掺镧PbWO_4闪烁晶体的缺陷研究

利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线电子能谱 (XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化 .结果表明 :掺镧后 ,PbWO4 晶体中的正电子捕获中心铅空位 (VPb)浓度增加 ,并进一步诱导低价氧浓度的增加 .讨论了掺La的作用机制 ,认为掺La将抑制晶体中的氧空位 ,增加铅空位浓度 .

不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究

利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的测试手段 ,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究 ,结果表明丰W样品增加晶体中铅空位 (VPb)浓度 (物质的量比 )、而丰Pb样品则减少晶体中VPb浓度 .这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用 .并结合发射谱的测试 ,提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3+O- .

掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降 ,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3 + 占据VPb的形式存在。Y3 + 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因 ,而由于晶体内低价氧浓度的减少 ,作为绿光发光中心的 (WO3 +O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。

+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

通过透射光谱、x射线激发发射光谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的几种不同 +3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和x光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究 .实验表明 ,不同的 +3价离子掺杂 ,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同 ,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化 .其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升 ,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降 ,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况 .提出 +3价离子在钨酸铅晶体中的掺杂作用机理并不相同 ,晶体中La3+ 将替代Pb2 + 的格位 ,Y3+ 和Bi3+ 将占据铅空位 ,而锑可以以Sb3+ 替代Pb2 + 格位和Sb5+ 替代W6 +