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基于PZT结Lamb波方向算法的损伤定位方法 被引量:3
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作者 赵竹君 李成 +2 位作者 侯玉亮 铁瑛 宋成杰 《振动.测试与诊断》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期340-345,445,446,共8页
基于Lamb波在板中的传播特性,针对复合材料的损伤检测,提出一种新型的损伤定位方法。该方法采用3个压电陶瓷片(piezoelectric transducers,简称PZT)组成PZT结,通过从各PZT中提取出损伤散射信号,找到其损伤波包到达的时间差,并依据Lamb... 基于Lamb波在板中的传播特性,针对复合材料的损伤检测,提出一种新型的损伤定位方法。该方法采用3个压电陶瓷片(piezoelectric transducers,简称PZT)组成PZT结,通过从各PZT中提取出损伤散射信号,找到其损伤波包到达的时间差,并依据Lamb波的传播速度得到位移差。首先,结合PZT结中各PZT的几何位置,具体推导出损伤方向算法,运用方向算法找到Lamb波在损伤位置发生散射后的其中一个传播方向,通过传播方向的交点来实现损伤位置的判定;其次,分析了互相关理论的基本原理,并运用互相关算法提取出损伤散射信号;最后,在碳纤维增强树脂基复合材料薄板上对该算法进行实验验证,求出了损伤方向以及损伤位置。验证结果表明,该方法能够对复合材料损伤进行有效的定位。 展开更多
关键词 LAMB波 方向算法 互相关 pzt结
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PZT/YBCO异质结电容在超导临界温区反常跳变的机理研究
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作者 谢中 赵立华 +2 位作者 赵柏儒 王祝盈 黄桂芳 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期48-53,共6页
运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电... 运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电阻 。 展开更多
关键词 pzt/YBCO异质 反常电容跳变 超导临界温度 铁电薄膜 电容器
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Oriented Growth of PZT thick film embedded with PZT nanoparticles 被引量:3
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作者 段中夏 袁杰 +2 位作者 赵全亮 路冉 曹茂盛 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2009年第2期232-236,共5页
This paper reports that dense and crack-free (100) oriented lead zirconate titanate (Pb( Zr0. 52Ti0. 48 )O3, PZT) thick film embedded with PZT nanopartieles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si subs... This paper reports that dense and crack-free (100) oriented lead zirconate titanate (Pb( Zr0. 52Ti0. 48 )O3, PZT) thick film embedded with PZT nanopartieles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si substrate by using PT transition layer and PVP additive. The thick film possesses single-phase perovskite structure and perfectly (100) oriented. The (100) orientation degree of the PZT films strongly depended on annealing time and for the 4μm-thick PZT film which was annealed at 700℃ for 5 min is the largest. The (100) orientation degree of the PZT thick film gradually strengthen along with the thickness of film decreasing. The 3μm-thick PZT thick film which was annealed at 700℃ for 5 rain has the strongest (100) orientation degree, which is 82. 3%. 展开更多
关键词 pzt SOL-GEL thick film oriented growth
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Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究 被引量:4
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作者 王华 于军 +4 位作者 董小敏 王耘波 周文利 赵建洪 周东祥 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期981-985,共5页
采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧... 采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧气氛 5 30℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜 ,与直接淀积在Si基片上相比 ,加入BIT铁电层后PZT铁电薄膜的 (110 )取向更加明显 ;在铁电层总厚度均为 40 0nm的情况下 ,PZT BIT双层铁电薄膜比PZT单层铁电薄膜具有更大的剩余极化和更低的矫顽场 ;观察到顺时针回滞的C V特性曲线 ,表明铁电极化控制了硅的表面势 ,薄膜呈现极化开关的特性 ;I V特性曲线表明异质结具有明显的单向导电性 ,并证实异质结在弱场下导电遵循欧姆定律 ,强场下以空间电荷限制电流 (SCLC)为主 ;异质结具有较好的疲劳特性 ,10 9次极化反转后其剩余极化仍达到初始值的90 % . 展开更多
关键词 铁电薄膜 脉冲激光沉积 Au/pzt/BIT/p-Si异质 BIT铁电层 导电机制
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