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n型Pb_(1+x)SeTe_(x)固溶体的自蔓延高温合成及热电性能调控
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作者 张文钰 周志方 +3 位作者 郑云鹏 杨岳洋 南策文 林元华 《铜业工程》 CAS 2024年第3期40-46,共7页
热电材料能实现热能与电能之间的直接转化,因而受到广泛关注。铅基硫属化合物是一类具有较高热电转化效率的材料,其中,PbSe和PbTe是这类材料的代表。与Te相比,Se元素的地壳丰度高、成本低,所以PbSe更具研究价值和应用潜力。但PbSe的晶... 热电材料能实现热能与电能之间的直接转化,因而受到广泛关注。铅基硫属化合物是一类具有较高热电转化效率的材料,其中,PbSe和PbTe是这类材料的代表。与Te相比,Se元素的地壳丰度高、成本低,所以PbSe更具研究价值和应用潜力。但PbSe的晶格热导相对较高,载流子浓度较低,抑制了热电性能的提升。而固溶能有效降低晶格热导率,提升热电性能,且PbTe和PbSe具有相似的能带结构,能简化输运研究,因此将PbTe与PbSe固溶,有望获得较高的热电性能。另外,在目前的研究中,PbSe的合成通常采用机械合金化、熔融退火等方式,耗费大量的时间和能量,生产成本高,不利于实际使用。本文使用自蔓延高温合成与放电等离子体烧结相结合的方式,快速制备了n型Pb_(1+x)SeTe_(x)固溶体。同时,由于载流子浓度的优化及合金散射的作用,电学性能和热学性能得到了提升,晶格热导率在773 K时降低到0.67W/(m·K),相较于纯PbSe降低了35%,无量纲优值ZT值在773 K时达到了1.1,相较于纯PbSe提升了83%。以上研究为自蔓延制备工艺在热电领域的广泛应用提供了参考。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成 pbSE pb_(1+x)sete_(x)固溶体 载流子浓度 晶格热导率
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纳米Ce_(1-4x)(FeAlCoLa)_(x)O_(2-δ)固溶体微观光谱特征及氧化还原性能研究
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作者 孙世龙 张国芳 +5 位作者 束俊 郭瑞华 李一鸣 刘卓承 许剑轶 葛启录 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1883-1888,共6页
采用水热法合成Fe^(3+)、Al^(3+)、Co^(2+)及La^(3+)共掺杂纳米Ce_(1-4x)(FeAlCoLa)_(x)O_(2-δ)(x=0.00~0.05)固溶体,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外吸收光谱(UV)、荧光光谱(PL)、拉曼光谱(Raman... 采用水热法合成Fe^(3+)、Al^(3+)、Co^(2+)及La^(3+)共掺杂纳米Ce_(1-4x)(FeAlCoLa)_(x)O_(2-δ)(x=0.00~0.05)固溶体,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外吸收光谱(UV)、荧光光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)以及与H2的程序升温还原反应(TPR)等方法对固溶体的微观结构、形貌、光谱特征和氧化还原活性进行系统表征及分析。XRD结果表明,Ce_(1-4x)(FeAlCoLa)_(x)O_(2-δ)固溶体均呈CeO_(2)立方萤石结构,当掺杂量增加到x=0.04时,在36.6°处出现了微弱的Co_(3)O_(4)杂相,可以确定掺杂离子在CeO_(2)晶格中的固溶度x<0.04。样品的(111)衍射峰位向高角度偏移,表明掺杂离子引起晶格发生畸变。TEM及SEM结果显示样品为球形纳米颗粒,掺杂离子引起晶面间距变小。紫外吸收光谱表明,与纯CeO_(2)相比,掺杂样品的吸收边逐渐红移,在560~780 nm范围观察到掺杂离子的紫外吸收峰。掺杂引起样品能隙降低,从2.84 eV(纯CeO_(2))逐渐降低至2.10 eV(x=0.05)。其原因可归结为掺杂离子在CeO_(2)的价带和导带之间形成新的杂质能级,允许电子从价带跃迁到较低的杂质能级上,继而降低了跃迁能隙。由于掺杂离子引起晶格内部发生畸变以及氧空位比例增大,阻碍了电子的高能跃迁,也可引起能隙减小。荧光光谱证明,掺杂样品的发射峰强度明显降低。Raman光谱表明,掺杂引起F_(2g)峰位发生偏移,峰强减小,峰宽变大。同时,对应于氧空位峰的相对强度逐渐提高。荧光光谱及Raman光谱均证明掺杂离子引起固溶体晶格畸变程度增加,氧空位浓度提高。H_(2)-TPR测试表明,掺杂可以有效降低CeO_(2)的氧化还原反应温度,提高氧化还原活性,当x=0.03的样品表面还原温度最低,还原峰的面积最大,即氧化还原反应活性最佳,表明样品的氧化还原性能与晶粒尺寸、晶格缺陷及氧空位浓度密切相关。通过以上研究证明,四种离子共掺杂CeO_(2)能够有效修饰微观晶体结构,在较低掺杂浓度下即可显著改善样品的催化活性。 展开更多
关键词 纳米Ce_(1-4x)(FeAlCoLa)_(x)O_(2-δ)固溶体 共掺杂 氧空位 氧化还原活性
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Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)纳米结构制备及光谱特性研究
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作者 王浩 孙乃坤 +5 位作者 庞超 王志帅 陈上峰 李武 田辉 岱钦 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1934-1939,共6页
Zn_(3)As_(2)与Zn_(3)P_(2)具有相同的伪立方晶格结构,它们具有较高的电子迁移率、较窄的直接带隙和良好的空气稳定性,在光电器件领域呈现出广泛的应用前景。目前关于Zn_(3)As2-Zn_(3)P_(2)固溶体纳米结构的研究相对较少,采用高气压烧... Zn_(3)As_(2)与Zn_(3)P_(2)具有相同的伪立方晶格结构,它们具有较高的电子迁移率、较窄的直接带隙和良好的空气稳定性,在光电器件领域呈现出广泛的应用前景。目前关于Zn_(3)As2-Zn_(3)P_(2)固溶体纳米结构的研究相对较少,采用高气压烧结技术得到Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)(x=0、0.05、0.1)母合金,再利用化学气相沉积方法合成出多种形态的Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)纳米结构,包括宏观尺寸的纳米带(长度3~10 mm;宽度1~4 mm;厚度约20μm)、纳米帆、纳米棒及纳米银簪等。系统的研究了P掺杂对相组成、元素含量、微结构以及光谱特性的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)宏观纳米带样品的主相为α′相,随着P掺杂含量的增加,(224)衍射峰向右发生偏移,表明晶格常数减小。电子能谱分析显示P理论值(光致发光光谱)掺杂含量值x=0.05和x=0.1的Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)母合金纳米带中P的实际含量分别为x=0.026及x=0.062。微结构分析表明,Zn_(3)As_(2)宏观纳米带的生长模式为沿〈221〉晶面菱形层状生长,P掺杂使纳米带的宏观尺寸减小,生长模式由菱形层状生长转变为纳米颗粒堆积层状生长。纳米带样品的拉曼光谱在79、97、198、320、428和1107 cm^(-1)出现特征峰,P掺杂导致拉曼光谱中1107 cm^(-1)特征峰发生蓝移,傅里叶红外光谱(FTIR)中1101和1599 cm^(-1)特征峰与PL谱中的300、422和635 nm特征峰也发生蓝移。Zn_(3)As_(2)与Zn_(3)(As_(0.974)P_(0.026))_(2)纳米带光电流与电压的线性关系良好,存在较好的欧姆特性,P掺杂后的Zn_(3)(As_(0.974)P_(0.026))2纳米带在900 nm条件下的光响应最为敏感。 展开更多
关键词 Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2) Zn_(3)As_(2) 纳米带 固溶体
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水热制备Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶及其发光性能 被引量:4
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作者 钟诚 吴云 +4 位作者 李涛 周婷 赖欣 毕剑 高道江 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期666-671,共6页
采用水热法制备了Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶。通过X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FA)表征了微晶的结构、表面形貌和发光性能。XRD和FT-IR结果表明制备的Sr(MoO4)x(WO4)1-x微晶皆呈现典型... 采用水热法制备了Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶。通过X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FA)表征了微晶的结构、表面形貌和发光性能。XRD和FT-IR结果表明制备的Sr(MoO4)x(WO4)1-x微晶皆呈现典型的四方晶相白钨矿结构。SEM结果表明制备的微晶为表面光滑且粒径均匀的球形颗粒。荧光发射光谱显示,在275 nm紫外光激发下,随着x值的增加,Sr(MoO4)x-(WO4)1-x固溶体微晶在350 nm处的发射逐渐减弱,470 nm处的发射逐渐增强。 展开更多
关键词 Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体 水热法 发光性能
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Nd修饰Ce_xZr_(1-x)O_2(x=0.8,0.6,0.2)固溶体的性能研究 被引量:3
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作者 田久英 卢菊生 +1 位作者 王锦化 沐来龙 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期55-58,共4页
用共沉淀法制备了一系列550℃焙烧和1000℃老化的Nd修饰CexZr1-xO2(x=0.8,0.6,0.2)固溶体,并利用XRD和H2-TPR等方法进行表征。结果表明,不同的Ce/Zr比对Nd修饰CexZr1-xO2固溶体的晶相结构,还原性能及高温热稳定性有重要的影响。Nd修饰的... 用共沉淀法制备了一系列550℃焙烧和1000℃老化的Nd修饰CexZr1-xO2(x=0.8,0.6,0.2)固溶体,并利用XRD和H2-TPR等方法进行表征。结果表明,不同的Ce/Zr比对Nd修饰CexZr1-xO2固溶体的晶相结构,还原性能及高温热稳定性有重要的影响。Nd修饰的CexZr1-xO2(x=0.8,0.6,0.2)均形成了CeO2-ZrO2-Nd2O3三元氧化物均相固溶体,并未出现Nd2O3单一氧化物的特征衍射峰,其中Ce0.8Zr0.15Nd0.05O2和Ce0.6Zr0.35Nd0.05O2为立方晶相,Ce0.2Zr0.75Nd0.05O2为四方晶相,且高温条件下,晶相结构稳定。Nd的掺杂使不同Ce/Zr比例CexZr1-xO2固溶体的还原性和高温热稳定性均明显增强,其中Ce0.6Zr0.35Nd0.05O2的还原性和热稳定性最强。 展开更多
关键词 Nd修饰CexZr1-xO2(x=0.8 0.6 0.2)固溶体 还原性能 热稳定性
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Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜在铁电相变点的折射率异常 被引量:1
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作者 李斌 江锦春 +1 位作者 张素英 张凤山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1062-1066,共5页
对在 8 0~ 30 0K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x =0 0 6 )薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率 .研究发现 :在其铁电相变温度 15 0K折射率出现极大值 .折射率的极大值是晶体电容率异常的标志 ,而晶体电容率异常正是晶体... 对在 8 0~ 30 0K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x =0 0 6 )薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率 .研究发现 :在其铁电相变温度 15 0K折射率出现极大值 .折射率的极大值是晶体电容率异常的标志 ,而晶体电容率异常正是晶体相变具有铁电性的反映 ,因此同电阻和比热一样 ,折射率在铁电相变点也出现了异常 .在所研究的光谱及温度范围 ,折射率与材料的禁带宽度不遵循Moss定则等经验公式 . 展开更多
关键词 pb1-xGexTe 折射率 铁电相变 Moss定则 禁带宽度
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固溶体红色荧光粉Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu的制备及性能研究
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作者 武传伟 陈凌飞 +2 位作者 张杰强 张书成 王利利 《科技资讯》 2017年第23期189-191,193,共4页
通过固相法合成含有不同AlO_2-离子浓度的红色荧光粉Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu。XRD分析表明:当Al O2-离子掺杂浓度低于30%时,Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu与CaTiO_3具有相似的钙钛矿结构;此外,AlO_2-离子的固溶导致该荧光粉在61... 通过固相法合成含有不同AlO_2-离子浓度的红色荧光粉Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu。XRD分析表明:当Al O2-离子掺杂浓度低于30%时,Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu与CaTiO_3具有相似的钙钛矿结构;此外,AlO_2-离子的固溶导致该荧光粉在617nm处的荧光发射强度得到了极大地增强。实验表明:是该荧光粉具有最强荧光发射强度的Al O2-掺杂浓度为20mol%。更重要的是荧光粉Ca(TiO_3)0.89(AlO_2)0.22:Eu不但可以被Ga N基NUV(395~400nm)LED激发,而且还能被Ga N-LED(465nm)有效激发。实验表明:Ca(TiO_3)(Al O):Eu是一种性能优越的制备三基色LED的红色荧光粉。 展开更多
关键词 红色荧光粉 Ca(TiO3)1-x/2(AlO2)x:Eu 固溶体 AlO2离子浓度 荧光强度
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Pb_(1-x)Sn_xTe晶体的合成及电磁特性研究 被引量:1
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作者 姜振益 张海宁 +2 位作者 张方辉 许淑惠 王雪文 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 1999年第4期48-50,78,共4页
:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3~ 1 6)× 1 0 1 7/ cm3和 1 0 2 cm2 /Vs;随着 x的增加晶体从 P型半导体向
关键词 pb1-xSnxTe 单晶 布里奇曼法
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利用Pb_(1-x)Ge_xTe材料的折射率异常性质改善红外光学薄膜的低温性能 被引量:2
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作者 李斌 张素英 +1 位作者 谢平 张凤山 《光学仪器》 2004年第2期168-173,共6页
红外薄膜干涉滤光片性能在低温下的变化是空间遥感系统中的一个关键性问题。经研究表明IV-VI族半导体PbTe和GeTe的赝二元合金Pb1-xGexTe在铁电相变点具有折射率异常—相应于铁电相变,Pb1-xGexTe薄膜呈现出最大折射率值。用Pb0.94Ge0.06T... 红外薄膜干涉滤光片性能在低温下的变化是空间遥感系统中的一个关键性问题。经研究表明IV-VI族半导体PbTe和GeTe的赝二元合金Pb1-xGexTe在铁电相变点具有折射率异常—相应于铁电相变,Pb1-xGexTe薄膜呈现出最大折射率值。用Pb0.94Ge0.06Te材料代替PbTe材料,制作了一个红外薄膜干涉滤光片。测试结果表明:其中心波长漂移从0.48nm/K改进到0.23nm/K,在所测量的80K~300K的温度范围,用Pb0.94Ge0.06Te材料制作的滤光片的峰透过率高于用PbTe材料制作的滤光片约3%,从而极大地改善了光学薄膜器件在深低温环境下的稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 薄膜干涉滤光片 温度稳定性 铁电相变 折射率温度系数 空间遥感系统 红外光学薄膜
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利用同步辐射光电子能谱技术研究Pb_(1-x)Sr_xTe薄膜的能带移动及其组成异质结能带带阶
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作者 蔡春锋 彭曼丽 +6 位作者 翟继志 毕岗 张兵坡 王淼 吴惠桢 张文华 朱俊发 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期214-218,226,共6页
利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb_(1-x)Sr_xTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb_(1-x)Sr_xTe/Pb Te异质结中导带帯阶所占比率.当不考虑应力时,该异质结界面导带带阶比率Qc=ΔEC/ΔEg=0.71.当考虑应力时,PbTe能带发生L能谷与... 利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb_(1-x)Sr_xTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb_(1-x)Sr_xTe/Pb Te异质结中导带帯阶所占比率.当不考虑应力时,该异质结界面导带带阶比率Qc=ΔEC/ΔEg=0.71.当考虑应力时,PbTe能带发生L能谷与O能谷的劈裂,其导带带阶比率分别为QLC=0.47和QOC=0.72.Pb_(1-x)Sr_xTe/Pb Te异质结界面具有类型Ⅰ的能带排列结构,这说明Pb_(1-x)Sr_xTe/PbTe型量子阱或量子点对电子与空穴都有较强的限制能力.该异质结能带帯阶的精确测量有利于该类三元系半导体异质结在中红外光电器件的研发和应用中发挥重要作用. 展开更多
关键词 同步辐射光电子能谱 pbTe/pb1-xSrxTe异质结 能带带阶
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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系薄膜铁电性能的工艺因素研究
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作者 赵毅红 陈荣发 王茂祥 《真空与低温》 2004年第4期205-210,共6页
钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用潜力很大,是高新技术研究的前沿和热点之一。通过磁控溅射的方法制备了PST薄膜,详细研究了不同工艺因素对PST薄膜铁电性能的影响。结果表明,选择合适的工艺条件可以制备铁电性能... 钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用潜力很大,是高新技术研究的前沿和热点之一。通过磁控溅射的方法制备了PST薄膜,详细研究了不同工艺因素对PST薄膜铁电性能的影响。结果表明,选择合适的工艺条件可以制备铁电性能优良的钙钛矿相PST薄膜。 展开更多
关键词 工艺因素 铁电薄膜 制备 钙钛矿相 铁电性能 工艺条件 研究 前沿 磁控溅射 钛酸锶
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Bi替代CH_(3)NH_(3)Pb_(1-x)Bi_(x)Br_(3)钙钛矿实现带隙调控
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作者 纪登辉 董润宇 +6 位作者 封顺珍 张聪敏 史少辉 李梅 朱雪刚 刘彦军 李秀玲 《宁夏大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第4期401-407,共7页
通过Bi^(3+)代替Pb^(2+)离子对CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)进行n型掺杂,使用Materials Studio软件的CASTEP模块构建出CH_(3)NH_(3)Pb_(1-x)Bi_(x)Br_(3)(x=0,0.25,0.50,0.75,1.00)五种结构位形,基于第一性原理并将GGA+PBE作为关联函数对其结... 通过Bi^(3+)代替Pb^(2+)离子对CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)进行n型掺杂,使用Materials Studio软件的CASTEP模块构建出CH_(3)NH_(3)Pb_(1-x)Bi_(x)Br_(3)(x=0,0.25,0.50,0.75,1.00)五种结构位形,基于第一性原理并将GGA+PBE作为关联函数对其结构进行几何优化与物理性质研究.结果表明:随着Bi含量的增加,CH_(3)NH_(3)Pb_(1-x)Bi_(x)Br_(3)带隙有逐渐减小的趋势,特别是当x=0.50时,实现了半导体向导体的转变;当Bi替代含量为0.25时,CH_(3)NH_(3)Pb_(0.75)Bi_(0.25)Br_(3)具有可以吸收可见光的能带结构;Bi与Pb的6p电子占据导带底,s电子占据价带顶,s电子与Br的p电子存在较强的轨道耦合;Bi(6s^(2)p^(3))比Pb(6s^(2)p^(2))多一个p电子,随着Bi替代量的增加,多出的p电子从浅掺杂逐渐向重掺杂过渡,准能级逐渐增加,最终填满整个带隙,导带与价带交联进而实现半导体向导体的转变. 展开更多
关键词 钙钛矿 CH_(3)NH_(3)pb_(1-x)Bi_(x)Br_(3) Bi替代 带隙 能带结构.
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TA1/X65复合板焊接工艺及焊缝组织和性能研究 被引量:10
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作者 毕宗岳 杨军 +4 位作者 刘海璋 张万鹏 杨耀彬 田磊 黄晓江 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1017-1024,共8页
采用TIG+MIG+MAG焊接工艺对TA1/X65爆炸冶金复合板(复层Ti厚2 mm,基层X65管线钢厚14 mm)试件进行了以V/Cu作为过渡填充金属的板-板对接焊实验.利用OM,XRD,EDS面扫描,显微硬度测试和拉伸实验,研究了焊缝区组织特征、界面元素分布、主要... 采用TIG+MIG+MAG焊接工艺对TA1/X65爆炸冶金复合板(复层Ti厚2 mm,基层X65管线钢厚14 mm)试件进行了以V/Cu作为过渡填充金属的板-板对接焊实验.利用OM,XRD,EDS面扫描,显微硬度测试和拉伸实验,研究了焊缝区组织特征、界面元素分布、主要物相、显微硬度分布及焊缝力学性能.结果表明,圆弧状"U"型坡口设计有利于过渡层Cu的MIG焊接,在Cu-钢界面不会引起应力集中而萌生裂纹.熔敷金属Ti,V,Cu和Fe有明显分区,扩散互融现象不明显,各区域间由固溶体相过渡连接,Ti/V过渡界面组织结构为钛基固溶体,V/Cu过渡界面组织结构为钒基固溶体,Cu/Fe过渡界面组织结构为铜基固溶体.焊缝硬度较高区域出现在Ti/V过渡界面和V/Cu过渡界面处,硬度达326和336 HV10,对过渡界面层塑韧性有一定影响.焊缝抗拉强度可达546 MPa,主要由碳钢层贡献. 展开更多
关键词 TIG+MIG+MAG焊接 TA1/x65管线钢复合板 金属间化合物 V/Cu复合过渡 固溶体
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Composition dependence of giant electrocaloric effect in PbxSr1-xTiO_(3) ceramics for energy-related applications 被引量:4
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作者 Peng-Zu Ge Xiao-Dong Jian +6 位作者 Xiong-Wei Lin Xin-Gui Tang Zhi Zhu Qiu-Xiang Liu Yan-Ping Jiang Tian-Fu Zhang Sheng-Guo Lu 《Journal of Materiomics》 SCIE EI 2019年第1期118-126,共9页
Pb_(x)Sr_(1-x)TiO_(3)(x=0.30,0.35,0.40,0.45,0.50 and 0.55)ceramics were fabricated by a solid-state reaction route.Xeray diffraction data at room temperature show PST samples shift from cubic to tetragonal phase with ... Pb_(x)Sr_(1-x)TiO_(3)(x=0.30,0.35,0.40,0.45,0.50 and 0.55)ceramics were fabricated by a solid-state reaction route.Xeray diffraction data at room temperature show PST samples shift from cubic to tetragonal phase with the increase of Pb^(2+) content.The microstructures were observed by scanning electron microscopy.Dielectric measurement was employed to investigate the ferroelectriceparaelectric phase transition behavior.Temperature dependent polarizationeelectric field hysteresis loops were conducted to study the electrocaloric effect(ECE)of the ferroelectric ceramics by indirect methods over a wide temperature range.Direct measurement of temperature change(DT)at room temperature for all samples can achieve 0.79e1.86 K.What's more,a giant ECE(△T=2.05 K,EC strength(△T/△E)=0.51×10^(-6) K m/V,under 40 kV/cm)was obtained in the sample of x=0.35 near phase transition temperature.Our results suggest that the ceramics are promising cooling materials with excellent EC properties for energy related applications. 展开更多
关键词 pb_(x)Sr_(1-x)TiO_(3)ceramics Electrocaloric effect Phase transition Energy applications
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溶胶凝胶法制备钙改性钛酸铅铁电薄膜及其光学性质研究 被引量:2
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作者 张新安 李卓 +2 位作者 蔡洪涛 胡界博 张伟风 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期29-32,共4页
用溶胶-凝胶法在(100)Si及石英衬底上成功地制备了钙改性钛酸铅铁电薄膜.X射线衍射研究结果表明,晶化好的PCT薄膜是多晶钙钛矿结构.用SEM、AFM对薄膜的形貌进行了表征,发现薄膜致密均匀、晶粒随着退火温度的升高而长大,700℃退火后薄膜... 用溶胶-凝胶法在(100)Si及石英衬底上成功地制备了钙改性钛酸铅铁电薄膜.X射线衍射研究结果表明,晶化好的PCT薄膜是多晶钙钛矿结构.用SEM、AFM对薄膜的形貌进行了表征,发现薄膜致密均匀、晶粒随着退火温度的升高而长大,700℃退火后薄膜的晶粒大约为55nm.用紫外-可见分光光度计在波长190~1000nm范围内,测量了不同温度退火的PCT薄膜的光学透射率.结果表明600℃、700℃、800℃退火的薄膜样品,其禁带能分别为3.74eV,3.71eV和3.66eV. 展开更多
关键词 薄膜 光学性质 吸收边 禁带能
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Mo原子固溶对Cr_(2)AlC力学性能及摩擦学性能的影响
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作者 何乃如 黄琰 +2 位作者 周昊 方媛 文怀兴 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期7-16,共10页
采用热压烧结技术制备Cr_(2)AlC材料,并通过Mo元素复配对Cr_(2)AlC进行固溶强化,研究不同固溶比下(Cr_(1-x)Mo_(x))_(2)AlC陶瓷的力学性能及宽温域摩擦学性能影响。研究结果表明,Mo原子固溶导致Cr_(2)AlC晶格畸变,力学性能显著提升,但是... 采用热压烧结技术制备Cr_(2)AlC材料,并通过Mo元素复配对Cr_(2)AlC进行固溶强化,研究不同固溶比下(Cr_(1-x)Mo_(x))_(2)AlC陶瓷的力学性能及宽温域摩擦学性能影响。研究结果表明,Mo原子固溶导致Cr_(2)AlC晶格畸变,力学性能显著提升,但是当Cr/Mo原子比为1时,固溶材料的硬度、抗弯强度与断裂韧性急剧下降。由于Mo原子的固溶强化作用,(Cr_(1-x)Mo_(x))_(2)AlC在中低温环境下表现出更好的耐磨性能,但是在高温环境下(Cr_(1-x)Mo_(x))_(2)AlC磨痕表面并没有形成连续的釉质层或润滑膜,相比于Cr_(2)AlC,固溶材料表现出较差的高温摩擦学性能。 展开更多
关键词 (Cr_(1-x)Mo_(x))_(2)AlC固溶体 力学性能 摩擦学性能 微观组织
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铌酸钡铅晶体的生长和光折变性质
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作者 宋永远 姜全忠 +1 位作者 孙大亮 陈焕矗 《山东大学学报(自然科学版)》 CSCD 1991年第3期320-325,共6页
报道了Pb_(0.4)Ba_(0.6)Nb_2O_6晶体的Czochralski生长条件,晶体结构分析,及晶体的二波混合及四波混合响应特性.当双束夹角2■在22°~52°范围之间变化时,二波混合系数??在6~9cm^(-1)之间:四波混合反射率η=10%.
关键词 pbN 晶体 生长 光折变 二波混合
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