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Multiframe-integrated, in-sensor computing using persistent photoconductivity 被引量:1
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作者 Xiaoyong Jiang Minrui Ye +7 位作者 Yunhai Li Xiao Fu Tangxin Li Qixiao Zhao Jinjin Wang Tao Zhang Jinshui Miao Zengguang Cheng 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第9期36-41,共6页
The utilization of processing capabilities within the detector holds significant promise in addressing energy consumption and latency challenges. Especially in the context of dynamic motion recognition tasks, where su... The utilization of processing capabilities within the detector holds significant promise in addressing energy consumption and latency challenges. Especially in the context of dynamic motion recognition tasks, where substantial data transfers are necessitated by the generation of extensive information and the need for frame-by-frame analysis. Herein, we present a novel approach for dynamic motion recognition, leveraging a spatial-temporal in-sensor computing system rooted in multiframe integration by employing photodetector. Our approach introduced a retinomorphic MoS_(2) photodetector device for motion detection and analysis. The device enables the generation of informative final states, nonlinearly embedding both past and present frames. Subsequent multiply-accumulate (MAC) calculations are efficiently performed as the classifier. When evaluating our devices for target detection and direction classification, we achieved an impressive recognition accuracy of 93.5%. By eliminating the need for frame-by-frame analysis, our system not only achieves high precision but also facilitates energy-efficient in-sensor computing. 展开更多
关键词 in-sensor MOS2 PHOTODETECTOR persistent photoconductivity reservoir computing
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Interfacial photoconductivity effect of type-Ⅰ and type-Ⅱ Sb2Se3/Si heterojunctions for THz wave modulation
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作者 曹雪芹 黄媛媛 +7 位作者 席亚妍 雷珍 王静 刘昊楠 史明坚 韩涛涛 张蒙恩 徐新龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期82-86,共5页
An in-depth understanding of the photoconductivity and photocarrier density at the interface is of great significance for improving the performance of optoelectronic devices. However, extraction of the photoconductivi... An in-depth understanding of the photoconductivity and photocarrier density at the interface is of great significance for improving the performance of optoelectronic devices. However, extraction of the photoconductivity and photocarrier density at the heterojunction interface remains elusive. Herein, we have obtained the photoconductivity and photocarrier density of 173 nm Sb2Se3/Si(type-Ⅰ heterojunction) and 90 nm Sb2Se3/Si(type-Ⅱ heterojunction) utilizing terahertz(THz) time-domain spectroscopy(THz-TDS) and a theoretical Drude model. Since type-Ⅰ heterojunctions accelerate carrier recombination and type-Ⅱ heterojunctions accelerate carrier separation, the photoconductivity and photocarrier density of the type-Ⅱ heterojunction(21.8×10^(4)S·m^(-1),1.5 × 10^(15)cm^(-3)) are higher than those of the type-Ⅰ heterojunction(11.8×10^(4)S·m^(-1),0.8×10^(15)cm^(-3)). These results demonstrate that a type-Ⅱ heterojunction is superior to a type-Ⅰ heterojunction for THz wave modulation. This work highlights THz-TDS as an effective tool for studying photoconductivity and photocarrier density at the heterojunction interface. In turn, the intriguing interfacial photoconductivity effect provides a way to improve the THz wave modulation performance. 展开更多
关键词 photoconductivity Sb2 Se3/Si heterojunctions THZ-TDS Drude model
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光电导天线材料对辐射太赫兹波特性的模拟分析
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作者 侯磊 吴晓博 +2 位作者 杨磊 施卫 杭玉桦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期551-556,共6页
光电导天线是太赫兹时域光谱系统中普遍使用的宽带太赫兹辐射源,天线衬底材料对其辐射太赫兹波特性至关重要。目前广泛使用的光电导天线材料是第二代半导体材料GaAs,而第三代半导体材料具有更大的禁带宽度,对提高天线辐射太赫兹波的功... 光电导天线是太赫兹时域光谱系统中普遍使用的宽带太赫兹辐射源,天线衬底材料对其辐射太赫兹波特性至关重要。目前广泛使用的光电导天线材料是第二代半导体材料GaAs,而第三代半导体材料具有更大的禁带宽度,对提高天线辐射太赫兹波的功率更有利。本文利用大孔径光电导天线的电流瞬冲模型,对常用光电导天线材料(SI-GaAs、LT-GaAs)和未来有望应用于光电导天线的第三代半导体材料(ZnSe、GaN、SiC)辐射太赫兹波的特性进行了仿真研究,结果表明在相同偏置电场和各自最高光通量触发下,LT-GaAs天线辐射太赫兹波的幅值最高、频谱最宽;第三代半导体材料制备的天线可以承受更高的偏置电场,在各自的最大偏置电场下辐射太赫兹波的强度远远大于GaAs天线。本工作对研制新型的第三代半导体光电导天线提供了理论指导。 展开更多
关键词 太赫兹辐射 第三代半导体材料 电流瞬冲模型 光电导天线
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全光纤耦合式太赫兹近场探针光谱成像系统
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作者 王刚 曹佳炜 袁英豪 《上海理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期539-544,共6页
通过对太赫兹光电导探针天线与飞秒倍频光路进行光纤模块化封装,并结合光纤耦合式太赫兹光电导天线辐射源,以及自主研制设计的光纤飞秒激光光源和光纤式高速光学延时线,开发了一种全光纤耦合式太赫兹近场探针光谱成像系统,其光谱范围覆... 通过对太赫兹光电导探针天线与飞秒倍频光路进行光纤模块化封装,并结合光纤耦合式太赫兹光电导天线辐射源,以及自主研制设计的光纤飞秒激光光源和光纤式高速光学延时线,开发了一种全光纤耦合式太赫兹近场探针光谱成像系统,其光谱范围覆盖0.1~2.0 THz,动态范围达到60 dB,光谱采样速度高达0.1 s/谱,近场成像分辨率优于20μm的全光纤耦合式太赫兹近场探针光谱成像系统。得益于整套系统的全光纤结构设计,太赫兹辐射源和探针式探测器之间可以根据测量需求灵活调节而不需要重新校准光路,极大地提高了系统的工作稳定性和使用方便性。该研究为太赫兹科学研究提供了一种高性能且实用性强的太赫兹近场光谱成像测量系统。 展开更多
关键词 太赫兹近场 光电导探针 太赫兹时域光谱
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基于紫外荧光光导的增强型局部放电光电传感技术对比研究 被引量:2
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作者 何楠 刘弘景 +2 位作者 刘宏亮 刘可文 任明 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2024年第2期87-94,共8页
本文从提升局部放电光电检测效率角度出发,采用Dy^(3+)和Ce^(3+)掺杂荧光玻璃作为前端耦合光导,提升了放电紫外光谱波段的检测效率,并通过荧光光导与单光子器件相配合的方式,实现了宽光谱、高灵敏度的局部放电光电探测。研究中,首先对... 本文从提升局部放电光电检测效率角度出发,采用Dy^(3+)和Ce^(3+)掺杂荧光玻璃作为前端耦合光导,提升了放电紫外光谱波段的检测效率,并通过荧光光导与单光子器件相配合的方式,实现了宽光谱、高灵敏度的局部放电光电探测。研究中,首先对两种荧光光导的激发光谱和荧光光谱特性进行了对比分析,计算了其与硅光电倍增管和光电倍增管的匹配效率,在此基础上对两种光导的光度衰减时间和荧光脉冲滞后时间进行了测定,最后通过局部放电的实测,对比分析了两种光导测试系统的灵敏度、线性度及其在放电统计特性上的差异。 展开更多
关键词 局部放电 光测法 荧光光导 光电效率 光电脉冲
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高性能PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器 被引量:1
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作者 潘生生 袁涛 +1 位作者 周孝好 王振 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2024年第1期74-80,共7页
由于光电探测器的工作性能直接关系到系统数据采集质量,为此,对高性能PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器进行了研究。通过选取材料、试剂和设备制作了PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器。搭建探测器性能测试环境,并利用光响应... 由于光电探测器的工作性能直接关系到系统数据采集质量,为此,对高性能PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器进行了研究。通过选取材料、试剂和设备制作了PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器。搭建探测器性能测试环境,并利用光响应度、探测率、响应时间和光电导增益4个指标,分析探测器性能。结果表明,随着测试时间的推移,PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器的光响应度数值始终处于5 A/W限值以上;无论对采集何种材质反射的红外光,探测器探测率均大于10 cm·Hz1/2 W^(-1);无论光生电流是处于上升还是下降时间,其响应时间始终在限值150μs以下;光电导增益值保持在80%以上。 展开更多
关键词 PtS_(2)/MoTe_(2)异质结红外光电探测器 光响应度 探测率 光电导增益
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Performance of Lateral 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switches by Extrinsic Backside Trigger
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作者 WANG Hao LIU Xuechao +8 位作者 ZHENG Zhong PAN Xiuhong XU Jintao ZHU Xinfeng CHEN Kun DENG Weijie TANG Meibo GUO Hui GAO Pan 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1070-1076,共7页
Photoconductive semiconductor switch(PCSS)can be applied in pulsed high power systems and microwave techniques.However,reducing the damage and increasing the lifetime of silicon carbide(SiC)PCSS are still faced severe... Photoconductive semiconductor switch(PCSS)can be applied in pulsed high power systems and microwave techniques.However,reducing the damage and increasing the lifetime of silicon carbide(SiC)PCSS are still faced severe challenges.In this study,PCSSs with various structures were prepared on 4-inch diameter,500μm thick high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates and their on-state resistance and damage mechanisms were investigated.It was found that the PCSS of an Au/TiW/Ni electrode system annealed at 950℃had a minimum on-state resistance of 6.0Ωat 1 kV bias voltage with a 532 nm and 170 mJ pulsed laser by backside illumination single trigger.The backside illumination single trigger could reduce on-state resistance and alleviate the damage of PCSS compared to the frontside trigger when the diameter of the laser spot was larger than the channel length of PCSS.For the 200 s trigger test by a 10 Hz laser,the black branch-like ablation on Au/TiW/Ni PCSS was mainly caused by thermal stress owing to hot carriers.Replacing metal Ni with boron gallium co-doped zinc oxide(BGZO)thin films annealed at 400℃,black branch-like ablation was alleviated while concentric arc damage was obvious at the anode.The major causes of concentric arc are both pulsed laser diffraction and thermal effect. 展开更多
关键词 silicon carbide photoconductive semiconductor switch on-state resistance failure analysis
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In_(0.52)Al_(0.48)As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象
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作者 吴洋 胡晓 +2 位作者 刘博文 顾溢 查访星 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期287-292,共6页
应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP... 应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP形成的上层为反向异质结的双异质结样品(样品B:InP/In_(0.52)Al_(0.48)As/InP).PL和PC实验采用光从表面入射激发的测量构型,样品测量温度为77 K.样品A的PC谱显示,在激发光能量大于表面In_(0.52)Al_(0.48)As层的带隙时出现了电导陡降的反常变化,还在916 nm波长处呈现一小的电导峰结构.PL谱对应此波长位置则出现很强的发光峰.样品B则未观察到上述光谱特征,该差异可从两类异质结不同的界面电子结构获得解释. 展开更多
关键词 半导体光谱 半导体界面 光电导 光致发光
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Light-Induced Changes in a-Si∶H Films Studied by Transient Photoconductivity
9
作者 张世斌 孔光临 +3 位作者 徐艳月 王永谦 刁宏伟 廖显伯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期794-799,共6页
Light induced changes in a-Si∶H films are investigated by transient photoconductivity.The transient photoconductivity decay data can neither be fit well by common power-law for transient photocurrent in amorphous sem... Light induced changes in a-Si∶H films are investigated by transient photoconductivity.The transient photoconductivity decay data can neither be fit well by common power-law for transient photocurrent in amorphous semiconductors,nor by stretched exponential rule for transient decay from the steady state in photoconductivity.Instead,the data are fit fairly well with a sum of two exponential functions.The results show that the long time decay is governed by deep traps rather than band tail states,and two different traps locating separately at 0.52 and 0.59eV below E _c are responsible for the two exponential functions.They are designated as negatively charged dangling bond D - centers.The light-induced changes in photoconductivity are attributed mainly to the decrease in electron lifetime caused by the increase of recombination centers after light soaking. 展开更多
关键词 amorphous silicon transient photoconductivity light-induced change
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弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制
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作者 司鑫阳 徐鸣 +2 位作者 王文豪 常家豪 王铖杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2153-2160,共8页
弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输... 弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输出电流和晶格温度进行了仿真分析,考察了偏置电场对GaAs PCSS输出特性的影响。通过不同时刻开关内部的瞬态电场、电子浓度和晶格温度等方面研究了高倍增模式下GaAs PCSS的光生载流子输运过程和损伤机理。结果表明,高密度丝状电流的存在伴随于高场畴的产生和发展。开关内部电场越高,负微分效应引起的载流子聚束现象越明显,相应的电子浓度和晶格温度值也越高;在浓度达1017 cm^(-3)数量级的等离子体通道中,阳极附近电场强度和晶格温度最大值分别为220 kV/cm和821.92 K。 展开更多
关键词 GAAS 光电导开关 高倍增模式 丝状电流 输运机制
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低维GaS高响应度纸基光电探测器
11
作者 辛巍 仲玮恒 +2 位作者 王晓颖 闫楚欣 刘为振 《物理实验》 2024年第4期7-11,24,共6页
随着石墨烯的发现,二维材料因其与众不同的理化性质,而在科研领域的关注度与日俱增.以石墨烯为起点的二维材料(例如MoS_(2),WS_(2),GaS等)因在器件中具有较好的光电性质和较高的迁移率,而在生产和生活中具有良好的应用前景.本文简要探... 随着石墨烯的发现,二维材料因其与众不同的理化性质,而在科研领域的关注度与日俱增.以石墨烯为起点的二维材料(例如MoS_(2),WS_(2),GaS等)因在器件中具有较好的光电性质和较高的迁移率,而在生产和生活中具有良好的应用前景.本文简要探讨了光电导效应的原理,采用铅笔勾勒的方法绘制出了石墨电极,并采用体材料液相超声后分散液滴涂的方法,制备了宏观尺度的GaS纸基光电探测器,该探测器具有可见光范围的光电响应,且具有较好的机械重复性.本文介绍的纸基光电探测器的制备方法对于高校基础物理和半导体物理课程的教学具有实际意义,有利于学生更好地理解光电导效应的原理.此外,纸基光电探测器不仅降低了制备成本,而且还有助于提高高校学生的科研实践能力. 展开更多
关键词 GAS 光电导效应 纸基 光电探测器
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基于NDIR的甲烷气体传感器设计与测试
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作者 王琛 邢海霞 李晓干 《微处理机》 2024年第3期39-42,共4页
针对目前非分光红外CH4气体传感器灵敏度较低且响应时间较长等问题,设计一款基于光电导原理的CH4气体传感器。该传感器主要由PbSe光导型红外探测器、信号处理部分电路、光源驱动部分电路及光路气室组成,通过分析气体浓度与探测器输出信... 针对目前非分光红外CH4气体传感器灵敏度较低且响应时间较长等问题,设计一款基于光电导原理的CH4气体传感器。该传感器主要由PbSe光导型红外探测器、信号处理部分电路、光源驱动部分电路及光路气室组成,通过分析气体浓度与探测器输出信号之间的关系,拟合浓度输出关系方程,以实现检测功能。通过实验,在室温下对不同浓度气体进行检测,结果表明该传感器的输出误差、最低检测限、最低响应时间等参数表现良好,可在1000 cm^(3)/m^(3)范围内对气体实现有效测量。 展开更多
关键词 光导型探测器 浓度标定 非分光红外技术
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光电器件中的负光电导效应及应用
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作者 刘凯 张晴怡 +2 位作者 廖延安 刘威 陈峰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期317-333,共17页
随着信息化时代的高速发展,对微电子器件中光电材料的选择、新功能的开发提出了更高的要求。传统光电器件大多利用半导体材料在光照下电导率增加的正光电导性效应进行功能化设计。近年来,研究发现还存在另一种反常的光电导效应——负光... 随着信息化时代的高速发展,对微电子器件中光电材料的选择、新功能的开发提出了更高的要求。传统光电器件大多利用半导体材料在光照下电导率增加的正光电导性效应进行功能化设计。近年来,研究发现还存在另一种反常的光电导效应——负光电导(Negative photoconductivity,NPC),即在光照条件下电导率降低,由于其在光电探测、逻辑器件、神经形态器件、低功耗非易失性存储器方面的潜在应用而备受关注。NPC的产生机制一般包括载流子的俘获效应、表面分子的吸附-解吸、表面等离子体极化激元和局域表面等离子体共振、光辐射热效应等。本文详细讨论了不同光电器件中NPC产生的物理机制,分析了材料选择、器件结构设计、能带结构变化对不同异质结器件中NPC效应的影响,概括了光电器件中负光电导效应的实际应用,这为光电器件的性能优化和新型光电器件设计提供了重要参考,为未来异质结光电信息器件实现尺寸更小、光导增益更高、速率更快、功耗更低奠定了科学基础。 展开更多
关键词 负光电导 应用 光电器件
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火炸药环境电气危险F0区照明技术研究
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作者 白蕾 韩超杰 +1 位作者 高阁 卢鲁 《兵工自动化》 北大核心 2024年第3期48-50,59,共4页
针对现阶段火炸药环境电气危险F0区照明方式存在覆盖区域有限、照度不足等问题,通过对阳光导入照明系统原理和特点进行分析,运用光纤照明和光导照明技术进行F0区光源引入的应用模型,为F0区提供安全性能好、采光效率高、绿色节能的照明... 针对现阶段火炸药环境电气危险F0区照明方式存在覆盖区域有限、照度不足等问题,通过对阳光导入照明系统原理和特点进行分析,运用光纤照明和光导照明技术进行F0区光源引入的应用模型,为F0区提供安全性能好、采光效率高、绿色节能的照明方案。应用结果表明:该方案可解决F0区大进深空间和地下空间的采光问题,提高火炸药生产、储存、搬运、检验等环节作业效率和安全性。 展开更多
关键词 火炸药环境 光纤照明 光导照明
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纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究
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作者 乔旭冕 李新化 +5 位作者 谷毛毛 龚书磊 弓紫燕 吴超可 吴超 赵雷鸣 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期671-678,共8页
深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了... 深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了基于缺陷光电离模型来提取特定缺陷能级水平特征的方法。通过拟合纤锌矿结构砷化镓纳米线的光离化谱,得到了0.69 eV的光电离能。光离化能和热捕获能之间的较大能量差异意味着缺陷与晶格有强耦合作用,这与闪锌矿结构砷化镓中EL2中心的行为相似。 展开更多
关键词 光电子学 光电导 纤锌矿结构砷化镓 深能级缺陷 分子束外延
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太赫兹波光电导天线探测器的研究进展
16
作者 王志全 董陈岗 王欣 《渭南师范学院学报》 2024年第8期79-87,94,共10页
对国内外利用光电导天线探测器检测偏振太赫兹波进行了归纳总结,发现国内外对用于太赫兹偏振检测的光电导天线探测器的研发各有优缺点,但不能同时满足高效率、高精度、高信噪比的要求。因此,通过对光电导天线阵列探测器的有源区域、相... 对国内外利用光电导天线探测器检测偏振太赫兹波进行了归纳总结,发现国内外对用于太赫兹偏振检测的光电导天线探测器的研发各有优缺点,但不能同时满足高效率、高精度、高信噪比的要求。因此,通过对光电导天线阵列探测器的有源区域、相邻阵元之间的反向电流和探测准确性等进行国内外研究现状和发展动态梳理,分析光电导阵列探测器在太赫兹偏振检测中所遇到的关键问题,为光电导天线阵列探测器的研发和应用提供一定的参考。 展开更多
关键词 太赫兹波 光电导天线 偏振光
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4H-SiC光导开关性能的仿真研究
17
作者 蓝华英 罗尧天 +2 位作者 崔海娟 肖建平 孙久勋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期195-199,共5页
碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编... 碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编的载流子迁移率接口程序,对4H-SiC光导开关的光学电学特性进行模拟仿真。单脉冲响应的仿真结果表明,器件在瞬态条件下的峰值光电流随光能的变化与文献中的实验数据相符合,表明所用模型和参数具有合理性。对影响单脉冲响应的主要因素,包括脉冲能量、脉冲宽度、碳化硅厚度,进行了计算和分析。同时,针对两种碳化硅厚度的器件,进行了多脉冲串响应的计算和分析。文章得到的结果和结论对碳化硅光导开关的进一步研究具有较好的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SIC 光导开关 SilvacoTCAD 仿真模型
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Au修饰ZnO纳米棒的制备及紫外探测性能研究
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作者 商世广 郭帅 李佳臻 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期3178-3183,共6页
采用磁控溅射技术和水热法制备金(Au)纳米颗粒修饰的氧化锌(ZnO)纳米棒材料。利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪等测试设备对不同溅射功率下的Au纳米颗粒修饰的ZnO纳米棒进行了表征分析。实验结果表明... 采用磁控溅射技术和水热法制备金(Au)纳米颗粒修饰的氧化锌(ZnO)纳米棒材料。利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪等测试设备对不同溅射功率下的Au纳米颗粒修饰的ZnO纳米棒进行了表征分析。实验结果表明,不同溅射功率下的ZnO纳米棒均呈六方纤锌矿结构,沿晶面(002)择优生长,具有较高的结晶度;修饰后ZnO纳米棒表面附着Au纳米颗粒,能有效增强其紫外光激发强度;当射频溅射功率为80 W时,ZnO纳米棒表现出最佳的紫外探测性能,相比于未修饰的ZnO纳米棒,Au纳米颗粒能抑制ZnO纳米棒的持续光电导(PPC)效应,其紫外探测的响应/恢复时间分别降低了6.05和4.54 s,光暗电流比由9.31提升至32.40,光响应度达到1.94A/W,显著增强了ZnO纳米棒紫外探测的能力。 展开更多
关键词 水热法 ZNO纳米棒 紫外探测 Au纳米颗粒 持续光电导效应
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SiC光导开关欧姆接触制备与性能研究
19
作者 丁蕾 罗燕 +3 位作者 袁涛 尚吉扬 魏紫东 周义 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期357-362,共6页
Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压... Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压达到了23 kV,Ni/W膜层厚度为100 nm/100 nm~100 nm/150 nm时,比接触电阻率降低到1.6×10^(-4)Ω·cm^(2),且在后续试验验证中,Ni/W膜层表现出良好的高温稳定性及抗大电流烧蚀性能。 展开更多
关键词 光导开关 碳化硅 欧姆接触 难熔金属 比接触电阻率
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基于光导开关的光电集成一体化装配技术研究
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作者 周义 张晨璐 +2 位作者 罗燕 王博巍 孙树丹 《科技创新与应用》 2024年第25期76-79,共4页
随着微电子技术的发展,光导开关是一种新型的快速电子器件,在高功率脉冲、超快光电控制等领域有广泛的应用。作为一种复杂的光电混合器件,在高电压高功率应用场景下,需要同时满足微波输出、光学对位、耐高压等要求。在一体化装配过程中... 随着微电子技术的发展,光导开关是一种新型的快速电子器件,在高功率脉冲、超快光电控制等领域有广泛的应用。作为一种复杂的光电混合器件,在高电压高功率应用场景下,需要同时满足微波输出、光学对位、耐高压等要求。在一体化装配过程中,碳化硅光导开关存在碳化硅晶片易碎、输入激光易损耗等问题,因此,该文从光波导装配设计、一体化装配设计和一体化装焊仿真3个方面进行研究,通过柔性装配实现耐高压光导开关封装。 展开更多
关键词 光导开关 光波导 一体化装配 装焊仿真 超快光电控制
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