CMOS图像传感器的发展现状

目的 了解当前 CMOS图像传感器的发展状况 .方法 详细介绍了图像传感器的历史背景、发展现状、像素单元的结构、工作原理以及 CMOS图像传感器芯片的整体结构 ,并比较了 CMOS图像传感器和 CCD图像传感器的优、缺点 .结果 指出了 CMOS图像传感器发展趋势 .结论

CMOS有源象素图象传感器

介绍了ＣＭＯＳ图象传感器一般结构、ＣＭＯＳ图象传感器的象元结构和在片模拟信号处理，并介绍了两种典型的ＣＭＯＳ有源象素图象传感器。

CMOS图像传感器的基本原理及设计考虑

介绍CMOS图像传感器的基本原理、潜在优点。

CMOS图像传感器的发展及应用

比较了 CMOS 图像传感器与 CCD 图像传感器的优缺点,分析了 CMOS 图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。指出随着 CMOS 传感器技术的发展,CMOS 图像传感器可以代替CCD 图像传感器,并预见了其发展趋势。

新型CMOS图像传感器及其应用

主要介绍CMOS图像传感器的发展现状、最新进展、市场前景及其在医学上的应用。

论数字多媒体资源的被动取证

阐述数字取证的定义及重要作用,从数字图像、数字视频、数字音频3个方面,论述数字多媒体资源的被动取证技术,认为目前还没有形成一套完整的多媒体资源的数字取证理论和实验体系,大多数还处于探索阶段,有待进一步深入研究。

CMOS图像传感器成像系统

介绍 CMOS图像传感器的历史背景、发展现状、像素单元的结构、工作原理以及CMOS图像传感器芯片的整体结构 ,比较了 CMOS图像传感器和 CCD图像传感器的性能 ,详细阐述了整个

钝化层及P型基底结构优化对电子轰击型有源传感器电荷收集效率影响的研究

为获得高增益的电子轰击型有源传感器(EBAPS),对EBAPS成像器件中电子倍增层的电荷收集效率的影响因素进行了研究。基于载流子输运理论,采用蒙特卡罗方法研究了钝化层种类、厚度、入射电子能量、P型基底厚度和掺杂浓度对二次电子分布及收集的影响。结果表明:为提高入射电子的入射深度进而提高电荷收集效率,宜采用密度小的SiO_(2)作为钝化层;为了减少钝化层对倍增电子的复合进而提高电荷收集效率,宜降低钝化层厚度和提高入射电子能量;为了降低倍增电子扩散过程中载流子的复合进而提高电荷收集效率,宜降低P型基底的厚度和掺杂浓度。