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PZT/YBCO异质结电容在超导临界温区反常跳变的机理研究
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作者 谢中 赵立华 +2 位作者 赵柏儒 王祝盈 黄桂芳 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期48-53,共6页
运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电... 运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电阻 。 展开更多
关键词 pzt/ybco异质结 反常电容跳变 超导临界温度 铁电薄膜 电容器
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PZT/YBCO异质结光敏与快速光读出特性
2
作者 义仡 《电子材料快报》 1995年第8期4-5,共2页
关键词 铁电材料 pzt/ybco 异质 光敏特性
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磁控溅射法制备ZnO/YBCO异质结及电学特性 被引量:1
3
作者 廉玉东 朱亚彬 +3 位作者 何帆 崔兆邦 张凯令 安垚 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期30-31,41,共3页
利用磁控溅射技术在YBCO上沉积ZnO薄膜,获得ZnO/YBCO异质结。测量其不同温度下的电学性质,样品显示良好的整流特性,并且随着温度的升高,ZnO/YBCO异质结电流逐渐增大。
关键词 磁控溅射 ZnO/ybco异质 整流性质 温度
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电泳法制备ZnO/YBCO异质结及电学性质研究 被引量:1
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作者 赵宇琼 朱亚彬 +3 位作者 安垚 廉玉东 崔兆邦 王保军 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期41-43,共3页
采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致密,放大500倍的表面形貌图呈现织构(textured)的微结构特征,放大5000倍的表面形貌图中可观察微米量级的... 采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致密,放大500倍的表面形貌图呈现织构(textured)的微结构特征,放大5000倍的表面形貌图中可观察微米量级的六方晶粒。通过对ZnO/YBCO异质结的电学性质进行测试,结果显示整流特性。 展开更多
关键词 电泳法 ZnO/ybco/YSZ异质 整流特性
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外延Pb-Zr-Ti-O/Y-Ba-Cu-O异质结的制备研究
5
作者 张子生 孙宏丽 +3 位作者 李庆 赵庆勋 闫正 刘保亭 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第5期476-479,共4页
应用磁控溅射法在SrTiO3(STO)单晶基片上原位制备了Pb(Zr,Ti)O3/YBaCu3O7(PZT/YB-CO)异质结,X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射结果表明PZT/YBCO为外延生长,磁化率的测量结果表明YBCO的超导转变温度接近90 K,外延铁电体/超导体异质结... 应用磁控溅射法在SrTiO3(STO)单晶基片上原位制备了Pb(Zr,Ti)O3/YBaCu3O7(PZT/YB-CO)异质结,X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射结果表明PZT/YBCO为外延生长,磁化率的测量结果表明YBCO的超导转变温度接近90 K,外延铁电体/超导体异质结的制备为进一步研究铁电性、超导性以及铁电体/超导体复合器件奠定了基础. 展开更多
关键词 pzt ybco 铁电/超导异质
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全钙钛矿La0.5Sr0.5CoO3/PbZr0.53Ti0.47O3/La0.5Sr0.5CoO3异质结的结构与性能
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作者 郭建新 刘保亭 +3 位作者 魏丽静 张新 闫小兵 赵庆勋 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2008年第4期369-372,共4页
应用射频磁控溅射法在SrTiO3(STO)基片上制备了全钙钛矿结构La0.5Sr0.5CoO3/PbZr0.53Ti0.47O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)电容器异质结,并进行了结构和性能的表征.X射线衍射(XRD)的研究表明,LSCO/PZT/LSCO异质结在SrTiO3(STO)基片... 应用射频磁控溅射法在SrTiO3(STO)基片上制备了全钙钛矿结构La0.5Sr0.5CoO3/PbZr0.53Ti0.47O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)电容器异质结,并进行了结构和性能的表征.X射线衍射(XRD)的研究表明,LSCO/PZT/LSCO异质结在SrTiO3(STO)基片上为外延生长.对该电容器铁电性能的研究发现,在5 V驱动电压下,电滞回线饱和趋势良好,矫顽场电压为1.8 V和剩余极化强度为21.5×10-6C/cm2,漏电流为8.9×10-8A/cm2.实验还证实该电容器具有良好的脉冲宽度依赖性及抗疲劳特性. 展开更多
关键词 钙钛矿 pzt 异质 铁电薄膜
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硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备
7
作者 刘保亭 李锋 +5 位作者 闫正 赵庆勋 张未涛 程春生 乔晓东 孙宏丽 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期81-83,122,共4页
在外延SrTiO3(STO)作为缓冲层的Si基片上,应用溶胶-凝胶法(sol-gel)和磁控溅射法,在550℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)异质结。X射线衍射结果表明,LSCO/PZT/LSCO异质结是c向外延... 在外延SrTiO3(STO)作为缓冲层的Si基片上,应用溶胶-凝胶法(sol-gel)和磁控溅射法,在550℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)异质结。X射线衍射结果表明,LSCO/PZT/LSCO异质结是c向外延生长的。当外加电压为60 V时,LSCO/PZT/LSCO铁电电容器的剩余极化强度为50.3μC/cm2,当电压为30 V时,铁电电容器有效极化强度为80μC/cm2。其它电学性能表明,PZT铁电电容器具有较高的电阻率和脉冲宽度对极化强度的影响较弱。 展开更多
关键词 LSCO/pzt/LSCO 溶胶-凝胶法 异质 低温生长
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YBa_2Cu_3O_(7-δ)/SrTiO_3:Nb异质结光伏特性研究
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作者 韩梦媛 杨枫 +1 位作者 刘志勇 常方高 《低温与超导》 CAS 北大核心 2014年第11期48-52,共5页
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Sr Ti O3:Nb基底材料上沉积出高质量钇钡铜氧(YBCO)薄膜,并对YBCO/NSTO异质结的光伏特性进行了深入研究。研究发现,YBCO/NSTO异质结在可见光部分出现明显的吸收效应;开路电压和短路电流密度分别达到1.065V和94... 采用脉冲激光沉积法(PLD)在Sr Ti O3:Nb基底材料上沉积出高质量钇钡铜氧(YBCO)薄膜,并对YBCO/NSTO异质结的光伏特性进行了深入研究。研究发现,YBCO/NSTO异质结在可见光部分出现明显的吸收效应;开路电压和短路电流密度分别达到1.065V和94μA/cm2;YBCO薄膜的氧含量对异质结光伏特性有很大影响。由此可知,氧含量具有明显调节YBCO薄膜正常态带隙的作用,这为YBCO薄膜在光伏发电和光电子器件领域的应用奠定基础。 展开更多
关键词 ybco薄膜 氧含量 异质 光伏特性
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Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究 被引量:4
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作者 王华 于军 +4 位作者 董小敏 王耘波 周文利 赵建洪 周东祥 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期981-985,共5页
采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧... 采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧气氛 5 30℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜 ,与直接淀积在Si基片上相比 ,加入BIT铁电层后PZT铁电薄膜的 (110 )取向更加明显 ;在铁电层总厚度均为 40 0nm的情况下 ,PZT BIT双层铁电薄膜比PZT单层铁电薄膜具有更大的剩余极化和更低的矫顽场 ;观察到顺时针回滞的C V特性曲线 ,表明铁电极化控制了硅的表面势 ,薄膜呈现极化开关的特性 ;I V特性曲线表明异质结具有明显的单向导电性 ,并证实异质结在弱场下导电遵循欧姆定律 ,强场下以空间电荷限制电流 (SCLC)为主 ;异质结具有较好的疲劳特性 ,10 9次极化反转后其剩余极化仍达到初始值的90 % . 展开更多
关键词 铁电薄膜 脉冲激光沉积 Au/pzt/BIT/p-Si异质 BIT铁电层 导电机制
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