在(111)Si基底上直接溅射合成PbTiO_3薄膜以及Pb损失的抑制

利用射频磁控溅射系统，采用 Ｔｉ、Ｐｂ组合靶，以 Ｏ２为反应气体，在（ １１１） Ｓｉ基板上直接沉积 ＰｂＴｉＯ３薄膜，通过对不同基底温度以及沉积后的薄膜在不同的氧气氛中来用不同的降温速率降温制备。通过对所得的薄膜的结构和组成以及光学和电学特性的测试、分析得出：在５３５℃时沉积、溅射后直接充入 １０７Ｐａ的氧气并且以 ３℃／ｍｉｎ的速率降至室温，制备出了性能较好的具有钙钛矿结构的ＰｂＴｉＯ３薄膜。并对薄膜的形成机理进行了探讨。