PbI_2掺杂对CH_3NH_3PbI_3光电性能的影响

采用溶液生成法制备了有机铅卤化钙钛矿(CH_3NH_3PbI_3)晶体粉末,并以过量的PbI_2对其进行掺杂,采用X射线衍射谱(XRD)技术研究了掺杂前后样品的晶体结构变化。表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)显示掺杂前后的CH_3NH_3PbI_3均为p型半导体,但后者有更强的光伏响应。场诱导表面光电压谱(FISPS)表明:当加正电场时,掺杂前后的CH_3NH_3PbI_3均表现为p型半导体的载流子特性,当加负偏压时掺杂后的CH_3NH_3PbI_3易形成反型层,出现光伏反转,且外加负偏压越大,光伏反转区域越大,表现出双极导电特性。

PbTe基合金的热压制备与热电性能

以Pb粉,Te粉和PbI2粉为原料,采用固相合成方法合成了掺杂PbI2(0.03,0.05,0.1,0.3at%)N型PbTe合金,XRD分析表明,合金具有NaCl型面心立方结构。采用热压烧结法将PbTe合金粉末烧结成块体材料,运用XRD,SEM方法对材料的物相组成和形貌进行了表征,表明热压烧结后材料仍保持NaCl型面心立方结构,出现偏析现象,分为富Te相和富Pb相,其中富Pb相呈现片状。通过材料热电性能参数的测试,研究了20MPa下不同热压烧结温度,不同含量PbI2掺杂对材料热电性能的影响,结果表明合理热压烧结温度对材料的热电性能提高起到关键作用,当PbI2含量为0.1at%时,PbTe合金在350℃具有最高的功率因子2.48mW/(m.K2)。