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Interfacial photoconductivity effect of type-Ⅰ and type-Ⅱ Sb2Se3/Si heterojunctions for THz wave modulation
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作者 曹雪芹 黄媛媛 +7 位作者 席亚妍 雷珍 王静 刘昊楠 史明坚 韩涛涛 张蒙恩 徐新龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期82-86,共5页
An in-depth understanding of the photoconductivity and photocarrier density at the interface is of great significance for improving the performance of optoelectronic devices. However, extraction of the photoconductivi... An in-depth understanding of the photoconductivity and photocarrier density at the interface is of great significance for improving the performance of optoelectronic devices. However, extraction of the photoconductivity and photocarrier density at the heterojunction interface remains elusive. Herein, we have obtained the photoconductivity and photocarrier density of 173 nm Sb2Se3/Si(type-Ⅰ heterojunction) and 90 nm Sb2Se3/Si(type-Ⅱ heterojunction) utilizing terahertz(THz) time-domain spectroscopy(THz-TDS) and a theoretical Drude model. Since type-Ⅰ heterojunctions accelerate carrier recombination and type-Ⅱ heterojunctions accelerate carrier separation, the photoconductivity and photocarrier density of the type-Ⅱ heterojunction(21.8×10^(4)S·m^(-1),1.5 × 10^(15)cm^(-3)) are higher than those of the type-Ⅰ heterojunction(11.8×10^(4)S·m^(-1),0.8×10^(15)cm^(-3)). These results demonstrate that a type-Ⅱ heterojunction is superior to a type-Ⅰ heterojunction for THz wave modulation. This work highlights THz-TDS as an effective tool for studying photoconductivity and photocarrier density at the heterojunction interface. In turn, the intriguing interfacial photoconductivity effect provides a way to improve the THz wave modulation performance. 展开更多
关键词 photoconductivity Sb2 Se3/Si heterojunctions THZ-TDS Drude model
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基于紫外荧光光导的增强型局部放电光电传感技术对比研究 被引量:1
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作者 何楠 刘弘景 +2 位作者 刘宏亮 刘可文 任明 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2024年第2期87-94,共8页
本文从提升局部放电光电检测效率角度出发,采用Dy^(3+)和Ce^(3+)掺杂荧光玻璃作为前端耦合光导,提升了放电紫外光谱波段的检测效率,并通过荧光光导与单光子器件相配合的方式,实现了宽光谱、高灵敏度的局部放电光电探测。研究中,首先对... 本文从提升局部放电光电检测效率角度出发,采用Dy^(3+)和Ce^(3+)掺杂荧光玻璃作为前端耦合光导,提升了放电紫外光谱波段的检测效率,并通过荧光光导与单光子器件相配合的方式,实现了宽光谱、高灵敏度的局部放电光电探测。研究中,首先对两种荧光光导的激发光谱和荧光光谱特性进行了对比分析,计算了其与硅光电倍增管和光电倍增管的匹配效率,在此基础上对两种光导的光度衰减时间和荧光脉冲滞后时间进行了测定,最后通过局部放电的实测,对比分析了两种光导测试系统的灵敏度、线性度及其在放电统计特性上的差异。 展开更多
关键词 局部放电 光测法 荧光光导 光电效率 光电脉冲
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高性能PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器 被引量:1
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作者 潘生生 袁涛 +1 位作者 周孝好 王振 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2024年第1期74-80,共7页
由于光电探测器的工作性能直接关系到系统数据采集质量,为此,对高性能PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器进行了研究。通过选取材料、试剂和设备制作了PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器。搭建探测器性能测试环境,并利用光响应... 由于光电探测器的工作性能直接关系到系统数据采集质量,为此,对高性能PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器进行了研究。通过选取材料、试剂和设备制作了PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器。搭建探测器性能测试环境,并利用光响应度、探测率、响应时间和光电导增益4个指标,分析探测器性能。结果表明,随着测试时间的推移,PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器的光响应度数值始终处于5 A/W限值以上;无论对采集何种材质反射的红外光,探测器探测率均大于10 cm·Hz1/2 W^(-1);无论光生电流是处于上升还是下降时间,其响应时间始终在限值150μs以下;光电导增益值保持在80%以上。 展开更多
关键词 PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器 光响应度 探测率 光电导增益
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In_(0.52)Al_(0.48)As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象
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作者 吴洋 胡晓 +2 位作者 刘博文 顾溢 查访星 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期287-292,共6页
应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP... 应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP形成的上层为反向异质结的双异质结样品(样品B:InP/In_(0.52)Al_(0.48)As/InP).PL和PC实验采用光从表面入射激发的测量构型,样品测量温度为77 K.样品A的PC谱显示,在激发光能量大于表面In_(0.52)Al_(0.48)As层的带隙时出现了电导陡降的反常变化,还在916 nm波长处呈现一小的电导峰结构.PL谱对应此波长位置则出现很强的发光峰.样品B则未观察到上述光谱特征,该差异可从两类异质结不同的界面电子结构获得解释. 展开更多
关键词 半导体光谱 半导体界面 光电导 光致发光
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弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制
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作者 司鑫阳 徐鸣 +2 位作者 王文豪 常家豪 王铖杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2153-2160,共8页
弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输... 弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输出电流和晶格温度进行了仿真分析,考察了偏置电场对GaAs PCSS输出特性的影响。通过不同时刻开关内部的瞬态电场、电子浓度和晶格温度等方面研究了高倍增模式下GaAs PCSS的光生载流子输运过程和损伤机理。结果表明,高密度丝状电流的存在伴随于高场畴的产生和发展。开关内部电场越高,负微分效应引起的载流子聚束现象越明显,相应的电子浓度和晶格温度值也越高;在浓度达1017 cm^(-3)数量级的等离子体通道中,阳极附近电场强度和晶格温度最大值分别为220 kV/cm和821.92 K。 展开更多
关键词 GAAS 光电导开关 高倍增模式 丝状电流 输运机制
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低维GaS高响应度纸基光电探测器
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作者 辛巍 仲玮恒 +2 位作者 王晓颖 闫楚欣 刘为振 《物理实验》 2024年第4期7-11,24,共6页
随着石墨烯的发现,二维材料因其与众不同的理化性质,而在科研领域的关注度与日俱增.以石墨烯为起点的二维材料(例如MoS_(2),WS_(2),GaS等)因在器件中具有较好的光电性质和较高的迁移率,而在生产和生活中具有良好的应用前景.本文简要探... 随着石墨烯的发现,二维材料因其与众不同的理化性质,而在科研领域的关注度与日俱增.以石墨烯为起点的二维材料(例如MoS_(2),WS_(2),GaS等)因在器件中具有较好的光电性质和较高的迁移率,而在生产和生活中具有良好的应用前景.本文简要探讨了光电导效应的原理,采用铅笔勾勒的方法绘制出了石墨电极,并采用体材料液相超声后分散液滴涂的方法,制备了宏观尺度的GaS纸基光电探测器,该探测器具有可见光范围的光电响应,且具有较好的机械重复性.本文介绍的纸基光电探测器的制备方法对于高校基础物理和半导体物理课程的教学具有实际意义,有利于学生更好地理解光电导效应的原理.此外,纸基光电探测器不仅降低了制备成本,而且还有助于提高高校学生的科研实践能力. 展开更多
关键词 GAS 光电导效应 纸基 光电探测器
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基于NDIR的甲烷气体传感器设计与测试
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作者 王琛 邢海霞 李晓干 《微处理机》 2024年第3期39-42,共4页
针对目前非分光红外CH4气体传感器灵敏度较低且响应时间较长等问题,设计一款基于光电导原理的CH4气体传感器。该传感器主要由PbSe光导型红外探测器、信号处理部分电路、光源驱动部分电路及光路气室组成,通过分析气体浓度与探测器输出信... 针对目前非分光红外CH4气体传感器灵敏度较低且响应时间较长等问题,设计一款基于光电导原理的CH4气体传感器。该传感器主要由PbSe光导型红外探测器、信号处理部分电路、光源驱动部分电路及光路气室组成,通过分析气体浓度与探测器输出信号之间的关系,拟合浓度输出关系方程,以实现检测功能。通过实验,在室温下对不同浓度气体进行检测,结果表明该传感器的输出误差、最低检测限、最低响应时间等参数表现良好,可在1000 cm^(3)/m^(3)范围内对气体实现有效测量。 展开更多
关键词 光导型探测器 浓度标定 非分光红外技术
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光电器件中的负光电导效应及应用
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作者 刘凯 张晴怡 +2 位作者 廖延安 刘威 陈峰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期317-333,共17页
随着信息化时代的高速发展,对微电子器件中光电材料的选择、新功能的开发提出了更高的要求。传统光电器件大多利用半导体材料在光照下电导率增加的正光电导性效应进行功能化设计。近年来,研究发现还存在另一种反常的光电导效应——负光... 随着信息化时代的高速发展,对微电子器件中光电材料的选择、新功能的开发提出了更高的要求。传统光电器件大多利用半导体材料在光照下电导率增加的正光电导性效应进行功能化设计。近年来,研究发现还存在另一种反常的光电导效应——负光电导(Negative photoconductivity,NPC),即在光照条件下电导率降低,由于其在光电探测、逻辑器件、神经形态器件、低功耗非易失性存储器方面的潜在应用而备受关注。NPC的产生机制一般包括载流子的俘获效应、表面分子的吸附-解吸、表面等离子体极化激元和局域表面等离子体共振、光辐射热效应等。本文详细讨论了不同光电器件中NPC产生的物理机制,分析了材料选择、器件结构设计、能带结构变化对不同异质结器件中NPC效应的影响,概括了光电器件中负光电导效应的实际应用,这为光电器件的性能优化和新型光电器件设计提供了重要参考,为未来异质结光电信息器件实现尺寸更小、光导增益更高、速率更快、功耗更低奠定了科学基础。 展开更多
关键词 负光电导 应用 光电器件
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火炸药环境电气危险F0区照明技术研究
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作者 白蕾 韩超杰 +1 位作者 高阁 卢鲁 《兵工自动化》 北大核心 2024年第3期48-50,59,共4页
针对现阶段火炸药环境电气危险F0区照明方式存在覆盖区域有限、照度不足等问题,通过对阳光导入照明系统原理和特点进行分析,运用光纤照明和光导照明技术进行F0区光源引入的应用模型,为F0区提供安全性能好、采光效率高、绿色节能的照明... 针对现阶段火炸药环境电气危险F0区照明方式存在覆盖区域有限、照度不足等问题,通过对阳光导入照明系统原理和特点进行分析,运用光纤照明和光导照明技术进行F0区光源引入的应用模型,为F0区提供安全性能好、采光效率高、绿色节能的照明方案。应用结果表明:该方案可解决F0区大进深空间和地下空间的采光问题,提高火炸药生产、储存、搬运、检验等环节作业效率和安全性。 展开更多
关键词 火炸药环境 光纤照明 光导照明
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纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究
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作者 乔旭冕 李新化 +5 位作者 谷毛毛 龚书磊 弓紫燕 吴超可 吴超 赵雷鸣 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期671-678,共8页
深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了... 深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了基于缺陷光电离模型来提取特定缺陷能级水平特征的方法。通过拟合纤锌矿结构砷化镓纳米线的光离化谱,得到了0.69 eV的光电离能。光离化能和热捕获能之间的较大能量差异意味着缺陷与晶格有强耦合作用,这与闪锌矿结构砷化镓中EL2中心的行为相似。 展开更多
关键词 光电子学 光电导 纤锌矿结构砷化镓 深能级缺陷 分子束外延
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太赫兹波光电导天线探测器的研究进展
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作者 王志全 董陈岗 王欣 《渭南师范学院学报》 2024年第8期79-87,94,共10页
对国内外利用光电导天线探测器检测偏振太赫兹波进行了归纳总结,发现国内外对用于太赫兹偏振检测的光电导天线探测器的研发各有优缺点,但不能同时满足高效率、高精度、高信噪比的要求。因此,通过对光电导天线阵列探测器的有源区域、相... 对国内外利用光电导天线探测器检测偏振太赫兹波进行了归纳总结,发现国内外对用于太赫兹偏振检测的光电导天线探测器的研发各有优缺点,但不能同时满足高效率、高精度、高信噪比的要求。因此,通过对光电导天线阵列探测器的有源区域、相邻阵元之间的反向电流和探测准确性等进行国内外研究现状和发展动态梳理,分析光电导阵列探测器在太赫兹偏振检测中所遇到的关键问题,为光电导天线阵列探测器的研发和应用提供一定的参考。 展开更多
关键词 太赫兹波 光电导天线 偏振光
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4H-SiC光导开关性能的仿真研究
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作者 蓝华英 罗尧天 +2 位作者 崔海娟 肖建平 孙久勋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期195-199,共5页
碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编... 碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编的载流子迁移率接口程序,对4H-SiC光导开关的光学电学特性进行模拟仿真。单脉冲响应的仿真结果表明,器件在瞬态条件下的峰值光电流随光能的变化与文献中的实验数据相符合,表明所用模型和参数具有合理性。对影响单脉冲响应的主要因素,包括脉冲能量、脉冲宽度、碳化硅厚度,进行了计算和分析。同时,针对两种碳化硅厚度的器件,进行了多脉冲串响应的计算和分析。文章得到的结果和结论对碳化硅光导开关的进一步研究具有较好的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SIC 光导开关 SilvacoTCAD 仿真模型
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Au修饰ZnO纳米棒的制备及紫外探测性能研究
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作者 商世广 郭帅 李佳臻 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期3178-3183,共6页
采用磁控溅射技术和水热法制备金(Au)纳米颗粒修饰的氧化锌(ZnO)纳米棒材料。利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪等测试设备对不同溅射功率下的Au纳米颗粒修饰的ZnO纳米棒进行了表征分析。实验结果表明... 采用磁控溅射技术和水热法制备金(Au)纳米颗粒修饰的氧化锌(ZnO)纳米棒材料。利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪等测试设备对不同溅射功率下的Au纳米颗粒修饰的ZnO纳米棒进行了表征分析。实验结果表明,不同溅射功率下的ZnO纳米棒均呈六方纤锌矿结构,沿晶面(002)择优生长,具有较高的结晶度;修饰后ZnO纳米棒表面附着Au纳米颗粒,能有效增强其紫外光激发强度;当射频溅射功率为80 W时,ZnO纳米棒表现出最佳的紫外探测性能,相比于未修饰的ZnO纳米棒,Au纳米颗粒能抑制ZnO纳米棒的持续光电导(PPC)效应,其紫外探测的响应/恢复时间分别降低了6.05和4.54 s,光暗电流比由9.31提升至32.40,光响应度达到1.94A/W,显著增强了ZnO纳米棒紫外探测的能力。 展开更多
关键词 水热法 ZNO纳米棒 紫外探测 Au纳米颗粒 持续光电导效应
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基于整形飞秒激光脉冲泵浦光电导天线的宽带太赫兹辐射研究
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作者 刘君威 王婧仪 +1 位作者 胡枫 杜海伟 《红外》 CAS 2024年第5期39-46,共8页
飞秒激光脉冲泵浦光电导天线可以产生宽带太赫兹脉冲辐射。采用具有缓慢上升--快速下降整形脉冲包络的飞秒激光脉冲与光电导天线作用产生宽带太赫兹辐射,基于Drude-Lorentz模型计算了太赫兹辐射的规律,并讨论了激光脉冲脉宽和半导体载... 飞秒激光脉冲泵浦光电导天线可以产生宽带太赫兹脉冲辐射。采用具有缓慢上升--快速下降整形脉冲包络的飞秒激光脉冲与光电导天线作用产生宽带太赫兹辐射,基于Drude-Lorentz模型计算了太赫兹辐射的规律,并讨论了激光脉冲脉宽和半导体载流子寿命对太赫兹辐射产生的影响。研究结果表明,尽管这种整形飞秒激光脉冲的能量有所损失,但是这种泵浦方式能够比普通飞秒激光脉冲泵浦光电导天线产生更宽的太赫兹辐射。该结果为实验上基于光电导天线产生宽带太赫兹脉冲辐射提供了新的思路。 展开更多
关键词 光电导天线 太赫兹辐射 整形激光脉冲 缓慢上升-快速下降
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太赫兹天线(二)
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作者 钟旻 《数字通信世界》 2024年第4期1-11,共11页
文章叙述了太赫兹通信天线的新发展,包括光电导天线,芯片上天线和超材料、超平面的应用等,并给出了一些具体例子。
关键词 太赫兹 光电导天线 芯片上天线 超材料 超平面 衬底集成波导
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Bifacial Silicon Solar Cell Steady Photoconductivity under Constant Magnetic Field and Junction Recombination Velocity Effects 被引量:7
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作者 Amadou Diao Mamadou Wade +1 位作者 Moustapha Thiame Grégoire Sissoko 《Journal of Modern Physics》 2017年第14期2200-2208,共9页
The paper reported a theoretical study on the photoconductivity of a bifacial silicon solar cell under polychromatic illumination and a constant magnetic field effect. By use of the continuity equation in the base of ... The paper reported a theoretical study on the photoconductivity of a bifacial silicon solar cell under polychromatic illumination and a constant magnetic field effect. By use of the continuity equation in the base of the solar cell maintained in a constant temperature at 300 K, an expression of the excess minority carriers’ density was determined according to the applied magnetic field, the base depth and the junction recombination velocity. From the expression of the minority carriers’ density, the photoconductivity of the solar cell was deduced and which allowed us to predict some recombination phenomena, the use of such solar cell in optoelectronics. The profile of the photoconductivity also permitted us to utilize a linear model in order to determine an electrical capacitance that varied with magnetic field. 展开更多
关键词 Bifacial SOLAR Cell photoconductivity JUNCTION Recombination VELOCITY Magnetic Field Electrical CAPACITANCE
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Ultrafast Carrier Dynamics and Terahertz Photoconductivity of Mixed-Cation and Lead Mixed-Halide Hybrid Perovskites 被引量:1
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作者 赵婉莹 库治良 +5 位作者 吕丽萍 林贤 彭勇 金钻明 马国宏 姚建铨 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2019年第2期83-91,共9页
Using time-dependent terahertz spectroscopy, we investigate the role of mixed-cation and mixed-halide on the ultrafast photoconductivity dynamics of two different methylammonium(MA) lead-iodide perovskite thin films. ... Using time-dependent terahertz spectroscopy, we investigate the role of mixed-cation and mixed-halide on the ultrafast photoconductivity dynamics of two different methylammonium(MA) lead-iodide perovskite thin films. It is found that the dynamics of conductivity after photoexcitation reveals significant correlation on the microscopy crystalline features of the samples. Our results show that mixed-cation and lead mixed-halide affect the charge carrier dynamics of the lead-iodide perovskites. In the(5-AVA)_(0.05)(MA)_(0.95) PbI_(2.95) Cl_(0.05)/spiro thin film, we observe a much weaker saturation trend of the initial photoconductivity with high excitation fluence, which is attributed to the combined effect of sequential charge carrier generation, transfer, cooling and polaron formation. 展开更多
关键词 Ultrafast Carrier Dynamics Terahertz photoconductivity Mixed-Cation LEAD Mixed-Halide HYBRID Perovskites
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Synthesis and Photoconductivity of Nanosized Phthalocyanine 被引量:1
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作者 Shuguang BIAN Xianggao LI +1 位作者 Lei SHAO Jianfeng CHEN 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期533-535,共3页
Functional phthalocyanine (Pc) compounds of H2Pc, TiOPc, FePc and CIAIPc were synthesized with a yield of 46.7%, 91.2%, 37.4% and 34.0%, respectively. Nanosized TiOPc was synthesized via a one-step sol-gel method an... Functional phthalocyanine (Pc) compounds of H2Pc, TiOPc, FePc and CIAIPc were synthesized with a yield of 46.7%, 91.2%, 37.4% and 34.0%, respectively. Nanosized TiOPc was synthesized via a one-step sol-gel method and effects of surfactant doses, nucleation temperature on TiOPc particle size and photoconductivity were investigated. When re(PEG): m(TiOPc) was 0.1 and nucleation temperature was 0℃, the as-obtained TiOPc had the smallest particle size and largest specific surface area, which were 60 nm and 83m^2/g, respectively. TiOPc synthesized under these conditions also exhibits excellent photoconductivity with charging potential V0, dark decay speed Rd and energy for half-discharging of potential E1/2 being 1160 V, 30 V/s and 0.6 1x.s, respectively. 展开更多
关键词 PHTHALOCYANINE NANOSIZE SYNTHESIS photoconductivity
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Negative photoconductivity in low-dimensional materials 被引量:1
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作者 崔博垚 邢艳辉 +7 位作者 韩军 吕伟明 吕文星 雷挺 张尧 马海鑫 曾中明 张宝顺 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第2期121-130,共10页
In recent years,low-dimensional materials have received extensive attention in the field of electronics and optoelectronics.Among them,photoelectric devices based on photoconductive effect in low-dimensional materials... In recent years,low-dimensional materials have received extensive attention in the field of electronics and optoelectronics.Among them,photoelectric devices based on photoconductive effect in low-dimensional materials have a broad development space.In contrast to positive photoconductivity,negative photoconductivity(NPC)refers to a phenomenon that the conductivity decreases under illumination.It has novel application prospects in the field of optoelectronics,memory,and gas detection,etc.In this paper,we review reports about the NPC effect in low-dimensional materials and systematically summarize the mechanisms to form the NPC effect in existing low-dimensional materials. 展开更多
关键词 negative photoconductivity low-dimensional materials optoelectronic devices
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The Synthesis, Photoconductivity, Photoinduced Charge Transfer, and Other Properties of HEC-TCNQ
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作者 Qi FANG Hong LEI +1 位作者 Dong XU Duo Rong YUAN(Institute of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100Department of Electronic Engineering, Shandong University, Jinan 250100) 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 1997年第1期75-78,共4页
The donor-acceptor complex HEC-TCNQ (HEC = 9-hydroxyethylcarbazole; TCNQ = tetracyanoquinodimethane) has been synthesized. Under the illumination of Ar+ laser, the photoinduced charge transfer salt HEC(+)TCNQ(-) can b... The donor-acceptor complex HEC-TCNQ (HEC = 9-hydroxyethylcarbazole; TCNQ = tetracyanoquinodimethane) has been synthesized. Under the illumination of Ar+ laser, the photoinduced charge transfer salt HEC(+)TCNQ(-) can be formed with a conductivity of at least one order of magnitude larger than that of HEC-TCNQ. 展开更多
关键词 HEC The Synthesis photoconductivity Photoinduced Charge Transfer and Other Properties of HEC-TCNQ
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