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BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展 被引量:9
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作者 祝炳和 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期21-27,30,共8页
综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后... 综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后还需进一步研究的方面。 展开更多
关键词 钛酸钡 ptc现象 晶界 畴结构
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