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PZT压电陶瓷表面化学镀Ni-P配方优化研究 被引量:3
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作者 朱棉霞 吴先益 +2 位作者 李月明 王竹梅 陈磊 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期55-58,共4页
制备了在PZT压电陶瓷表面进行化学镀Ni-P样品,通过分析比较化学镀Ni-P镀液成分对施镀镀层的沉积速率、结合强度、耐蚀性和形貌等镀层性能的影响,研究获得较优化的镀液配方。
关键词 pzt压电陶瓷 化学镀镍 配方优化 结合强度
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Preparation of Ni/PZT Core-shell Nanoparticles and Their Electromagnetic Properties
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作者 范桂芬 XU Xing +3 位作者 WANG Xiaochuan LU Wenzhong LIANG Fei WANG Kai 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2018年第1期9-14,共6页
The Ni nanoparticles coated with Pb(Zr,Ti)O3(PZT) were synthesized by a sol-gel method and in situ reaction. And their structure, oxidation resistance, and electromagnetic properties were investigated. The X-ray d... The Ni nanoparticles coated with Pb(Zr,Ti)O3(PZT) were synthesized by a sol-gel method and in situ reaction. And their structure, oxidation resistance, and electromagnetic properties were investigated. The X-ray diffraction patterns(XRD) exhibited that a small amount of impure phase characterized to Ni(OH)2 was detected from the ammonia-treated Ni nanoparticles and the ammonia-treated Ni nanoparticles coated with PZT. After being pre-treated with aqueous ammonia, the PZT coating layer was more uniform and about 10 nm in thickness. The oxidation resistance of the ammonia-treated Ni nanoparticles coated with PZT, compared with that of the non-treated ones, was improved by about 66 ℃. The PZT shell layer prepared by in-situ reaction can greatly reduce the dielectric constant and improve the natural resonance loss at high frequency, so as to obtain the optimal impedance matching performance of the electromagnetic wave transmission. 展开更多
关键词 ni nanoparticles sol-gel method in situ reaction pzt coating layer electromagnetic property
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基于鼓包法的PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/Ni薄膜材料力电磁耦合特性测试分析
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作者 刘奇 孙长振 +5 位作者 何元东 徐浩 于泽军 毛卫国 裴永茂 方岱宁 《现代应用物理》 2017年第1期67-75,共9页
通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/Ni(PZT/Ni)复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能... 通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/Ni(PZT/Ni)复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能新型鼓包测试平台,在力场、电场、磁场作用下分别测试分析了PZT/Ni复合薄膜材料体系的力电磁耦合性能。结果表明:随着电场强度的增加,PZT薄膜的弹性模量E先增大后减小;PZT/Ni复合薄膜在电场作用下实现了电磁调控,矫顽磁场强度Hc提高了33.4%;随着测试平台油压的增大,PZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别增加了17.1%和32.1%,PZT/Ni复合薄膜的矫顽磁场强度提高了46.1%。 展开更多
关键词 pzt/ni 鼓包法 多场耦合 弹性模量 矫顽场
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采用磁电自供能的能量储存和电源管理电路研究 被引量:20
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作者 李平 贾朝波 +1 位作者 文玉梅 李兴圣 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2629-2635,共7页
普通Fe-Ni/PZT磁电复合结构将电磁能转化为电能时输出低,无法驱动无线传感器工作,本文设计了一种更高磁电电压系数的H型音叉式磁电复合结构。论文详细介绍了该结构的工作原理和磁电输出特性。在强度为0.2Oe的交变磁场激励下,该磁电复合... 普通Fe-Ni/PZT磁电复合结构将电磁能转化为电能时输出低,无法驱动无线传感器工作,本文设计了一种更高磁电电压系数的H型音叉式磁电复合结构。论文详细介绍了该结构的工作原理和磁电输出特性。在强度为0.2Oe的交变磁场激励下,该磁电复合结构能够把容量为1.5F的超级电容充电至0.5V。为有效利用超级电容中的电量,本文提出了一种能够提高超级电容输出功率的电能瞬间放电电路。实验结果表明,当超级电容电压为0.5V左右时,在间隙脉冲串(Burst)触发信号频率为30kHz、占空比为75%的条件下,该电路最大放电功率可达120mW,放电时间持续620ms,能够驱动无线传感器在一个发射周期内正常工作。 展开更多
关键词 自供能 Fe-ni/pzt复合结构 电源管理电路 瞬间放电电路
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OP乳化剂对压电陶瓷表面化学镀镍层性能的影响研究
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作者 徐丽雯 周美娟 +3 位作者 赵林南 黄世峰 张颖 袁晓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期10081-10085,共5页
表面活性剂及施镀工艺在化学镀镍施镀过程中具有重要作用.实验以PZT-4陶瓷为基体,在碱性镀液中施镀,获得Ni-P合金镀层,研究了 OP乳化剂对PZT-4陶瓷表面化学镀镍的影响.通过镀速、镀层耐腐蚀性、表面形貌、元素组成、导电性及物相结构测... 表面活性剂及施镀工艺在化学镀镍施镀过程中具有重要作用.实验以PZT-4陶瓷为基体,在碱性镀液中施镀,获得Ni-P合金镀层,研究了 OP乳化剂对PZT-4陶瓷表面化学镀镍的影响.通过镀速、镀层耐腐蚀性、表面形貌、元素组成、导电性及物相结构测试,对施镀过程中镀液的温度、酸度及 OP 乳化剂浓度对镀层性能的影响作了研究.结果表明,当镀液中 OP乳化剂浓度为15~25 mg/L 时镀层综合性能较好,施镀温度范围为40~45℃,pH 值范围为8.5~9.0时镀速及外观质量较好. 展开更多
关键词 压电陶瓷 化学镀 ni-P合金 OP乳化剂 镀层性能
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含铜铁电电容器SrRuO_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/SrRuO_3/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si异质结的研究 被引量:1
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作者 陈剑辉 刘保亭 +3 位作者 赵庆勋 崔永亮 赵冬月 郭哲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期650-658,共9页
应用磁控溅射法以Ni-Al同时作为Cu与SiO2/Si,Cu与SRO薄膜之间的阻挡层材料,将Cu与SiO2/Si衬底和氧化物薄膜电极隔离,避免它们在高温氧气氛中发生化学反应和互扩散,实现了Cu薄膜与氧化物铁电电容器的集成.采用X射线衍射仪(XRD)和原子力... 应用磁控溅射法以Ni-Al同时作为Cu与SiO2/Si,Cu与SRO薄膜之间的阻挡层材料,将Cu与SiO2/Si衬底和氧化物薄膜电极隔离,避免它们在高温氧气氛中发生化学反应和互扩散,实现了Cu薄膜与氧化物铁电电容器的集成.采用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了不同温度下快速退火的SrRuO3(SRO)/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu异质结的微结构和表面形貌,结果发现SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu多层异质结薄膜在高达750℃仍然具有较强的Cu衍射峰和比较平整的表面,显示出了很好的高温热稳定性.研究了"室温长高温退"和"低温长高温退"两种工艺手段,发现在制备含Cu多层氧化物薄膜异质结时,低温长高温后退火的方式要优于常规的室温长高温后退火方式,通过低温长高温退工艺可以缓解应力、削弱界面粗化和避免高温生长对阻挡层和Cu薄膜结构的破坏.最后结合sol-gel法将Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)生长在该含Cu异质结上,制备得SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu铁电电容器,研究了电容器的薄膜结构、铁电性能和漏电特性等,发现制备的含Cu铁电电容器具有很好的铁电性能,如电滞回线趋势饱和,剩余极化强度高达~42μC/cm2,矫顽电压为~1.0V,介电常数~1600,漏电流~1.83×10-4A/cm2,以及良好的抗疲劳特性和保持特性等,表明导电性优良的Cu薄膜可以应用于高密度高性能铁电电容器.对其漏电机理研究表明,SRO/PZT/SRO含Cu铁电电容器满足空间电荷限制传导机理. 展开更多
关键词 Cu pzt 铁电电容器 ni-AL
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