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提高PZT阴极电子发射性能的实验研究
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作者 蔡雪梅 周应华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期672-675,共4页
实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能。在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因。通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提... 实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能。在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因。通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提高材料本生的耐电压强度,从而提高了施加在阴极上的激励场强值。实验数据显示等静压工艺、高的激励场强、绝缘保护层、Mn2+的添加等均有利于阴极的电流发射,发射电流密度提高到123A/cm2。 展开更多
关键词 pzt阴极 发射电流密度 等静压工艺 绝缘保护膜 击穿阈值
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PLZT阴极的电子发射性能研究
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作者 黄伟明 《科技信息》 2009年第11期59-60,共2页
本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能,从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材料的方法。
关键词 铁电阴极材料 电子发射性能 相变发射理论 pzt阴极
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