聚乙烯吡咯烷酮修饰的CdS纳米晶:多元醇合成、表征和可见光活性(英文)

采用溶剂热法合成了具有不同晶粒尺寸的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的CdS纳米晶,并运用XRD,N2物理吸附,TEM,IR,UV-Vis等手段进行表征。结果表明,所制得的样品均为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的CdS纳米晶;添加四甲基氢氧化铵(TMAH)有利于获得晶粒尺寸较小的CdS纳米晶;受纳米晶粒尺寸的影响,CdS纳米晶的吸收边发生蓝移且可见光催化活性明显提高。

表面修饰纳米CdS制备中两个重要影响因素及结构表征

利用溶胶-凝胶法制备了PVP表面修饰的CdS纳米晶粒。考察了影响纳米CdS制备的两个重要因素Cd2+/S2-和PVP,及其作用机理。确证表面过剩S2-和PVP在反应体系中的作用是在较高浓度下制备纳米CdS的两个重要因素,进一步确定了PVP的最佳用量。通过TEM、ED、XRD、FT-IR等手段对合成的纳米粒子进行了结构表征,最小粒径为7～10nm,闪锌矿构型,粒子大小及形貌可通过改变Cd2+/S2-及反应物浓度来控制。最后给出了CdS/PVP纳米晶粒的结构模型。

8-羟基喹啉修饰玻璃基质中CdS纳米粒子的制备及性质

采用溶胶凝胶法制备了8羟基喹啉修饰的CdS-SiO2复合材料并用多种谱学方法进行了表征,比较了修饰前后的荧光发射光谱.发现没有修饰的CdS-SiO2复合材料只产生激子荧光发射峰,用8羟基喹啉修饰后,激子荧光发射峰和表面态荧光发射峰都能产生,这为非线性光学玻璃的改性提供了一个新的思路.

硫脲表面修饰的ZnS∶Cd纳米晶的合成及表征

采用硫脲做为表面修饰剂,合成了硫脲表面修饰的掺杂Cd2+的ZnS纳米晶(ZnS∶Cd/SC(NH2)2),用X射线粉末衍射、透射电子显微镜、红外光谱以及荧光光谱等手段进行了表征.实验结果表明,Cd2+掺入了ZnS纳米晶中,硫脲分子中的S原子与该纳米晶表面的金属离子存在配位作用,ZnS∶Cd/SC(NH2)2纳米晶为分散性较好、平均粒径7 nm的球形粒子且具有良好的荧光性质.

纳米硫化镉制备条件对光催化活性的影响

以光降解苯酚溶液为探针反应 ,考察了 [Cd2 + ]/ [S2 -]、表面过剩S2 -和表面修饰剂PVP等纳米硫化镉(CdS)晶粒制备条件对其光催化活性的影响。结果表明 ,在Cd2 + ,S2 -浓度较低时 ,无论PVP是否存在 ,[Cd2 + ]/[S2 -]的不同均不影响光催化活性 ;当表面无过剩S2 -时 ,不加PVP的样品光催化活性优于加入PVP的样品 ;当表面有过剩S2 -但无表面修饰剂PVP时 ,光催化活性的差异主要由过剩S2 -浓度不同引起的 ,过剩S2 -浓度越高样品的光催化活性越低 ;当表面有过剩S2 -时 ,样品光催化活性的差异不仅与过剩S2 -浓度有关 ,还与PVP存在与否有关。此外 ,总结了光催化活性最佳时CdS催化剂的制备条件。