PZN-BZN和PZN-BT陶瓷介电性能研究

制备了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PZN-BZN)和Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-BaTiO_3(PZN-BT)两类PZN基弛豫型铁电陶瓷,系统地研究了它们的介电性能以及热处理工艺对其介电性能的影响。合成出具有100％钙钛矿相的0.9PZN-0.1BZN陶瓷,其最大介电常数为6160(1kHz)。对比这两个系统的介电性能发现,PZN-BT系中隐含的BZN组分对陶瓷性能有着重要影响。退火热处理能显著提高PZN基陶瓷相变温度附近的介电常数,但对样品的相变扩散和介电弛豫现象没有明显影响。

弛豫铁电体中激活能的讨论

从德拜弛豫理论出发 ,通过介电温度谱得到弛豫时间温度谱 ,由此计算弛豫铁电体的弛豫激活能Q和指数前因子τ0 .计算得Pb(Sc0 5Ta0 5)O3(PST)单晶 (有序度S =0 35) ,PST陶瓷 (S=0 4 0 ) ,0 85Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3 0 15BaTiO3(PZN BT)陶瓷 ,0 93Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3 0 0 7PbTiO3(PMN PT)陶瓷 4种典型弛豫铁电体的激活能Q分别为 0 50 ,0 38,0 4 3,0 73eV ,与频率无关 .各试样的指数前因子τ0 则与频率有关 ,显示弛豫铁电体的弛豫特性并非来源于激活能Q的分布 ,而是来源于指数前因子τ0

PMN和PZN基复相陶瓷的制备及其介电温度稳定性的研究

以 PZN基和 PMN基粉体为起始组元 ,采用两相混合烧结法成功地制备了两相共存的复相陶瓷。介电性能测试结果表明 ,复相陶瓷的室温介电常数为 5 377(1k Hz) ,其介电温谱在 - 15℃～ + 90℃温度范围内相当平坦 ,介电温度稳定性大幅度提高。据键价理论讨论了复相陶瓷的设计和组成控制。并初步探讨了复相陶瓷提高介电温度稳定性的机制。

PZN—BT系统的相变温度与纳米结构

由两个铁电体所组成的固溶体的平均相变温度通常都处于这两个铁电体的相变温度之间．然而，Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＢＴ）的平均相变温度却呈现出明显不同的变化规律．随着ＢＴ含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ的平均相变温度迅速下降．本文从化学组成复杂的系统中存在着纳米分相的假设出发，提出在ＰＺＮ－ＢＴ系统中存在着以Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３为主的顺电微区．采用热力学的方法，解释了ＰＺＮ－ＢＴ系统的相变温度的反常下降．

MgF_2·SrF_2掺杂PZN－BT陶瓷

适量掺入ＭｇＦ_２·ＳｒＦ_２有效地降低了０．８５ＰＺＮ（Ｐｂ（Ｚｎ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３）－０．１５ＢＴ（ＢａＴｉＯ_３）材料的烧结温度并得到了介电常数－温度特性接近于Ｘ７Ｒ特性标准的瓷料。在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发，用超顺电态的概念来描述。

X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究

以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55^+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。

PZN－PT－BT铁电陶瓷反应动力学

本文用高温ＸＲＤ研究了ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ系铁电陶瓷在相界附近化学反应过程及反应动力学，研究结果表明该系材料首先生成焦绿石相，提高烧洁温度和延长烧结时间，可形成钙钛矿结构，但仍有少量焦绿石相。

改进的工艺路线制备化学计量比的PZN基钙钛矿陶瓷(英文)

采用改进的工艺路线制备了化学计量比的Pb(Zn1／3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3陶瓷,二氧化钛和碳酸钡不经过预烧,与预反应粉体混合球磨,成型后直接烧结,在1100℃和1120℃分别保温1 h,2 h,4 h获得了100％钙钛矿结构的PZN-PT-BT陶瓷,最大密度7．418 g／cm3,最大介电常数7672。

铈掺杂对0.70PZN-0.15PT-0.15BT压电陶瓷结构与电性能的影响

采用两步合成法制备了CeO2掺杂Pb1-xCex/2(Zn1/3Nb2/3)0.70Ti0.3Ba0.15O3(0.70PZN-0.15PT-0.15BT-x,x=0.00,0.02,0.04,0.06)压电陶瓷,研究了铈含量变化对0.70PZN-0.15PT-0.15BT-x压电陶瓷材料相结构及其相关电性能的影响.随CeO2含量增加,居里温度升高,当x=0.04时,其压电系数d33达到225pC/N.