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Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征(英文) 被引量:1
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作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 C-V特性 pb(zrTi)o3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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溶胶–凝胶法制备Pb(Zr_x,Ti_(1–x))O_3薄膜研究进展 被引量:1
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作者 王锡彬 熊杰 +2 位作者 郭培 朱聪 陶伯万 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期70-75,共6页
Pb(Zrx,Ti1-x)(PZT)铁电薄膜因具有优良的铁电性、压电性、热释电性和声光性能而受到广泛关注,其电、光性能与其制备过程密切相关。简要介绍了PZT薄膜制备工艺流程,系统地从前驱体溶液、摩尔比r(Zr:Ti)、热处理工艺、电极材料以及掺杂... Pb(Zrx,Ti1-x)(PZT)铁电薄膜因具有优良的铁电性、压电性、热释电性和声光性能而受到广泛关注,其电、光性能与其制备过程密切相关。简要介绍了PZT薄膜制备工艺流程,系统地从前驱体溶液、摩尔比r(Zr:Ti)、热处理工艺、电极材料以及掺杂改性等五个方面概述了sol-gel法制备PZT薄膜的研究进展,并指出了目前sol-gel法制备PZT铁电薄膜研究中存在的一些问题以及未来的研究方向。 展开更多
关键词 pb(zrx Ti1–x)o3 铁电薄膜 综述 SoL-GEL法
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Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
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作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 C-V特性 pb(zrTi)o3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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组合法制备Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3铁电薄膜及性能研究
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作者 何岗 彭超 +4 位作者 赵德森 何明中 洪建和 栗海峰 公衍生 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期25-29,共5页
为了系统地探讨Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜组成-结构-性能之间的规律,在室温和无蒸馏回流条件下,利用配制的前驱溶液PT(Pb和Ti的金属有机物溶液)和PZ(Pb和Zr的金属有机物溶液)及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb(... 为了系统地探讨Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜组成-结构-性能之间的规律,在室温和无蒸馏回流条件下,利用配制的前驱溶液PT(Pb和Ti的金属有机物溶液)和PZ(Pb和Zr的金属有机物溶液)及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜.XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111),晶格参数变化规律与传统方法制备的PZT薄膜的结果一致.x=0.3的前驱体在200℃附近出现特殊的热分解现象.XPS测试结果证实薄膜成分基本符合理论值,SEM结果显示薄膜界面清晰,与基片接触良好,厚度在450 nm左右.电滞回线测试表明,富钛区样品剩余极化与矫顽场都较大;近准同型相界附近样品具有良好的铁电性,剩余极化较大且矫顽场较小;富锆区样品剩余极化与矫顽场较小,出现反铁电特征. 展开更多
关键词 化学溶液分解 组合合成 pb(zrxTi1-x)o3 薄膜 铁电性
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Pb_(0.45)Ca_(0.55)(Fe_(0.5)Nb_(0.5))_(0.9)(Sn_(1-x)Zr_x)O_3微波陶瓷介电性能的研究
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作者 范跃农 李祥太 +2 位作者 李蔓华 曹良足 胡鸿豪 《中国陶瓷工业》 CAS 2006年第3期5-6,4,共3页
研究了B位Zr、Sn共掺杂对PCFN微波陶瓷相组成及介电性能的影响。发现总掺杂量为10mol%、Zr/Sn为1:1时,样品中出现了未知第二相。当Zr/Sn<1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而降低,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而增大;当Zr/Sn&g... 研究了B位Zr、Sn共掺杂对PCFN微波陶瓷相组成及介电性能的影响。发现总掺杂量为10mol%、Zr/Sn为1:1时,样品中出现了未知第二相。当Zr/Sn<1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而降低,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而增大;当Zr/Sn>1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而增大,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而降低。 展开更多
关键词 pb0.45Ca0.55(Fe0.5Nb0.5)0.9(Sn1-xzrx)o3 微波陶瓷 介电性能
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烧结温度和升温速率对Pb(Sb1/3Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷性能的影响 被引量:6
6
作者 杨坚 严继康 +3 位作者 康昆勇 徐腾威 易健宏 甘国友 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期962-967,共6页
采用传统固相法制备了Pb(Sb_(1/3)Mn_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3(PMS-PZT)压电陶瓷。利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性... 采用传统固相法制备了Pb(Sb_(1/3)Mn_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3(PMS-PZT)压电陶瓷。利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性能的影响。结果表明:不同烧结温度下,所有样品均为单一的钙钛矿四方相,过渡液相不会对相的结构有影响,但是当烧结温度较低时,过渡液相在烧结后期以玻璃相在晶界附近富集,对陶瓷的压电和介电性能有很大影响。随着烧结温度和升温速率的升高,PMS-PZT晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高;d33测试和阻抗分析测试结果表明PMS-PZT样品在1100℃附近以7℃·min-1升温速率并在1250℃烧结时具有最好的压电和介电性能:d33=313 C/N,kp=0.59,Qm=1481,εr=1437,tanδ=0.53%。 展开更多
关键词 pb(Sb1/3Mn2/3)0.05zr0.47Ti0.48o3 压电陶瓷 烧结温度 升温速率
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Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3电子结构的第一性原理研究 被引量:4
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作者 赵庆勋 王书彪 +1 位作者 关丽 刘保亭 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期951-956,共6页
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3五层超晶胞的顺电相和铁电相的电子结构.由态密度、电子密度和能带结构的计算结果发现顺电相下钛氧八面体Ti-O6和锆氧八面体Zr-O6在铁电相中分裂为由1个O1离子和4个O2离子... 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3五层超晶胞的顺电相和铁电相的电子结构.由态密度、电子密度和能带结构的计算结果发现顺电相下钛氧八面体Ti-O6和锆氧八面体Zr-O6在铁电相中分裂为由1个O1离子和4个O2离子组成的金字塔结构Ti-O5和Zr-O5;与顺电相相比,铁电相中钛离子的3d电子和氧离子的2p电子存在更强的轨道杂化,这种杂化降低了离子间的短程排斥力,使得具有铁电性的四方结构更为稳定,而且钛离子与氧离子的相互作用对于铁电相Pb(Zr0.4Ti0.6)O3沿c轴自发极化的贡献大于锆离子与氧离子的相互作用;由电子密度的分布可推断立方结构的Pb-O键呈现离子键特征,而铁电相下Pb-O键则有较大的共价成分,铅离子与氧离子的这种轨道杂化对Pb(Zr0.4Ti0.6)O3的铁电性起重要作用.所得结果对深入理解Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电性的微观机理具有参考价值. 展开更多
关键词 铁电体 pb(zr0.4 Ti0.6)o3 电子结构 第一性原理
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Effects of Thermal Conditions in the Phase Formation of Undoped and Doped Pb(Zr<sub>1-x</sub>Ti<sub>x</sub>)O<sub>3</sub>Solid Solutions
8
作者 Zelikha Necira Ahmed Boutarfaia +2 位作者 Malika Abba Hayet Menasra Nora Abdessalem 《Materials Sciences and Applications》 2013年第5期319-323,共5页
The purpose of this research is to study the effect of thermal conditions such as temperature ramp rate and isothermal times in the phase formation of Pb(Zr1-xTix)O3 solid solutions with composition near the morphotro... The purpose of this research is to study the effect of thermal conditions such as temperature ramp rate and isothermal times in the phase formation of Pb(Zr1-xTix)O3 solid solutions with composition near the morphotropic phase boundary (MPB) by using the conventional ceramic method. The perovskite phase formation and morphology of undoped Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (abbreviated PZT) and doped new material Pb0.98Gd0.02[(Zr0.52Ti0.48)0.98(Mg1/3Nb2/3)0.01(Ni1/3Sb2/3)0.01]O3 (abbreviated PZT-PGMNNS) specimens calcined between 700°C and 900°C have been examined by powder X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Fourier Transform Infrared (FTIR) while the thermal evolution of the initial precursor was followed by TG-DTA. So the results of these studies have been discussed. 展开更多
关键词 pb(zr1-xtix)o3 Morphotropic PHASE Boundary CoNVENTIoNAL Ceramic Method Perovskite PHASE
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冲击波作用下Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3铁电陶瓷去极化后电阻率动态特性 被引量:2
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作者 伍友成 刘高旻 +4 位作者 戴文峰 高志鹏 贺红亮 郝世荣 邓建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期229-234,共6页
在冲击波压力作用下,极化Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3(PZT95/5)铁电陶瓷会发生铁电-反铁电相变失去极化,由于冲击波压力高、作用时间短,伴随材料去极化相变出现的瞬态电导特性难以准确测试.本文建立了新的实验方法,采用脉冲电容器作为冲... 在冲击波压力作用下,极化Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3(PZT95/5)铁电陶瓷会发生铁电-反铁电相变失去极化,由于冲击波压力高、作用时间短,伴随材料去极化相变出现的瞬态电导特性难以准确测试.本文建立了新的实验方法,采用脉冲电容器作为冲击波加载铁电陶瓷脉冲电源的输出负载,在冲击波压力约3.5 GPa的实验中直接测得铁电陶瓷的漏电流,计算得到PZT95/5铁电陶瓷去极化后的电阻率,变化范围为2.2×10~4—3.5×10~4?·cm;在实验数据的基础上,建立了动态电阻模型,对冲击波传播过程中PZT95/5铁电陶瓷去极化后的电阻率进行了分析,初步揭示了冲击波作用下PZT95/5铁电陶瓷去极化后电阻率的动态特性. 展开更多
关键词 pb (zr0.95Ti0.05) o3 冲击波 去极化 电阻率
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高压电常数(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1-x)Sn_x)O_3陶瓷结构与性能研究 被引量:4
10
作者 江向平 李璐 +3 位作者 陈超 唐洁 郑凯平 李小红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期33-37,共5页
采用传统固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1-xSnx)O3 (CBTZS-x)无铅压电陶瓷, 研究了不同Sn含量(x=0~0.1)对CBTZS-x陶瓷相结构、介电以及压电性能的影响。实验结果表明: 所有样品均为纯钙钛矿结构; 随着Sn含量增加, 室温... 采用传统固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1-xSnx)O3 (CBTZS-x)无铅压电陶瓷, 研究了不同Sn含量(x=0~0.1)对CBTZS-x陶瓷相结构、介电以及压电性能的影响。实验结果表明: 所有样品均为纯钙钛矿结构; 随着Sn含量增加, 室温下样品逐渐由三方和四方相共存结构转变为四方相结构, 且三方-四方相转变温度TR-T和居里温度TC均逐渐减小, 当x=0.04时, TR-T更接近于室温, 此时表现出优异的压电性能; 样品的剩余极化强度Pr和矫顽场Ec随着x增加均呈现出减小的趋势, 而相对介电常数εr则逐渐增大。当x=0.04时, CBTZS-x材料的综合性能最佳: d33=665 pC/N, kp=55.6%, εr=4520, Pr=12.5 μC/cm2, Ec=1.6 kV/cm, 表明该陶瓷材料具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 (Ba0 85Ca0 15)(Ti0 9zr0 1-xSnx)o3 压电性能 介电性能
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后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响 被引量:6
11
作者 赖珍荃 李新曦 +3 位作者 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2003年第1期26-28,44,共4页
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-... 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 pb(zr0.52Ti0.48)o3薄膜
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磁控溅射工艺参数对Pb(Zr,Ti)O_3薄膜织构的影响 被引量:3
12
作者 杨帆 孙跃 +1 位作者 李伟力 费维栋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期60-62,共3页
利用RF磁控溅射法制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,利用X射线衍射(XRD)法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明,在小靶基距时,过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜... 利用RF磁控溅射法制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,利用X射线衍射(XRD)法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明,在小靶基距时,过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜的织构及其织构散漫度,提高溅射气压及溅射功率,(111)织构漫散度随之提高。在靶基距为80mm时,选择150W、0.7Pa的溅射工艺可获得具有最佳(100)织构的PZT薄膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 pb(zr Ti)o3薄膜 织构
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弛豫型铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-xPbTiO_3研究进展 被引量:6
13
作者 曹健 朱建国 +2 位作者 熊学斌 乐夕 肖定全 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期382-385,395,共5页
钽钪酸铅陶瓷具有优良的介电、压电和铁电性能,但烧成温度高、居里点较低。为降低钽钪酸铅陶瓷的烧结温度并提高其居里点,人们合成了钽钪酸铅-钛酸铅(简称PSTT)材料体系。该文综述了弛豫型铁电陶瓷PSTT体系在相图与结构、制备和性能等... 钽钪酸铅陶瓷具有优良的介电、压电和铁电性能,但烧成温度高、居里点较低。为降低钽钪酸铅陶瓷的烧结温度并提高其居里点,人们合成了钽钪酸铅-钛酸铅(简称PSTT)材料体系。该文综述了弛豫型铁电陶瓷PSTT体系在相图与结构、制备和性能等方面的研究进展,探索了一种合成PSTT陶瓷新工艺,介绍了PSTT材料体系的重要应用领域。 展开更多
关键词 弛豫型铁电陶瓷 (1-x)pb(Sc1/2Ta1/2)o31-xpbTio3 钙钛矿
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0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长 被引量:6
14
作者 徐家跃 范世(?) 孙仁英 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期721-724,共4页
研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只... 研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。PbO助溶剂比较适合于生长具有铁电性的钙钛矿相PZNT91/9单晶。助溶剂法生长的工艺参数为:溶质与PbO助溶剂的摩尔比为l:l,泡料温度1 150-1 200℃,泡料时间10 h,晶体生长时降温速度0.8-2℃/h,当温度降到900℃时停止生长,以50℃/h快速冷却至室温。所得晶体为琥珀色,最大尺寸达φ30 mm×15 mm,其压电系数和机电偶合系数分别为2000 pc/N和0.92。 展开更多
关键词 0.91pb(Zn1/3Nb2/3)o3-0.09pbTio3 析晶行为 助溶剂法 铌锌钛酸铅 钙钛矿相 晶体生长
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Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_3的制备及其介电性能研究 被引量:5
15
作者 崔斌 屈绍波 +1 位作者 田长生 史启祯 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第3期371-374,348,共5页
本文采用半化学法 ,即硝酸铁代替传统氧化物混合法中的三氧化二铁与PbO和WO3 浆料混合 ,经 85 0℃ ,2h预烧 ,一步合成了钙钛矿单相的Pb(Fe2 3 W1 3 )O3 (PFW)预烧粉体 ;再经 870℃和 2h烧结 ,得到了纯钙钛矿相的PFW陶瓷 ,其理论密度大... 本文采用半化学法 ,即硝酸铁代替传统氧化物混合法中的三氧化二铁与PbO和WO3 浆料混合 ,经 85 0℃ ,2h预烧 ,一步合成了钙钛矿单相的Pb(Fe2 3 W1 3 )O3 (PFW)预烧粉体 ;再经 870℃和 2h烧结 ,得到了纯钙钛矿相的PFW陶瓷 ,其理论密度大于 98% ,在 1kHz时的最大介电常数εmax为 80 0 0 ,高于二次合成法和传统氧化物法制备的PFW陶瓷 。 展开更多
关键词 pb(Fe2/3W1/3)o3 制备 介电性能 钨铁酸铅 钙钛矿相 弛豫铁电陶瓷 半化学法
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Pb(Zr,Ti)O_3薄膜微区残余应力的X射线面探扫描分析 被引量:2
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作者 杨帆 费维栋 +1 位作者 高忠民 蒋建清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1097-1101,共5页
根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb(Zr,Ti)O3薄膜微区残余应力的测量方法,即通过基于X射线衍射圆锥形变的分析来表征薄膜的残余应力,试验结果表明薄膜... 根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb(Zr,Ti)O3薄膜微区残余应力的测量方法,即通过基于X射线衍射圆锥形变的分析来表征薄膜的残余应力,试验结果表明薄膜所受为残余拉应力,同时利用X射线面探扫描方法评价了薄膜的残余应力分布。 展开更多
关键词 pb(zr Ti)o3薄膜 X射线二维衍射 多晶面探衍射仪 残余应力
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ZnO-B_2O_3-SiO_2玻璃对Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.95)Zr_(0.15)]O_(3+δ)陶瓷微波介电性能的影响 被引量:5
17
作者 熊钢 周东祥 龚树萍 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期12-14,共3页
研究了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响。研究表明ZBS的掺入能有效降低Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷体系的烧结温度150-200℃,谐振频率温度系数随ZBS掺入量增加及烧结温度的提高,由负值... 研究了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响。研究表明ZBS的掺入能有效降低Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷体系的烧结温度150-200℃,谐振频率温度系数随ZBS掺入量增加及烧结温度的提高,由负值向正值方向移动。在1000℃,掺入质量分数7wt%的ZBN,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.1,Qf=9550GHz,Tf=-8.9ppm/℃,在960℃烧结4小时,可获得介电性能为:εf=28.6,Qf=641OGHz,Tf=-9.8ppm/℃陶瓷样品。 展开更多
关键词 Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95zr0.15]o3+δ陶瓷 低温烧结 ZBS玻璃 微波介电特性
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Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3晶体组分对结构与性能的影响 被引量:2
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作者 许桂生 王晓锋 +1 位作者 杨丹凤 段子青 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期506-511,共6页
用熔体Modified Bridgman法生长出尺寸直径40 mm长度80 mm的弛豫铁电单晶PMNT90/10,表明该方法不仅适合在准同型相界(MPB)附近生长PMNT单晶,也适合生长PT含量很低的PMNT单晶.在生长出的PMNT90/10晶体中,铁电相与顺电相两相共存,并呈现... 用熔体Modified Bridgman法生长出尺寸直径40 mm长度80 mm的弛豫铁电单晶PMNT90/10,表明该方法不仅适合在准同型相界(MPB)附近生长PMNT单晶,也适合生长PT含量很低的PMNT单晶.在生长出的PMNT90/10晶体中,铁电相与顺电相两相共存,并呈现亚微畴结构特征.随着晶体组分由PMN组元变化到MPB组分附近,PMNT的电畴结构呈现微畴-亚微畴- 不规则宏畴-规则宏畴演化系列,而介电弛豫特性则逐步弱化.PMNT固熔体的电学性能依赖于晶体组分,(001)切型PMSNT90/10晶体的压电常数d33约80 pC/N,显著低于MPB附近组分,但其介电常数ε达到12600,明显高于后者. 展开更多
关键词 无机非金属材料 晶体生长 BRIDGMAN法 pb(Mg1/3Nb2/3)o3-pbTio3 弛豫铁电体 压电性能
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微秒脉冲电场下Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3陶瓷击穿过程电阻变化规律 被引量:1
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作者 刘艺 杨佳 +2 位作者 李兴 谷伟 高志鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期299-304,共6页
陶瓷作为应用非常广泛的一种材料,其电击穿问题一直是研究的重点和热点.由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应,目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题.针对此问题进行分析,实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷,通过对陶瓷击... 陶瓷作为应用非常广泛的一种材料,其电击穿问题一直是研究的重点和热点.由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应,目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题.针对此问题进行分析,实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷,通过对陶瓷击穿过程中等效电阻的研究,揭示了PZT95/5陶瓷样品体击穿和沿面闪络形成过程的异同.结果显示,在两种击穿模式下,陶瓷样品内部均会在40 ns左右形成导电通道,陶瓷等效电阻急剧下降至10~5?量级;然后体击穿与沿面闪络的导电通道以不同的速率继续扩展;电阻减小速率与导电通道上载流子的浓度有关,二者的等效电阻以不同速率减小,直至导电通道达到稳定. 展开更多
关键词 pb0.99(zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02o3 脉冲高压 击穿 等效电阻
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Sol-gel法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜 被引量:1
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作者 郭冬云 毛薇 +4 位作者 秦岩 黄志雄 王传彬 沈强 张联盟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期16-19,28,共5页
利用Sol—gel工艺在Pt/Ti/SiO2/si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜... 利用Sol—gel工艺在Pt/Ti/SiO2/si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构;升高退火温度(500-850℃)、延长保温时间(30~150min)、增加薄膜厚度(120-630nm)都有利于PZT晶粒的长大。在650~750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能,保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大,PZT薄膜的厚度为200-300nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别是72μC/cm^2、158kV/cm。 展开更多
关键词 pb(zr0.53Ti0.47)o3薄膜 Sol—gel工艺 退火温度 保温时间 薄膜厚度 铁电性能
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