
晶界
畴结构
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职称材料
题名
BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展
被引量:
9
1
作者
祝炳和
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期21-27,30,共8页
文摘
综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后还需进一步研究的方面。
关键词
钛酸钡
ptc现象
晶界
畴结构
Keywords
BaTiO3
ptc
phenomena
grain boundary
domain structure
分类号
TN373 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展
祝炳和
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2003
9
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