期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案
1
《世界电子元器件》 2017年第12期76-79,共4页
ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.... ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.本文介绍了PWD13F60主要特性,框图,典型应用电路图,以及评估板EVALPWD13F60主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图. 展开更多
关键词 功率驱动器 评估板 电路图 T pwd13f60 PWD 高密度 MOSFET
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部