分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究

尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、ＰＬ光谱等进行了检测和分析。