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Co、Sm共掺杂PZN-PZT压电陶瓷的低温烧结与电性能研究
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作者 谢义磊 石棋 +2 位作者 胡学兵 何中睿 洪顺球 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期30-34,共5页
试验采用传统固相法,成功制备出Co、Sm共掺杂的Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.2)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))_(0.8)O_(3)+0.6mol%Co_(2)O_(3)+0.04mol%Sm_(2)O_(3)三元系压电陶瓷。研究分析了不同烧成温度下PZN-PZT压电陶瓷材料的... 试验采用传统固相法,成功制备出Co、Sm共掺杂的Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.2)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))_(0.8)O_(3)+0.6mol%Co_(2)O_(3)+0.04mol%Sm_(2)O_(3)三元系压电陶瓷。研究分析了不同烧成温度下PZN-PZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构。结果显示,Co、Sm共掺杂不仅改善了PZN-PZT的压电、介电综合性能:d_(33)=301 pC/N,K_(p)=0.72,ε_(r)=1486.46,tanδ=0.11%,Q_(m)=515,而且将材料的烧成温度降低到950℃。 展开更多
关键词 Co、Sm共掺杂 pzn-pzt压电陶瓷材料 低温烧结 压电性能
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PZN-PZT压电陶瓷及其PVDF压电复合材料的制备和性能 被引量:22
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作者 李小兵 田莳 李宏波 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期70-74,共5页
采用固相烧结法合成了 PZN- PZT(铌锌锆钛酸铅 )三元系压电陶瓷烧结块材和粉末 ,并采用 XRD、SEM等测试方法对其结构和性能进行了分析。PZN- PZT常压烧结陶瓷具有优良的压电性能 ,PZN- PZT颗粒粒径在 0 .5~ 4 μm之间 ,颗粒形态不太规... 采用固相烧结法合成了 PZN- PZT(铌锌锆钛酸铅 )三元系压电陶瓷烧结块材和粉末 ,并采用 XRD、SEM等测试方法对其结构和性能进行了分析。PZN- PZT常压烧结陶瓷具有优良的压电性能 ,PZN- PZT颗粒粒径在 0 .5~ 4 μm之间 ,颗粒形态不太规整。采用溶液共混法将 PZN- PZT粒子均匀分散于 PVDF基体中 ,制备了 PZN- PZT/PVDF0 - 3型压电复合材料。研究了 PZN- PZT质量分数、极化电场等因素对该压电复合材料压电和介电性能的影响。实验结果表明 ,选用压电活性更高的压电陶瓷粉末进行复合 ,可有效提高压电复合材料的压电性能。增加 PZN-PZT质量分数。 展开更多
关键词 pzn-pzt压电陶瓷 PVDF 制备 pzn-pzt 固相烧结法 压电复合材料 溶液共混法 聚偏二氟乙烯 铌锌锆钛酸铅 压电聚合物
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中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究 被引量:12
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作者 江向平 廖军 +4 位作者 魏晓勇 张望重 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期281-286,共6页
在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保... 在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保温时间的延长,d33从420×10-12C/N增加到 560×10-12C/N, T33从 2180增加到 2900。 展开更多
关键词 中温烧结 pzn-pzt 压电性能 介电性能 压电陶瓷
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Nb_2O_5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响 被引量:10
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作者 路朋献 马秋花 +3 位作者 邹文俊 侯永改 王改民 王春华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期248-252,共5页
研究了施主掺杂离子Nb^5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙... 研究了施主掺杂离子Nb^5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处. 展开更多
关键词 Nb2O5掺杂 pzn-pzt 微观结构 电学性能
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热压和常压烧结PZN-PZT陶瓷的温度稳定性 被引量:10
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作者 李小兵 田莳 赵建伟 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期287-290,共4页
采用热压烧结和常压烧结的方法制备了高压电性能的掺La0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷,测定了二种试样的谐振频率、弹性柔顺系数、相对介电常数、介电损耗、机电耦合系数和压电应变常数等性能随温度的变化,并对实验结果进行了分析和讨论。实验... 采用热压烧结和常压烧结的方法制备了高压电性能的掺La0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷,测定了二种试样的谐振频率、弹性柔顺系数、相对介电常数、介电损耗、机电耦合系数和压电应变常数等性能随温度的变化,并对实验结果进行了分析和讨论。实验结果表明,与常压烧结PZN-PZT陶瓷的性能相比,热压烧结试样的压电应变常数更高,温度稳定性更好。结构致密、纯度高有助于压电陶瓷材料温度稳定性的提高。 展开更多
关键词 热压烧结 常压烧结 温度稳定性 pzn-pzt
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铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究 被引量:5
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作者 孙清池 王立锋 聂强 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期107-110,共4页
用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大... 用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3+、Cr5+存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好. 展开更多
关键词 压电陶瓷 PSN-pzn-pzt CR掺杂 压电 介电性能
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炭黑改性PZN-PZT/PVDF压电复合材料的制备与性能 被引量:2
7
作者 胡珊 沈上越 +1 位作者 戴雷 黄焱球 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期14-15,27,共3页
将导电炭黑掺杂的聚偏氟乙烯(PVDF)与铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)陶瓷粉体复合,制备0-3型压电复合材料,研究了炭黑添加量对压电复合材料电性能的影响。结果表明,适量的导电炭黑可以明显提高复合材料的极化和压电性能。当炭黑含量为0.3%时,压... 将导电炭黑掺杂的聚偏氟乙烯(PVDF)与铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)陶瓷粉体复合,制备0-3型压电复合材料,研究了炭黑添加量对压电复合材料电性能的影响。结果表明,适量的导电炭黑可以明显提高复合材料的极化和压电性能。当炭黑含量为0.3%时,压电复合材料的综合性能最佳,剩余极化强度Pr达到5.37μC.cm-2,矫顽场EC为57kV.cm-1,介电常数εr为177.2,压电常数d33达到39.7pC/N。 展开更多
关键词 炭黑 pzn-pzt PVDF 压电复合材料
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镧掺杂PZN-PZT陶瓷及其PVDF压电复合材料的制备与性能 被引量:1
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作者 胡珊 沈上越 +1 位作者 戴雷 晏海霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期748-750,共3页
采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT压电陶瓷和粉体.并用XRD分析了陶瓷的晶相,扫描电镜观察到PZN-PZT陶瓷粉体形态不太规整,颗粒粒径主要分布在1~4μm之间.将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZN-PZT/PVDF压电复... 采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT压电陶瓷和粉体.并用XRD分析了陶瓷的晶相,扫描电镜观察到PZN-PZT陶瓷粉体形态不太规整,颗粒粒径主要分布在1~4μm之间.将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZN-PZT/PVDF压电复合材料.研究了镧掺杂量对PZN-PZT陶瓷及复合材料压电性能的影响.结果表明,适量的镧掺杂可有效提高复合材料的压电性能,当镧掺杂量为4%(摩尔分数)时,复合材料的压电性能最好,压电常数d33值为36pC/N。 展开更多
关键词 镧掺杂 pzn-pzt PVDF 压电复合材料
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PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展 被引量:1
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作者 郑木鹏 侯育冬 +1 位作者 朱满康 严辉 《真空电子技术》 2013年第4期13-18,共6页
PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一。本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势。
关键词 压电陶瓷 pzn-pzt 研究进展
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Na_2O对PNN-PZN-PZT的微观组织与性能的影响
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作者 刘相果 冯小东 +1 位作者 蹇胜勇 曾祥明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期105-107,共3页
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备PNN-PZN-PZT压电陶瓷,并研究微量添加Na2O对烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明,Na2O的添加对材料的成型工艺要求严格,否则易造成成分偏析现象;Na2O的添加使材料的烧成温度范围变窄,... 以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备PNN-PZN-PZT压电陶瓷,并研究微量添加Na2O对烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明,Na2O的添加对材料的成型工艺要求严格,否则易造成成分偏析现象;Na2O的添加使材料的烧成温度范围变窄,陶瓷的压电常数降低约15%,含1%的Na2O的最佳烧结温度约为910℃,其介电常数εr=3 200,压电常数d33=487 pC/N,机电耦合系数kp=0.60,介电损耗tanδ=2%;Na+分布不均匀,在晶界的含量明显高于晶粒内部。 展开更多
关键词 压电陶瓷 PNN-pzn-pzt 低温烧结 成分偏析
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PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究
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作者 吴浩 马卫兵 曲远方 《天津理工大学学报》 2007年第2期71-74,共4页
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行了分析,用扫描... 采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行了分析,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品表面的显微结构,并且讨论了Sr质量分数对材料介电、压电性能及温度稳定性的影响.实验结果表明:Sr^2+部分置换Pb^2+使得准同型相界向富Zr方移动,降低了居里温度,增大了介电半高宽值;当xSr取值范围0.02~0.04时,经960℃、126 0℃的烧结,系统的综合性能最佳. 展开更多
关键词 压电陶瓷 PSN-pzn-pzt 介电和压电性能 准同型相界
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氧化铁掺杂对PMnS-PZN-PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:5
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作者 毛洁冰 周静 +2 位作者 郑惠清 孙华君 陈文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期72-76,共5页
通过对晶体结构与压电、介电性能测试,探讨了Fe2O3掺杂对PMnS-PZN-PZT陶瓷压电性能的影响。结果表明,PMnS-PZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间,Fe2O3掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变化。当Fe2O3掺杂含量为0.45wt%时... 通过对晶体结构与压电、介电性能测试,探讨了Fe2O3掺杂对PMnS-PZN-PZT陶瓷压电性能的影响。结果表明,PMnS-PZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间,Fe2O3掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变化。当Fe2O3掺杂含量为0.45wt%时,晶体结构位于准同型相区间偏四方相结构的位置,压电与介电性能达到最佳:tanδ=0.12%,d33=356pC.N-1,kp=0.60,Qm=745,在230℃以下的温度范围具有很好的频率温度稳定性。 展开更多
关键词 PMnS—pzn-pzt压电陶瓷 压电性能 介电损耗 Fe2O3掺杂
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预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响 被引量:4
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作者 沈小婷 范桂芬 +1 位作者 王允祺 吕文中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1-4,共4页
采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相... 采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。 展开更多
关键词 压电陶瓷 pzn-pzt 预烧温度
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SrCO3掺杂对PZN-PZT低温压电陶瓷结构及性能的影响 被引量:3
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作者 付豪 刘洪 朱建国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期32-36,41,共6页
采用固相法在900℃制备合成了Pb1-x Srx(Zn1/3 Nb2/3)0.3 O3-(Zr0.49 Ti0.51)0.7 O3(简写为PZN-PZT+xSrCO3,x=0%,2%,4%,6%,8%)低温压电陶瓷.采用X射线衍射仪、 扫描电子显微镜和准静态压电常数测试仪、 铁电测试仪系统地研究了Sr2+取代... 采用固相法在900℃制备合成了Pb1-x Srx(Zn1/3 Nb2/3)0.3 O3-(Zr0.49 Ti0.51)0.7 O3(简写为PZN-PZT+xSrCO3,x=0%,2%,4%,6%,8%)低温压电陶瓷.采用X射线衍射仪、 扫描电子显微镜和准静态压电常数测试仪、 铁电测试仪系统地研究了Sr2+取代A位的Pb2+对PZN-PZT陶瓷的相结构、 微观结构和电学性能的影响.结果表明,在选定SrCO3掺杂浓度范围内,PZN-PZT陶瓷呈四方相晶体结构.随着x的增加,晶粒尺寸先增大后减小.掺杂摩尔分数4%的SrCO3能有效提高PZN-PZT陶瓷的压电性能和铁电性能.当SrCO3摩尔分数为4%时,PZN-PZT陶瓷有最佳的性能:d 33=496 pC/N,k p=0.58,Q m=40,T C=244℃,εr=3000,P r=32.80μC/cm^2,E c=0.98 kV/mm. 展开更多
关键词 pzn-pzt陶瓷 低温烧结 晶体结构 压电性能 居里温度 弛豫铁电体
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Ag掺杂PZN-PZT微观结构及电学性能影响
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作者 张正杰 侯育冬 +2 位作者 崔长春 王超 朱满康 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期119-122,共4页
采用常规陶瓷工艺制备了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(0.2PZN-0.8PZT)三元系陶瓷,系统研究了Ag掺杂对体系微观结构及电学性能的影响。结果表明,Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1%(质量分数)。低于溶解限,Ag以离子掺杂形式进入... 采用常规陶瓷工艺制备了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(0.2PZN-0.8PZT)三元系陶瓷,系统研究了Ag掺杂对体系微观结构及电学性能的影响。结果表明,Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1%(质量分数)。低于溶解限,Ag以离子掺杂形式进入钙钛矿晶格置换A位的Pb2+,以受主掺杂机制影响体系电学性能;高于溶解限,过量的Ag以单质形式沉积在晶界,弥散分布在0.2PZN-0.8PZT相中。Ag单质使陶瓷体系形成复相结构,在烧结降温阶段产生内应力,改变了材料的电畴结构,并影响陶瓷的直流电阻率和压电性能。 展开更多
关键词 pzn-pzt陶瓷 复合材料 电畴 微观结构 压电性能
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铁掺杂四方、三方两相共存PZN-PZT陶瓷的Raman散射分析 被引量:4
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作者 路朋献 邹文俊 +5 位作者 许德合 马秋花 朱满康 侯永改 栗政新 王春华 《光散射学报》 2007年第1期23-29,共7页
Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过... Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相Rl模式,确定了铁掺杂对PZN-PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响。这一结果,得到了XRD相分析的验证。因此,通过对Raman散射中三方-四方振动模式的分析,可以表征掺杂诱导的PZT基陶瓷中三方-四方相结构变化趋势。 展开更多
关键词 Raman分析 PZN—PZT 铁掺杂 XRD分析
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0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料的制备工艺条件优化 被引量:1
17
作者 戴雷 胡珊 +1 位作者 郑辉 王少博 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期294-297,共4页
采用固相法合成了性能良好的PZN-PZT陶瓷粉体。将压电陶瓷粉体分散于PVDF基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。研究了复合材料的复合工艺、极化参数与压电陶瓷的含量对复合材料压电性能的影响。结果表明,溶液混合工艺较好,且... 采用固相法合成了性能良好的PZN-PZT陶瓷粉体。将压电陶瓷粉体分散于PVDF基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。研究了复合材料的复合工艺、极化参数与压电陶瓷的含量对复合材料压电性能的影响。结果表明,溶液混合工艺较好,且当极化电场强度为6kV·mm-1、温度为110℃进行极化20min时,陶瓷粉体质量分数为90%的复合材料的压电性能最好,压电常数d33值达35.9pC·N-1。 展开更多
关键词 压电复合材料 PZN—PZT PVDF 压电性能
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Effects of NaNbO_3-Co_2O_3 Co-additive on the Properties of PZN-PZT Ceramics 被引量:2
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作者 邓毅华 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2007年第4期722-724,共3页
NaNbO3-Co2O3 共同增加 PZN-PZT (PZCNNT ) 陶艺用常规稳固的州的反应被准备。压电;绝缘的性质被测量。试验性的结果证明 0.3mol% Co2O3 的增加导致低绝缘的损失(在 PZCNNT 陶艺的 tg δ) ;NaNbO3 的合适的增加不仅改进压电的性质而... NaNbO3-Co2O3 共同增加 PZN-PZT (PZCNNT ) 陶艺用常规稳固的州的反应被准备。压电;绝缘的性质被测量。试验性的结果证明 0.3mol% Co2O3 的增加导致低绝缘的损失(在 PZCNNT 陶艺的 tg δ) ;NaNbO3 的合适的增加不仅改进压电的性质而且减少强烈地绝缘的损失;机械损失。最佳的陶器的有 d 33=310 pC/N, k p=0.59, r=985, tg δ = 0.0034, Q m=1380 被获得。 展开更多
关键词 pzn-pzt 压电常数 电介质 复合材料
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Piezoelectric and dielectric properties of Cr-doped PSN-PZN-PZT qua-ternary piezoelectric ceramics 被引量:1
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作者 SUNQingchi WANGLifeng +1 位作者 LIUPing NIEQiang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第2期185-189,共5页
PSN-PZN-PZT + x wt. %Cr2O3, X = 0.0-0-9, were prepared by conventional mixed oxide techniques at sintering temperatures of 1220 degrees C-1300 degrees C for 2 h. The effect of sintering temperature on the microstructu... PSN-PZN-PZT + x wt. %Cr2O3, X = 0.0-0-9, were prepared by conventional mixed oxide techniques at sintering temperatures of 1220 degrees C-1300 degrees C for 2 h. The effect of sintering temperature on the microstructure and the piezoelectric properties was investigated by XRD, SEM, and other conventional measurement. The result indicated that with temperature increasing, the valence of Cr ion from Cr5+ or Cr6+ changes into C3+, and the piezoelectric properties turn hard. With increasing Cr2O3 content, the amount of rhombohedral phases increases and the morphotropic boundary phase is correspondingly shifts to rhombohedral phase. A uniform microstructure and excellent comprehensive properties were obtained at 1240 degrees C as the amount of Cr2O3 is 0.5 wt.%. 展开更多
关键词 inorganic nonmetallic materials PSN-pzn-pzt conventional solid reaction process Cr2O3 content sintering temperature piezoelectric properties
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PMS-PZN-PZT压电陶瓷材料的性能研究
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作者 张雷 沈建兴 +2 位作者 董今美 闫春蕾 马元 《山东陶瓷》 CAS 2007年第5期11-14,共4页
采用传统的陶瓷制备工艺制备了PMS-PZN-PZT四元系压电陶瓷,探讨了不同烧结温度对材料性能的影响,以期获得材料的最佳制备工艺。实验结果表明,此四元系材料具有较宽的烧结温度范围;在1200℃烧结工艺条件下,材料的机电耦合系数与压电常数... 采用传统的陶瓷制备工艺制备了PMS-PZN-PZT四元系压电陶瓷,探讨了不同烧结温度对材料性能的影响,以期获得材料的最佳制备工艺。实验结果表明,此四元系材料具有较宽的烧结温度范围;在1200℃烧结工艺条件下,材料的机电耦合系数与压电常数最大,介电损耗最小,介电常数适中。 展开更多
关键词 压电陶瓷压电性能 PMS—PZN—PZT
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