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PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:模型与算法 被引量:4
1
作者 于光龙 朱建国 +2 位作者 朱基亮 芦苇 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1531-1534,共4页
提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;... 提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;Monte Carlo事件由沉积事件,扩散事件和脱附事件组成;根据PbTiO3的组成确定沉积原子的种类和比例,即根据Pb∶Ti∶O为1∶1∶3的比例借助一随机数随机选择原子的种类;原子扩散能力与扩散激活能相关,单个原子的扩散步数由沉积速率与实际扩散时间决定;激活能采用库仑势计算,其大小不仅与原子周围的架构相关,而且与架构中原子的种类相关.有关模拟结果将在另文中给出. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 pbtio3薄膜 氧化物
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PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论 被引量:1
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作者 于光龙 朱建国 +2 位作者 朱基亮 芦苇 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1535-1537,共3页
根据本文作者提出的基于Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,并以PbTiO3薄膜为例模拟了多元氧化物薄膜生长初期的表面形貌.模拟中选定两个输入参数为沉积速率和沉积温度,并根据相关... 根据本文作者提出的基于Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,并以PbTiO3薄膜为例模拟了多元氧化物薄膜生长初期的表面形貌.模拟中选定两个输入参数为沉积速率和沉积温度,并根据相关研究报道的实验条件,分别取沉积速率处于0.1~0.001nm/s之间,沉积温度处于800~1000K之间.模拟结果表明,在薄膜生长的初始阶段,沉积速率和沉积温度对薄膜形貌的影响很大,随着沉积速率的降低和沉积温度的升高,初始凝聚岛的面积增大,总的岛的数目减小;在较低的沉积速率和较高的沉积温度条件下更容易得到薄膜的层状生长. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 pbtio3薄膜 氧化物
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PbTiO3/SrTiO3(010)异质界面上的周期性失配位错及电子富集 被引量:1
3
作者 陈星 田鹤 张泽 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第11期50-55,共6页
探索位错等缺陷对于铁电材料畴结构、铁电性、电导率等其他物理属性的影响对于研究铁电薄膜材料的铁电及压电机理有着至关重要的作用,关于界面位错对铁电薄膜材料物理性质产生影响的现有研究结果也还存在争议,有待深入探究。本文采用球... 探索位错等缺陷对于铁电材料畴结构、铁电性、电导率等其他物理属性的影响对于研究铁电薄膜材料的铁电及压电机理有着至关重要的作用,关于界面位错对铁电薄膜材料物理性质产生影响的现有研究结果也还存在争议,有待深入探究。本文采用球差矫正透射电镜(STEM)以及电子能量损失谱(EELS)研究了(010)晶面PbTiO3/SrTiO3异质界面上的周期性失配位错的原子结构及电荷分布。分析结果发现在a[001]位错核区域及其附近,可能存在着电子富集的现象,该现象可能会提高位错线上的电子电导率,该结果对于探究位错对铁电异质结体系物理性质的影响具有意义。 展开更多
关键词 pbtio3 SRTIO3 异质界面 失配位错 球差矫正透射电镜 电子能量损失谱
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Sn含量对PbSnO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3三元系压电陶瓷相结构和电性能的影响 被引量:1
4
作者 王大伟 赵全亮 +2 位作者 曹茂盛 崔岩 ZHANG Shu-Jun 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-32,共5页
采用两步钶铁矿前驱体工艺制备了PbSnO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PSn-PMN-PT) 三元系压电陶瓷, 研究了Sn含量的变化对PSn-PMN-PT 三元系压电陶瓷结构和性能的影响。XRD结果表明, 所选成分均处于三方相和四方相共存的准同型相界上, ... 采用两步钶铁矿前驱体工艺制备了PbSnO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PSn-PMN-PT) 三元系压电陶瓷, 研究了Sn含量的变化对PSn-PMN-PT 三元系压电陶瓷结构和性能的影响。XRD结果表明, 所选成分均处于三方相和四方相共存的准同型相界上, 当Sn含量减少时, PSn-PMN-PT的XRD图谱基本没有发生变化, 而当Sn含量增加时, 在XRD图谱中逐渐出现烧绿石相。电性能研究表明, 缺失少量Sn可以提高PSn-PMN-PT的压电、介电和铁电性能, 减小损耗; 而添加过量Sn明显损害其压电和铁电性能, 增加损耗。缺失0.2mol%Sn的PSn-PMN-PT具有最佳的压电和铁电性能, d33: -530 pC/N, kp: -56.4%, Qm: -570, εr: -3070, tanδ: -0.32%, Pr: -28.9 μC/cm2, EC: -8 kV/cm。 展开更多
关键词 压电陶瓷 PbSnO3-Pb(Mg1 3Nb2 3)O3-pbtio3 压电性能 准同型相界
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硬酯酸法合成PbTiO3超细粉末
5
作者 徐崇泉 余大书 +1 位作者 郭慎满 董相庭 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期250-252,共3页
采用硬酯酸.钛酸四丁酯和氧化铅力原料,通过溶胶一凝胶的方式获得了PbTiO3超细粉末,实验结果说明其晶化温度降到了382℃,比传统的晶化温度680℃降了近300℃,其平均粒径在50nm以下。
关键词 超细粉末 硬酯酸 超细粉未 pbtio3 钛酸铅 钛酸四丁酯 平均粒径 透射电子显微镜分析 溶胶一凝胶法 晶化温度
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PbTiO3/SrTiO3(010)界面位错与电子富集的研究
6
作者 吴凯 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第11期26-28,共3页
1背景介绍钙钛矿氧化物界面的物理特性,可以通过晶格匹配、应力、极化场等参数进行有效的调控,组合多种优异性质以实现复合功能与多场调控。在铁性异质结材料中,晶格缺陷也可以作为界面调控的手段之一。例如,位错附近的晶格畸变会使铁... 1背景介绍钙钛矿氧化物界面的物理特性,可以通过晶格匹配、应力、极化场等参数进行有效的调控,组合多种优异性质以实现复合功能与多场调控。在铁性异质结材料中,晶格缺陷也可以作为界面调控的手段之一。例如,位错附近的晶格畸变会使铁电材料产生局域应变场,造成局域自发极化强度的显著变化^1。 展开更多
关键词 钙钛矿氧化物 界面调控 铁电材料 复合功能 晶格缺陷 SRTIO3 晶格匹配 pbtio3
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单晶介孔PbTiO3纳米线制备及电输运特性研究 被引量:3
7
作者 翟阿敏 曹广 +3 位作者 皇甫磊磊 王江伟 田鹤 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期9-12,共4页
通过水热法制备了单晶介孔钛酸铅(PbTiO3)纳米线,利用原位透射电子显微技术对其进行了电输运性能研究。结果表明,单根介孔PbTiO3纳米线表现出非线性、不对称的I/V特性;小偏压下表现为欧姆特性,I-V数据满足线性关系;在较高偏压下表现为... 通过水热法制备了单晶介孔钛酸铅(PbTiO3)纳米线,利用原位透射电子显微技术对其进行了电输运性能研究。结果表明,单根介孔PbTiO3纳米线表现出非线性、不对称的I/V特性;小偏压下表现为欧姆特性,I-V数据满足线性关系;在较高偏压下表现为肖特基发射,且ln(J)-E1/2数据满足较好线性规律;在更高偏压下,由于铁电疲劳和热发射现象增强,表现为混合发射;PbTiO3纳米线整体表现出良好的铁电性能,对铁电纳米器件电学性能的调控和优化有一定的参考意义。 展开更多
关键词 pbtio3纳米线 原位透射电镜 肖特基 电输运特性
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改性PbTiO3压电陶瓷的研究与发展
8
作者 廖继红 《张家口职业技术学院学报》 2007年第2期79-80,共2页
本文简要地述了PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性研究现状,着重于PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性的实用意义,介绍了一些具有典型优良压电特性的掺杂配方及其陶瓷材料的机电性能。
关键词 pbtio3 压电陶瓷 压电特性 掺杂改性
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溶胶—凝胶工艺制备PbTiO3薄膜 被引量:1
9
作者 卢朝靖 邝安祥 《薄膜科学与技术》 1993年第1期39-44,共6页
关键词 陶瓷薄膜 pbtio3 溶胶-凝胶 薄膜
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Elastocaloric Effect in PbTiO3 Thin Films with 180°Domain Structure:A Phase Field Study
10
作者 王芳 李波 +2 位作者 欧云 刘龙飞 王伟 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第3期89-92,共4页
The elastocalorie effect of PbTiO3 thin films with 180° domain structure is studied using the phase field method. The influence of external stress σ33, misfit strain μm and domain wall energy on the adiabatic t... The elastocalorie effect of PbTiO3 thin films with 180° domain structure is studied using the phase field method. The influence of external stress σ33, misfit strain μm and domain wall energy on the adiabatic temperature change ( △ Tσ) at room temperature are carried out. The calculation results indicate that |△Tσ| increases as |σ33| or |μm| increases. The largest △ Tσ wlue of--7.81( is obtained at σ33 = 2 GPa and Um =-0.02. Furthermore, the domain switching behaviors under different gradient coeffcients are different, and finally affect the elastocaloric effect in PTO thin films. These results could provide a guide to choose the substrate and the preparation process in experiments. 展开更多
关键词 PTO A Phase Field Study Domain Structure Elastocaloric Effect in pbtio3 Thin Films with 180
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Dynamic Investigations of Pressure-Induced Abnormal Phase Transitions in PbTiO3
11
作者 吴宏博 段益峰 +4 位作者 刘坤 吕东 秦丽霞 石礼伟 唐刚 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第5期138-141,共4页
The effects of pressure on phonon modes of ferroeleetrie tetragonal P4mm and paraelectric cubic Pm3m PbTiOa are systematically investigated by using first-principles simulations. The pressure-induced tetragonal-to-cub... The effects of pressure on phonon modes of ferroeleetrie tetragonal P4mm and paraelectric cubic Pm3m PbTiOa are systematically investigated by using first-principles simulations. The pressure-induced tetragonal-to-cubie and subsequent cubic-to-tetragonal phase transitions are the second-order transitions, which are different from the phase transitions induced by temperature [Phys. Rev. Lett. 25 (1970) 167]. As pressure increases, the lowest A1 and E modes of the tetragonal phase become softer and converge to the F1u mode of the cubic phase. As pressure further increases, the lowest Flu mode first hardens and then softens again, and finally diverges into A1 and E modes. The behaviors of optical phonon modes confirm the ferroelectric-to-paraelectric-to-ferroeleetric phase transitions. 展开更多
关键词 Ti Pb Dynamic Investigations of Pressure-Induced Abnormal Phase Transitions in pbtio3
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High Ferroelectricities and High Curie Temperature of BiInO3PbTiO3Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering Method
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作者 孙科学 张淑仪 Kiyotaka Wasa 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第12期19-22,共4页
Properties of ferroelectric xBiInO3-(1-x)PbTiO3(xBI-(1-x)PT) thin films deposited on(101) SrRuO3/(200)Pt/(200) MgO substrates by rf magnetron sputtering method and effects of deposition conditions are inve... Properties of ferroelectric xBiInO3-(1-x)PbTiO3(xBI-(1-x)PT) thin films deposited on(101) SrRuO3/(200)Pt/(200) MgO substrates by rf magnetron sputtering method and effects of deposition conditions are investigated.The structures of the xBI-(1-x)PT films are characterized by x-ray diffraction and scanning electron microscopy.The results indicate that the thin films are grown with mainly(001) orientation. The chemical compositions of the films are analyzed by scanning electron probe and the results indicate that the loss phenomena of Pb and Bi elements depend on the pressure and temperature during the sputtering process.The sputtering parameters including target composition, substrate temperature, and gas pressure are adjusted to obtain optimum sputtering conditions. To decrease leakage currents,2 mol% La2 O3 is doped in the targets. The P-E hysteresis loops show that the optimized xBI-(1-x)PT(x = 0.24) film has high ferroelectricities with remnant polarization2 Pr = 80μC/cm2 and coercive electric field 2 EC = 300 kV/cm. The Curie temperature is about 640℃. The results show that the films have optimum performance and will have wide applications. 展开更多
关键词 In Pb MGO High Ferroelectricities and High Curie Temperature of BiInO3pbtio3Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering Method
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凝胶法制备PbTiO3薄膜研究
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作者 廖应良 林字仕 《特种玻璃》 1990年第2期39-43,共5页
关键词 溶胶凝胶法 pbtio3 薄膜 钙钛矿
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溶胶—凝胶沉积PbTiO3薄膜成分和结构的XPS分析
14
作者 卢朝靖 王典芬 《薄膜科学与技术》 1995年第1期77-83,共7页
对通过Sol-gel工艺制备的PbTiO3薄膜在Ar^+溅射前后作了XPS全扫描和窄扫描测量,结果表明,除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外,薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在,薄膜的元素组成与化学计量比一致... 对通过Sol-gel工艺制备的PbTiO3薄膜在Ar^+溅射前后作了XPS全扫描和窄扫描测量,结果表明,除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外,薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在,薄膜的元素组成与化学计量比一致,薄膜表面无富集Pb。各元素的化学状态证实薄膜系PbTiO3钙钛矿型结构,Ar^+溅射引起Pb择优溅射和化合物分解。 展开更多
关键词 pbtio3薄膜 XPS 溶胶-凝胶沉积 铁电材料
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PbTiO3薄膜的最新制法
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作者 刘一声 《电子与仪表》 1993年第2期35-39,49,共6页
关键词 pbtio3薄膜 薄膜 制法
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Sm2O3和Gd2O3+Nd2O3对PbTiO3陶瓷机电性能的影响
16
作者 万为民 《电子陶瓷译丛》 1991年第2期22-23,共2页
关键词 陶瓷 pbtio3 机电性能
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缓冲层对铁电PbTiO3薄膜微结构的影响
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作者 刘嘉琦 冯燕朋 +5 位作者 朱银莲 曹毅 刘楠 石彤彤 唐云龙 马秀良 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期673-679,共7页
缓冲层作为一种调控铁电薄膜畴组态和引入新的微结构的有效手段被广泛采用。本文在大拉应变KTaO3衬底上生长了LaNiO3/PbTiO3多层膜,利用透射电子显微学方法,对该薄膜体系中的缺陷结构及其与铁电畴的交互作用进行了细致地研究。结果表明... 缓冲层作为一种调控铁电薄膜畴组态和引入新的微结构的有效手段被广泛采用。本文在大拉应变KTaO3衬底上生长了LaNiO3/PbTiO3多层膜,利用透射电子显微学方法,对该薄膜体系中的缺陷结构及其与铁电畴的交互作用进行了细致地研究。结果表明,由于巨大的界面失配,LaNiO3层中形成密集的Ruddlesden-Popper型层错,该层错经由LaNiO3/PbTiO3异质界面诱导PbTiO3中形成贯穿型的层状缺陷,这种缺陷的形成对PbTiO3内部畴结构有着一定的影响。利用电子能量损失谱,发现层状缺陷处Ti元素的价态有所降低,可能源于LaNiO3与PbTiO3之间的电荷传递。这一结果揭示了中间缓冲层对PbTiO3薄膜内部微结构产生重要的影响,同时也为铁电畴的调控提供了新的途径。 展开更多
关键词 钛酸铅薄膜 缓冲层 微结构 像差校正透射电子显微学
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PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)和PbMg1/3Nb2/3-PbTiO3(PMNT)中几种局域结构与晶格形变的从头算研究
18
作者 徐红兰 缪强 罗豪甦 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期19-26,共8页
建立了钙钛矿结构铌镁酸铅PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)的2×2×3复晶胞模型;采用abinitio方法讨论了PMN晶体各种可能构型的稳定性;选取了PMN三种高、中、低稳定性的代表构型,并对Ti替换B位离子后的结构进行了结构优化.计算结果表明复... 建立了钙钛矿结构铌镁酸铅PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)的2×2×3复晶胞模型;采用abinitio方法讨论了PMN晶体各种可能构型的稳定性;选取了PMN三种高、中、低稳定性的代表构型,并对Ti替换B位离子后的结构进行了结构优化.计算结果表明复晶胞刚性模型的最低和最高能量差约0.74a.u.(1940kJ);Pb2+离子结构框架的形变是PMN晶格发生形变的主要因素;在不考虑被替换离子电荷差异的情况下,MgO6含量越少越有利于Ti离子替换Nb与晶胞的形变.PMNT材料中构型的分布和局域形变取决于生长PMNT材料的工艺过程. 展开更多
关键词 PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)和PbMg1/3Nb2/3-pbtio3(PMNT) ab INITIO 局域结构 晶格形变
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等静压下0.75Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.25PbTiO3陶瓷的介电性能研究 被引量:4
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作者 张崇辉 徐卓 +1 位作者 高俊杰 王斌科 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期6500-6505,共6页
研究了等静压对0.75Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.25PbTiO3(PMN-25PT)陶瓷介电温谱的影响,PMN-25PT剩余极化随等静压变化和等静压压致相变.结果表明,随着压力增加,PMN-25PT的介电峰值温度Tm降低,ddTPm≈-4℃/kbar,极化弛豫增强;剩余极化随压力增... 研究了等静压对0.75Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.25PbTiO3(PMN-25PT)陶瓷介电温谱的影响,PMN-25PT剩余极化随等静压变化和等静压压致相变.结果表明,随着压力增加,PMN-25PT的介电峰值温度Tm降低,ddTPm≈-4℃/kbar,极化弛豫增强;剩余极化随压力增加连续减小;介电常数对压力的依赖关系与对温度场的依赖相似,压力诱导PMN-25PT发生弛豫铁电—顺电相变,相变为宽化的渐变过程,频率色散和极化弛豫更加强烈和普遍. 展开更多
关键词 铌镁酸铅-钛酸铅 等静压 介电弛豫 压致相变
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Orientation-dependent ferroelectricity of strained PbTiO3 films 被引量:2
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作者 Hui-Min Zhang Ming An +1 位作者 Xiao-Yan Yao Shuai Dong 《Frontiers of physics》 SCIE CSCD 2015年第6期103-107,共5页
PbTiO3 is a simple but very important ferroelectric oxide that has been extensively studied and widely used in various technological applications. However, most previous studies and applications were based on the bulk... PbTiO3 is a simple but very important ferroelectric oxide that has been extensively studied and widely used in various technological applications. However, most previous studies and applications were based on the bulk material or the conventional [001]-orientated films. There are few studies on PbTiO3 films grown along other crystalline axes. In this study, a first-principles calculation was performed to compute the polarization of PbTiO3 films strained by SrTiO3 and LaAlO3 substrates. Our results show that the polarization of PbTiO3 films strongly depends on the growth orientation as well as the monoclinic angles. Further, it is suggested that the ferroelectricity of PbTiO3 mainly depends on the tetragonality of the lattice, instead of the simple strain. 展开更多
关键词 pbtio3 TETRAGONALITY STRAIN
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