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[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案
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《世界电子元器件》
2017年第12期76-79,共4页
ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器....
ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.本文介绍了PWD13F60主要特性,框图,典型应用电路图,以及评估板EVALPWD13F60主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.
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关键词
功率驱动器
评估板
电路图
T
pwd13f60
PWD
高密度
MOSFET
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职称材料
题名
[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案
1
出处
《世界电子元器件》
2017年第12期76-79,共4页
文摘
ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.本文介绍了PWD13F60主要特性,框图,典型应用电路图,以及评估板EVALPWD13F60主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.
关键词
功率驱动器
评估板
电路图
T
pwd13f60
PWD
高密度
MOSFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案
《世界电子元器件》
2017
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