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提高PZT阴极电子发射性能的实验研究
1
作者
蔡雪梅
周应华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期672-675,共4页
实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能。在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因。通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提...
实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能。在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因。通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提高材料本生的耐电压强度,从而提高了施加在阴极上的激励场强值。实验数据显示等静压工艺、高的激励场强、绝缘保护层、Mn2+的添加等均有利于阴极的电流发射,发射电流密度提高到123A/cm2。
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关键词
pzt阴极
发射电流密度
等静压工艺
绝缘保护膜
击穿阈值
下载PDF
职称材料
PLZT阴极的电子发射性能研究
2
作者
黄伟明
《科技信息》
2009年第11期59-60,共2页
本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能,从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材料的方法。
关键词
铁电
阴极
材料
电子发射性能
相变发射理论
pzt阴极
下载PDF
职称材料
题名
提高PZT阴极电子发射性能的实验研究
1
作者
蔡雪梅
周应华
机构
重庆邮电大学光电学院
重庆邮电大学计算机学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期672-675,共4页
文摘
实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能。在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因。通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提高材料本生的耐电压强度,从而提高了施加在阴极上的激励场强值。实验数据显示等静压工艺、高的激励场强、绝缘保护层、Mn2+的添加等均有利于阴极的电流发射,发射电流密度提高到123A/cm2。
关键词
pzt阴极
发射电流密度
等静压工艺
绝缘保护膜
击穿阈值
Keywords
pzt
cathodes
emitted current densities
isostatic pressure
insulation layer
breakdown threshold
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
PLZT阴极的电子发射性能研究
2
作者
黄伟明
机构
佛山市高级技工学校
出处
《科技信息》
2009年第11期59-60,共2页
文摘
本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能,从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材料的方法。
关键词
铁电
阴极
材料
电子发射性能
相变发射理论
pzt阴极
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
提高PZT阴极电子发射性能的实验研究
蔡雪梅
周应华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
2
PLZT阴极的电子发射性能研究
黄伟明
《科技信息》
2009
0
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职称材料
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