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分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究
被引量:
3
1
作者
钱永彪
桑文斌
+3 位作者
王林军
史伟民
闵嘉华
吴汶海
《红外技术》
CSCD
北大核心
1998年第6期17-21,16,共6页
尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高x值(x=0.04~0.60)Cd1-xZnxTe晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了Cd源和CdZn合金温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶体...
尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高x值(x=0.04~0.60)Cd1-xZnxTe晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了Cd源和CdZn合金温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、PL光谱等进行了检测和分析。
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关键词
pvt生长
核探测器
红外光学材料
晶体
生长
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职称材料
题名
分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究
被引量:
3
1
作者
钱永彪
桑文斌
王林军
史伟民
闵嘉华
吴汶海
机构
上海大学嘉定校区无机材料系
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
1998年第6期17-21,16,共6页
基金
国家自然科学基金
上海市教委发展基金
文摘
尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高x值(x=0.04~0.60)Cd1-xZnxTe晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了Cd源和CdZn合金温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、PL光谱等进行了检测和分析。
关键词
pvt生长
核探测器
红外光学材料
晶体
生长
Keywords
CdZnTe
pvt
Bridgeman method
分类号
TN213.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究
钱永彪
桑文斌
王林军
史伟民
闵嘉华
吴汶海
《红外技术》
CSCD
北大核心
1998
3
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职称材料
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