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Pd插层NbSe2化合物的制备、晶体结构和电学性质研究
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作者 黄冲 赵伟 +3 位作者 王东 卜克军 王思顺 黄富强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期505-510,I0002,I0003,共8页
通过固相反应法合成一系列插层化合物PdxNbSe2 (x=0~0.17)。它们与2H-NbSe2相同,属于六方晶格,空间群为P63/mmc。Pd占据NbSe2层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd0.17NbSe2的... 通过固相反应法合成一系列插层化合物PdxNbSe2 (x=0~0.17)。它们与2H-NbSe2相同,属于六方晶格,空间群为P63/mmc。Pd占据NbSe2层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd0.17NbSe2的晶格常数为a=b=0.34611(2)nm,c=1.27004(11)nm。每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe6]八面体来连接相邻的Nb-Se层,使晶体结构变得更加稳定,从而提高化合物的热稳定性。电学测试表明,随着Pd含量的增加, PdxNbSe2的剩余电阻比减小。此外,超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降,说明Pd的引入不利于NbSe2的超导态。 展开更多
关键词 pdxnbse2 过渡金属硫族化合物 晶体结构 超导
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