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High Performance Ultraviolet Photodetector Fabricated with ZnO Nanoparticles-graphene Hybrid Structures 被引量:1
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作者 刘金养 于欣欣 +4 位作者 张光辉 吴昱昆 张琨 潘楠 王晓平 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第2期225-230,I0004,共7页
Ultraviolet (UV) photodetector constructed by ZnO material has attracted intense research and commercial interest. However, its photoresistivity and photoresonse are still unsatisfied. Herein, we report a novel meth... Ultraviolet (UV) photodetector constructed by ZnO material has attracted intense research and commercial interest. However, its photoresistivity and photoresonse are still unsatisfied. Herein, we report a novel method to assemble ZnO nanoparticles (NPs) onto the reduced graphite oxide (RGO) sheet by simple hydrothermal process without any surfactant. It is found that the high-quality crystallized ZnO NPs with the average diameter of 5 nm are well dispersed on the RGO surface, and the density of ZnO NPs can be readily controlled by the concentration of the precursor. The photodetector fabricated with this ZnO NPs- RGO hybrid structure demonstrates an excellent photoresponse for the UV irradiation. The results make this hybrid especially suitable as a novel material for the design and fabrication of high performance UV photodector. 展开更多
关键词 ZnO nanoparticle Reduced graphite oxide Hybrid structure UV photodector
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InGaAs台面探测器的AlN钝化研究 被引量:1
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作者 张可锋 李淘 +4 位作者 唐恒敬 李永富 宁锦华 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期402-405,共4页
首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λc=2.4μm)。探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP外延材料。由于台面型器件的裸露面积较大,特别是台面的成形... 首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λc=2.4μm)。探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP外延材料。由于台面型器件的裸露面积较大,特别是台面的成形工艺所带来的侧面损伤,加大了光生载流子的表面复合,使器件的暗电流、噪声等性能急剧下降。采用新的AlN钝化工艺,制备了8元正照射台面InGaAs探测器,室温下(T=300K)电压为-0.5V时,探测器的暗电流(ID)约为9×10-8A,优值因子(R0A)大于30Ωcm2,通过与其他钝化工艺所制备的器件的性能进行分析对比得出:AlN能有效地改善器件的表面状态,减小表面复合,从而降低了暗电流,提高了探测器的性能。 展开更多
关键词 INGAAS探测器 ALN 钝化层 暗电流
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光通讯物理过程中的瓶颈问题研究
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作者 黄伟其 吉世印 蔡绍虹 《贵州教育学院学报》 2001年第4期16-17,共2页
综述了光通讯科技近年来的最新进展 ,并指出了光通讯科技发展中的一些瓶颈问题与解决方案。
关键词 光通讯速度 光通讯科技 瓶颈问题 光电接收 发展 硬件
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320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 被引量:17
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作者 史衍丽 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期42-44,101,共4页
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测... 采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm.Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。 展开更多
关键词 320×256 GAAS/ALGAAS 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率
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发光二极管芯片快速检测方法的研究
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作者 任红茹 李薇 +4 位作者 刘雪莲 王文杰 梁琨 杨茹 韩德俊 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期90-94,共5页
介绍了一种新的发光二极管(LED)芯片的检测方法及应用。该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小和便于系统集成的优点,在半导体照明最... 介绍了一种新的发光二极管(LED)芯片的检测方法及应用。该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小和便于系统集成的优点,在半导体照明最感兴趣的398~780nm波长范围内,波长测量的重复精度及分辨率优于1nm。据此方法,对红、绿、蓝、紫四种LED芯片发光的波长及辐射强度进行了实际测量,对红绿蓝三基色发光二极管合成白光的偏色进行了检测,并与光纤光谱仪测量得到的结果进行了比较。 展开更多
关键词 半导体光电子学 BDJ半导体探测器 LED芯片检测 光色测量
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721、751G分光光度计校正调零故障的检查与处理
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作者 杨培达 《质量指南》 1996年第4期64-65,共2页
就科研和生产过程中,根据实验室常规分析仪器721、751G光电比色计使用时遇到的校正调零以及各种故障,从检查光源光电管和灵敏度入手,就处理故障的经验作以介绍。
关键词 检查 校正 光电管 灵敏度
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InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究 被引量:3
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作者 张可锋 唐恒敬 +4 位作者 李淘 李永富 宁锦华 李雪 龚海梅 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期713-716,共4页
对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面... 对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。 展开更多
关键词 INGAAS探测器 设计尺寸 暗电流 噪声 优值因子(RoA)
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光学超外差法小平面角精密测量
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作者 林跃 周志尧 王润文 《光学学报》 EI CAS 1988年第1期51-56,共6页
文本用纵向塞曼双频稳频激光器作光源,提出了一种光学超外差法小平面角的精密测量方法.此方法采用相位干涉测量技术,测角灵敏度可达0.002”.优于其他平面角测量仪的测角灵敏度.
关键词 超外差的 平面角 光电检测器
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基于桥接T型光电探测器阵列的功率合成研究与设计
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作者 徐梦洁 文化锋 +3 位作者 徐敏松 杜洋洋 Li Ying-feng 施锋 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期950-956,共7页
针对行波探测器阵列(TWDA)仅提高了光电探测器的输出功率而输出带宽未得到改善的问题,本文提出了一种区别于TWDA的基于桥接T型光电探测器阵列新结构。本设计采用基于constant-R结构的桥接T型结构代替TWDA中的传统constant-K结构的方法 ... 针对行波探测器阵列(TWDA)仅提高了光电探测器的输出功率而输出带宽未得到改善的问题,本文提出了一种区别于TWDA的基于桥接T型光电探测器阵列新结构。本设计采用基于constant-R结构的桥接T型结构代替TWDA中的传统constant-K结构的方法 ,从而形成人工传输线结构。即耦合微带线提供串连电感和所需要的互感,电容并联于其中一条微带线上,再将单个光电二极管嵌入到此人工传输线上,构成单个阵列单元,再按照阵列式结构将这些阵列单元有效级联起来构成桥接T型光电探测器阵列。仿真结果表明,所提出的桥接T型光电探测器阵列能够使多个光电探测器功率合成的同时提高工作带宽,虽然桥接T型光电探测器阵列合成功率相比于传统TWDA合成功率有稍许减少,但在工作带宽上却提高了2^(1/2)倍,减少的稍许合成功率可以通过增加级联数目加以补偿。 展开更多
关键词 光电探测器 行波探测器阵列 功率合成 桥接T型结构 微带线 工作宽带
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