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Graded composition and doping p-i-n Al_(x)Ga_(1−x)As/GaAs detector for unbiased voltage operation 被引量:2
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作者 Zhi-Fu Zhu Ji-Jun Zou +8 位作者 Zhi-Jia Sun He Huang Qing-Lei Xiu Zhong-Ming Zhang Yong Gan Chen-Xian Guo Shao-Tang Wang Xiu-Ping Yue Guo-Li Kong 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第7期73-82,共10页
p-i-n Al_(x)Ga_(1−x)As/GaAs detectors with graded compositions and graded doping were grown and prepared.From the current-voltage and capacitance-voltage measurement results,the devices had good p-n junction diode cha... p-i-n Al_(x)Ga_(1−x)As/GaAs detectors with graded compositions and graded doping were grown and prepared.From the current-voltage and capacitance-voltage measurement results,the devices had good p-n junction diode characteristics,and the electric field strength under an unbiased voltage was 1.7×10^(5) Vcm^(-1).The full width at half maximum and charge collection efficiency of the detectors obtained from energy spectrum measurements of 5.48-MeV alpha particles were 3.04 and approximately 93%,respectively.In this study,we created the most advanced and promising state-of-the-art unbiased detector reported to date. 展开更多
关键词 Graded composition Graded doping detector p-i-n Al_(x)Ga_(1−x)As/gaas
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How Will a Particle Detector Respond in Massless Complex Scalar Field?
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作者 周文婷 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第6期1122-1124,共3页
I study the response of a particle detector coupled to quantized massless complex scalar field in four dimensional Minkowski spacetime through nonlinear Lagrangian. I find that as in the real scalar field: the partic... I study the response of a particle detector coupled to quantized massless complex scalar field in four dimensional Minkowski spacetime through nonlinear Lagrangian. I find that as in the real scalar field: the particle detector will not respond when it is in inertial motion; If accelerated in its own frame reference, it does respond and feel the same temperature. But different from the real scalar field case, the detector's transition amplitude is concerned with particle-antiparticle creation, and the response of the detector is (1/α^2 + ε^2)/24π^2 times of that in real scalar field, with 1/α the accelerator of the detector and e the energy gap between the detector's two energy level. It is due to the nonlinear property of the coupling Lagrangian. Whether the total charge of the system constructed by the particle detector and vacuum is conserved is also considered and analyzed. 展开更多
关键词 particle detector Lagrange density particle creation charge conservation
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Development of High-energy Particle Detectors for Space Exploration
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作者 YANG Zhe SHEN Guohong JING Tao 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1171-1184,共14页
Space environment exploration is a hot topic globally.The scope of space exploration ranges from near-Earth space to the moon,other planets in the solar system,and even the heliosphere and interplanetary space.It is u... Space environment exploration is a hot topic globally.The scope of space exploration ranges from near-Earth space to the moon,other planets in the solar system,and even the heliosphere and interplanetary space.It is used for various crucial applications,including aerospace technology development,space weather research,understanding the origin and evolution of the universe,searching for extraterrestrial life,and finding human livable places.Although China’s space environment exploration started late,its progress has been rapid.China is gradually narrowing the gap with advanced countries and may eventually lead the world in space research.This article briefly reviews the development history of China’s space environmental detectors. 展开更多
关键词 High-energy particle detectors Near-Earth space exploration Lunar exploration Space environment
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Comparison of α particle detectors based on single-crystal diamond films grown in two types of gas atmospheres by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition 被引量:8
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作者 Yan-zhao Guo Jin-long Liu +9 位作者 Jiang-wei Liu Yu-ting Zheng Yun Zhao Xiao-lu Yuan Zi-hao Guo Li-fu Hei Liang-xian Chen Jun-jun Wei Jian-peng Xing Cheng-ming Li 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期703-712,共10页
Chemical vapor deposition(CVD)-grown diamond films have been developed as irradiation-resistant materials to replace or upgrade current detectors for use in extreme radiation environments. However, their sensitivity i... Chemical vapor deposition(CVD)-grown diamond films have been developed as irradiation-resistant materials to replace or upgrade current detectors for use in extreme radiation environments. However, their sensitivity in practical applications has been inhibited by space charge stability issues caused by defects and impurities in pure diamond crystal materials. In this study, two high-quality CVD-grown single-crystal diamond(SCD) detectors with low content of nitrogen impurities were fabricated and characterized. The intrinsic properties of the SCD samples were characterized using Raman spectroscopy, stereomicroscopy, and X-ray diffraction with the rocking curve mode, cathode luminescence(CL), and infrared and ultraviolet-visible-near infrared spectroscopies. After packaging the detectors, the dark current and energy resolution under α particle irradiation were investigated. Dark currents of less than 5 pA at 100 V were obtained after annealing the electrodes, which is comparable with the optimal value previously reported. The detector that uses a diamond film with higher nitrogen content showed poor energy resolution, whereas the detector with more dislocations showed poor charge collection efficiency(CCE). This demonstrates that the nitrogen content in diamond has a significant effect on the energy resolution of detectors, while the dislocations in diamond largely contribute to the poor CCE of detectors. 展开更多
关键词 SINGLE-CRYSTAL DIAMOND NITROGEN IMPURITY detector αparticle
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Particle detector readout integrated circuit of 0.18μm technology with 164 e equivalent noise charge 被引量:2
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作者 LI Xiangyu LIU Haifeng ZHANG Qi SUNYihe 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2011年第6期358-365,共8页
Integrated circuits of deep submicron(DSM) CMOS technology are advantageous in volume density, power consumption and thermal noise for multichannel particle detection systems,but there are challenges in the front-end ... Integrated circuits of deep submicron(DSM) CMOS technology are advantageous in volume density, power consumption and thermal noise for multichannel particle detection systems,but there are challenges in the front-end circuit design.In this paper,we present a 0.18μm CMOS front-end readout circuit for low noise CdZnTe detectors in tens of pF capacitance.Solutions to the noise and gate leak problems in DSM technologies are discussed in detail.A prototype chip was designed,with a charge sensitive preamplifier,a 4th order semi-Gaussian shaper and several output drivers.Test results show that the chip has an equivalent noise charge of 164 e,without connecting it to a detector,with an integral nonlinearity of<0.21%and differential nonlinearity of<3.75%. 展开更多
关键词 电荷灵敏前置放大器 CMOS技术 粒子探测器 集成电路 热噪声 前端电路设计 DSM技术 读数
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Design and test results of a low-noise readout integrated circuit for high-energy particle detectors 被引量:1
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作者 ZHANG Mingming CHEN Zhongjian ZHANG Yacong LU Wengao JI Lijiu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2010年第1期44-48,共5页
A low-noise readout integrated circuit for high-energy particle detector is presented.The noise of charge sensitive amplifier was suppressed by using single-side amplifier and resistors as source degeneration.Continuo... A low-noise readout integrated circuit for high-energy particle detector is presented.The noise of charge sensitive amplifier was suppressed by using single-side amplifier and resistors as source degeneration.Continuous-time semi-Gaussian filter is chosen to avoid switch noise.The peaking time of pulse shaper and the gain can be programmed to satisfy multi-application.The readout integrated circuit has been designed and fabricated using a 0.35 μm double-poly triple-metal CMOS technology.Test results show the functions of the readout integrated circuit are correct.The equivalent noise charge with no detector connected is 500–700 e in the typical mode,the gain is tunable within 13–130 mV/fC and the peaking time varies from 0.7 to 1.6 μs,in which the average gain is about 20.5 mV/fC,and the linearity reaches 99.2%. 展开更多
关键词 读出集成电路 高能粒子探测器 低噪声 设计 测试 CMOS工艺 峰值时间 单端放大器
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Alpha particle detector with planar double Schottky contacts directly fabricated on semi-insulating GaN:Fe template
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作者 Qun-Si Yang Qing Liu +4 位作者 Dong Zhou Wei-Zong Xu Yi-Wang Wang Fang-Fang Ren Hai Lu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第11期532-537,共6页
Alpha particle radiation detectors with planar double Schottky contacts(DSC)are directly fabricated on 5-μm-thick epitaxial semi-insulating(SI)GaN:Fe film with resistivity higher than 1×10^(8)Ω·cm.Under 10... Alpha particle radiation detectors with planar double Schottky contacts(DSC)are directly fabricated on 5-μm-thick epitaxial semi-insulating(SI)GaN:Fe film with resistivity higher than 1×10^(8)Ω·cm.Under 10 V bias,the detector exhibits a low dark current of less than 5.0×10^(-11) A at room-temperature,which increases at higher temperatures.Linear behavior in the semi-log reverse current-voltage plot suggests that Poole-Frenkel emission is the dominant carrier leakage mechanism at high bias.Distinct double-peak characteristics are observed in the energy spectrum of alpha particles regardless of bias voltage.The energy resolution of the SI-GaN based detector is determined to be8.6%at the deposited energy of 1.209 MeV with a charge collection efficiency of81.7%.At a higher temperature of 90℃,the measured full width at half maximum(FWHM)rises to 235 keV with no shift of energy peak position,which proves that the GaN detector has potential to work stably in high temperature environment.This study provides a possible route to fabricate the low cost GaN-based alpha particle detector with reasonable performance. 展开更多
关键词 GAN alpha particle detector double Schottky contacts
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1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器 被引量:6
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作者 韩勤 彭红玲 +4 位作者 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期549-551,共3页
利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长... 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性· 展开更多
关键词 探测器 LT-gaas 谐振腔增强 分布布喇格反射镜
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GaAs微条粒子探测器的设计 被引量:2
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作者 邵传芬 史常忻 +1 位作者 凌行 温伯莹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期60-63,共4页
介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0... 介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。 展开更多
关键词 gaas 微条粒子 探测器 反向电击穿 二极管
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GaAs光电导辐射探测器响应实验研究 被引量:2
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作者 张建福 张国光 +3 位作者 宋纪文 张小东 陈亮 李大海 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期837-841,共5页
实验研究了具有极快响应的SI-LEC GaAs光电导辐射探测器的响应,测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532 nm直流激光的灵敏度。实验结果表明:SI-LEC GaAs光电导辐射探测器时间响应约为100 ps,与探测器偏压无关,但受测试系统的影响较大... 实验研究了具有极快响应的SI-LEC GaAs光电导辐射探测器的响应,测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532 nm直流激光的灵敏度。实验结果表明:SI-LEC GaAs光电导辐射探测器时间响应约为100 ps,与探测器偏压无关,但受测试系统的影响较大;用中子辐照改性和改进工艺的方法可提高探测器的时间响应;探测器的直流激光响应与偏压则呈线性关系。 展开更多
关键词 gaas探测器 时间响应 灵敏度 中子辐照
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GaAs微条粒子探测器的辐照特性 被引量:1
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作者 邵传芬 朱美华 史常忻 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期221-224,共4页
设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能... 设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm. 展开更多
关键词 gaas微条粒子探测器 辐照特性 高能粒子辐照 金属-半导体-金属结构
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三结GaAs太阳电池粒子辐照位移损伤模型简化 被引量:3
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作者 呼文韬 张岩松 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期401-403,421,共4页
空间三结GaAs太阳电池粒子辐照衰降模型建立的难点在于以往的模型需要对三结电池逐层分析分别建模然后再统一到一起,通过对三结电池三个子电池耐辐照能力进行分析再结合粒子入射过程中连续慢化原理及薄靶近似原理对质子的非电离能损进... 空间三结GaAs太阳电池粒子辐照衰降模型建立的难点在于以往的模型需要对三结电池逐层分析分别建模然后再统一到一起,通过对三结电池三个子电池耐辐照能力进行分析再结合粒子入射过程中连续慢化原理及薄靶近似原理对质子的非电离能损进行了修正,从而将三结电池的辐照衰降模型简化为单结模型。 展开更多
关键词 三结gaas电池 粒子辐照 衰降 位移损伤模型 NIEL
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基于Surfscan系统的GaAs/Ge反向畴 被引量:1
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作者 师巨亮 牛晨亮 +2 位作者 韩颖 夏英杰 张曦 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第6期406-409,419,共5页
对于GaAs/Ge反向畴(APD)的表征,常用的测试方法是扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)等,这些方法都存在局部表征所带来的测试误差问题。为此引入了Surfscan系统,该检测系统具有快速、全片和量化结果等优点。... 对于GaAs/Ge反向畴(APD)的表征,常用的测试方法是扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)等,这些方法都存在局部表征所带来的测试误差问题。为此引入了Surfscan系统,该检测系统具有快速、全片和量化结果等优点。首先,利用Surfscan结合SEM对反向畴差别较大的样品进行了测试表征,结果显示结合SEM的局域形貌表征和Surfscan的全片表征,可以对反向畴进行更加准确的表征。通过进一步优化工艺温度,对Surfscan在反向畴差别相对较小的情况下的应用进行了研究,结果显示:利用Surfscan优化工艺温度是非常有效的,而且对于该实验,当反向畴被有效抑制时,反向畴主要表现为雾化缺陷(Haze)。上述两个应用说明了Surfscan在反向畴研究中非常具有实用价值。 展开更多
关键词 Surfscan系统 反向畴(APD) 颗粒 HAZE gaas/GE
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1.06μm连续激光辐照GaAs探测器的理论研究 被引量:4
14
作者 赵建君 宋春荣 刘进 《军械工程学院学报》 2005年第6期21-24,共4页
建立了高斯型连续激光辐照GaAs探测器物理模型,近似解析计算了圆柱形GaAs靶板的三维温度场.数值分析了激光辐照时GaAs探测器的信号异常及熔融损伤的情况,并计算了相应的损伤阈值.理论计算与实验结论能够精确的一致,理论模型为评论同类... 建立了高斯型连续激光辐照GaAs探测器物理模型,近似解析计算了圆柱形GaAs靶板的三维温度场.数值分析了激光辐照时GaAs探测器的信号异常及熔融损伤的情况,并计算了相应的损伤阈值.理论计算与实验结论能够精确的一致,理论模型为评论同类激光效应以及激光对抗的激光加固提供了参考. 展开更多
关键词 gaas探测器 高斯光束 损伤阈值
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Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究
15
作者 郭康瑾 胡维央 +1 位作者 姚文兰 陈莲勇 《电子科学学刊》 CSCD 1992年第5期517-522,共6页
Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5~3×10^(15)cm^(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10^(15)cm^(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形... Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5~3×10^(15)cm^(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10^(15)cm^(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600(?)移动到8835(?),截止波长可延伸到9700(?),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。 展开更多
关键词 雪崩 光电探测器 gaas 肖特基势垒
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GaAs IMSM光电探测器及其与FET的单片集成研究
16
作者 张永刚 林瑜 +1 位作者 陈慧英 潘慧珍 《高速摄影与光子学》 CSCD 1990年第2期205-208,共4页
采用S.I.GaAs衬底上MBE生长的两层结构外延材料制作了IMSM-PD并与采用离子注入材料制作的IMSM-PD的特性进行了比较,结果表明采用MBE材料的器件特性较优,在5V偏置电压下暗电流小于1nA。已将IMSM-PD与MESFET放大电路进行了单片集成构成光... 采用S.I.GaAs衬底上MBE生长的两层结构外延材料制作了IMSM-PD并与采用离子注入材料制作的IMSM-PD的特性进行了比较,结果表明采用MBE材料的器件特性较优,在5V偏置电压下暗电流小于1nA。已将IMSM-PD与MESFET放大电路进行了单片集成构成光接收器。 展开更多
关键词 光电探测器 gaas 单片集成 衬底
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兆声清洗在GaAs PHEMT栅凹槽工艺中的应用
17
作者 周国 张力江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期219-222,共4页
对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析。设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利... 对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析。设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利用颗粒度测试仪分别测试了4英寸圆片表面不同粒径的沾污颗粒数在喷淋和兆声清洗两种条件下的变化情况。比较两种清洗结果,兆声清洗方法可以有效去除栅凹槽颗粒沾污。在实际流片过程中,采用兆声清洗方法大幅降低了源漏间沟道漏电数值,同时芯片的直流参数成品率由之前的75%提高到了93%。 展开更多
关键词 gaas赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 栅凹槽 颗粒沾污 兆声清洗 漏电
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用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计 被引量:3
18
作者 王玉 张永明 +3 位作者 李澄 吴瑞生 陈宏芳 汪晓莲 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期105-107,123,共4页
介绍了一种用于 Ga As半导体探测器 ,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到 :电荷灵敏度 2× 10 12 V/ C,等效噪声电荷 <10 0 (电子 -空穴 ) ,上升时间<10
关键词 gaas半导体探测器 前置放大器设计 电荷灵敏
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NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除 被引量:5
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作者 陈高善 程宏昌 +4 位作者 石峰 刘晖 冯刘 任兵 成伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期205-210,共6页
借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍... 借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍了寻找、排除微颗粒污染物的方法,并由成分分析结果,找到并排除了UHV系统内Mo微颗粒污染物产生的源头。发现在UHV系统内,传递杆等可移动部件的较粗糙表面具有携带、输运、抛撒微颗染污染物的功能。对UHV系统进行了全面的清洗处理,使其恢复到了原有的正常状态。 展开更多
关键词 表面微颗粒污染 UHV系统污染 gaas光电阴极表面污染 能谱成分分析 线性传递杆
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高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的研制 被引量:1
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作者 吴人齐 尹洁 +3 位作者 项金真 陈正豪 崔大复 周均铭 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期40-42,49,共4页
GaAs/AlGaAs多量子阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对其基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×1011cmHz1/2W-1,Rλ=2.32×106V/W,峰值... GaAs/AlGaAs多量子阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对其基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×1011cmHz1/2W-1,Rλ=2.32×106V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。 展开更多
关键词 量子阱 红外探测 砷化镓 ALgaas
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