隧穿量子点分子模型与光场相互作用系统中光场的相位特性

应用Pegg-Barnett相位理论,研究了隧穿量子点分子模型与光场相互作用系统中光场的相位特性,着重分析了光场的相位概率分布及相位涨落,并讨论了平均光子数和失谐量以及时间对相位概率分布的影响.结果发现:光场相位概率分布在零附近的概率分布最大,且涨落最小,而其它范围内概率分布小且容易振荡,适当调节平均光子数和时间,能使相位概率分布由单峰结构向对称的三峰高斯分布转化,且能调节峰值的大小.

相位损耗腔中光场的相位分布特性

利用Pegg-Barnett相位理论,研究了相位损耗腔中两个型原子与光场在大失谐相互作用下光场的相位分布概率。并讨论了不同平均光子数以及腔的不同衰减系数对光场相位分布的影响。结果表明:当腔无损耗时,光场的相位分布呈现周期性振荡;当腔场存在损耗时,其做减幅周期振荡最终达稳定值。而且腔的衰减系数越大,光场相位变为随机分布所需时间越短。光场的平均光子数越大,相位分布越集中。

耗散腔中简并Raman耦合系统中光场的相位特性

利用Pegg-Barnett相位理论,研究了耗散腔中两个Λ型原子与相干态光场在Raman相互作用下光场的相位特性,并讨论了光场平均光子数和腔场耗散系数对光场相位特性的影响。结果表明:当腔不存在损耗时,光场相位分布概率以π/λ作周期性振荡;且在t=nπ/λ时刻,光场和原子是退纠缠的,相位分布概率曲线在极坐标图中呈单叶型结构;但在演化周期内,由于光场与原子的相互作用相位分布概率曲线会劈裂为多叶型结构。当腔场存在损耗时,相位分布概率的叶型结构会向中心扩散最终变为一个圆,即表明在考虑腔场耗散时光场的相位最终会变为随机分布;而且腔的耗散系数越大,光场相位越快趋于随机分布。另外,随光场的平均光子数增大,光场相位分布趋于集中。光场相位涨落受到腔场耗散的影响呈现出衰减周期振荡最终达到稳定值,而且达稳定值所需时间随耗散系数的增大而缩短。

增光子奇偶相干态的相位特性

借助于Pegg-Barnett相位算符理论和数值计算方法,研究了增光子奇偶相干态的相位概率分布,在此基础之上,讨论了有关数算符和相位算符的压缩特性。结果表明,增光子奇偶相干态的相位概率分布与通常的奇偶相干态、非线性相干态不同,在这种新的奇偶相干态中,其Pegg-Barnett相位概率分布能明显地反映出不同的量子相位信息和干涉特性。同时发现,在参量α的某些不同的取值范围内,增光子奇偶相干态在数算符和相位算符分量上均存在压缩效应。

与双原子相互作用的双模关联场的相位性质

根据Pegg和Barnett相位理论研究了与双原子相互作用的双模SU(1,1)相干场的相位特性 ,证明了光场每个模的相位及两个模的相位差均保持随机分布 ,给出了光场两个模的相位和方差的表达式 ,揭示了在适当的初始条件下 ,系统呈现原子的相干捕获现象。